CN103855057B - 托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法,涉及半导体设备制造领域,能够有效提高对托盘的冷却速度,缩短工艺周期。本发明的托盘升降装置,设置在预热腔室内,所述预热腔室的底部内壁上具有冷却装置,所述托盘升降装置包括:升降驱动装置、托架、顶升装置以及冷却承载元件,其中:所述升降驱动装置,与所述托架连接,所述升降驱动装置用于驱动所述托架在预热腔室内做升降运动;所述顶升装置,设置在所述托架的上表面,所述顶升装置设置用于承载待加热的托盘;所述冷却承载元件,设置在所述托架的下表面,所述冷却承载元件用于承载工艺后待冷却的托盘。

Description

托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法
技术领域
本发明涉及半导体设备制造领域,尤其涉及一种托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法。
背景技术
在LED(LightEmittingDiode,发光二极管)芯片沉积ITO(IndiumTinOxides,纳米铟锡金属氧化物)薄膜的工艺过程中,需要对蓝宝石基片进行加热以得到导电性较好、透过率较高的ITO薄膜层,其工艺温度约为300℃。其工艺流程是:载有工艺片的托盘传输到预热腔加热到250-300℃,然后传输到工艺腔沉积ITO薄膜,最后人工取出。此时托盘温度较高,容易造成人员烫伤。因此在工艺流程中需要增加冷却托盘的步骤。
热传递的方式主要有三种,热传导、热对流和热辐射。一般来说,传热效率由高到低依次是:热传导>热对流>热辐射。
为避免加热造成腔室过热,现有技术提供了一种方法,即在腔室壁内部设计有冷却水道,冷却水经过进水口进入,流经上下一圈后从出水口流出,保证腔室在加热过程中温度在合理范围,以防烫伤。由于托盘与腔室没有直接接触,因此,该方法中腔室只能以热辐射的方式冷却托盘,冷却速度慢,耗时长,效果不明显。
此外,现有技术还提供了另外一种方法,即在预热腔室或者工艺腔室内通过vent气路充入氮气N2,同时通过真空管路不断抽走N2,通过热对流的方式对托盘进行冷却。由于热对流传热效率也相对较低,因此需要大量的气体才能使托盘达到理想温度,且耗时也很长。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法,能够有效提高对托盘的冷却速度,缩短了工艺周期,从而提高了生产效率。
为了解决本发明的技术问题,本发明提供一种托盘升降装置,设置在预热腔室内,所述预热腔室的底部内壁上具有冷却装置,所述托盘升降装置包括:升降驱动装置、托架、顶升装置以及冷却承载元件,其中:
所述升降驱动装置,与所述托架连接,所述升降驱动装置用于驱动所述托架在预热腔室内做升降运动;
所述顶升装置,设置在所述托架的上表面,所述顶升装置设置用于承载待加热的托盘;
所述冷却承载元件,设置在所述托架的下表面,所述冷却承载元件用于承载工艺后待冷却的托盘;
通过所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做升降运动,使得所述顶升装置或者冷却承载元件与预热腔室的传片口对齐,从而实现机械手从所述传片口向所述顶升装置传输待加热的托盘以及取出加热后的托盘,或者从所述传片口向冷却承载元件传输经过工艺后需要冷却的托盘以及取出冷却后的托盘;
当机械手从所述传片口向冷却承载元件传输经过工艺后需要冷却的托盘后,所述升降驱动装置带动所述托架下降,使承载有需要冷却的托盘的冷却承载元件与所述预热腔室的底部内壁贴合,通过热传导实现对托盘的冷却。
所述升降驱动装置,包括安装支架、直线导轨、连接件以及波纹管,其中:
所述安装支架,设置于所述预热腔室外且位于预热腔室的下方;
所述直线导轨,安装在所述安装支架上,用于带动所述连接件和波纹管做竖直运动;
所述波纹管的下部与所述连接件相连接,上部伸入至所述预热腔室的内部,所述托架与所述波纹管相连接,所述波纹管通过连接件与所述直线导轨连接。
所述冷却承载元件,包括至少两个托座,均匀分布于所述托架的下表面。
所述托座包括支撑台以及折弯状的支撑架,所述支撑架用于连接所述托架与所述支撑台。
所述支撑架与所述托架之间为螺纹连接或者焊接。
所述托座的材质为不锈钢或者铝。
所述支撑架的形状为“┌”形或者“C”形。
所述托架的形状为圆形,其中两个所述托座分别设置在所述托架所在圆的直径的两端。
所述顶升装置为三个顶针。
为了解决本发明的技术问题,本发明还提供一种预热设备,包括上述的托盘升降装置,所述预热设备,还包括:
设置于所述预热腔室上方的石英窗、加热灯以及与用于安装所述加热灯的上罩体,其中:石英窗密闭透光且内部为真空;所述预热腔室底部的内壁上开设有与所述冷却承载元件相匹配的凹槽,当所述托架向下运动时,所述冷却承载元件落入所述凹槽内。
所述冷却承载元件的高度不大于所述凹槽的深度。
所述冷却承载元件的高度满足当所述冷却承载元件落入所述凹槽内时,所述顶升装置上的托盘与所述传片口对齐。
为了解决本发明的技术问题,本发明还提供一种采用上述的预热设备的托盘冷却方法,所述方法,包括下列步骤:
步骤a、机械手将当前待预热的托盘传入所述预热腔室中预热时间t后,将预热后的托盘取出传到工艺腔,同时机械手将下一个待预热的托盘传入所述预热腔室中等待预热;
步骤b、所述预热后的托盘在所述工艺腔工艺时间m后,控制所述预热腔室开始对所述下一个待预热的托盘预热时间t,所述预热后的托盘在所述工艺腔内继续工艺直到时间T,其中T=m+t;
步骤c、在所述预热后的托盘工艺完成且所述下一个待预热的托盘预热完成后,机械手将所述预热后的托盘从所述工艺腔内取出,传入所述预热腔室并放置在所述冷却承载元件上,控制所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做下降运动,以使所述预热后的托盘与所述预热腔室的底部内壁相贴合;
步骤d、机械手将所述下一个待预热的托盘从所述预热腔室中取出传到工艺腔,同时机械手将第三个待预热的托盘传入所述预热腔室中的顶升装置上等待预热,控制所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做上升运动,以使所述冷却承载元件与预热腔室的传片口对齐,机械手取出所述预热后的托盘;
步骤e、将所述第三个待预热的托盘作为当前待预热的托盘,重复执行步骤a-d。
上述的预热设备的托盘冷却方法中,所述t的取值范围为T/5-T/2。
本发明的托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法,通过在现有托架的下部设置冷却承载元件,同时在预热腔室底部的内壁上开设与所述冷却承载元件相匹配的凹槽,当托盘需要冷却时,将托盘放置在所述冷却承载元件上,使托架向下运动,并使托盘与腔体底部相贴合以进行冷却,本发明的托盘升降装置及高温托盘的冷却方法采用热传导的方式对托盘进行冷却,传热效率高,冷却速度快,同时实现了用同一升降装置对两个托盘分别实现加热和冷却的操作,缩短了工艺周期,且易于实施,有效提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中预热设备的托盘升降装置的示意图之一;
图2为本发明实施例中预热设备的托盘升降装置的示意图之二;
图3为本发明实施例中托架以及托座的结构示意图;
图4为本发明实施例中凹槽的示意图;
图5为本发明实施例中工艺方法的流程示意图;
图6为本发明实施例的工艺方法中预热设备的状态示意图之一;
图7为本发明实施例的工艺方法中预热设备的状态示意图之二。
具体实施方式
本发明提供一种托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法,其能够实现用同一升降装置对两个托盘分别实现加热和冷却的操作,有效提高对托盘的冷却速度,缩短了工艺周期,从而提高了生产效率。
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节,以便透切理解本发明。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中,省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
下面结合附图详细说明本发明的托盘升降装置,图1是本发明的托盘升降装置的结构示意图,如图1所示,本发明的托盘升降装置,设置在预热腔室1内,其包括:升降驱动装置100、托架8、顶升装置2以及冷却承载元件13,其中:所述升降驱动装置100与所述托架8连接,用于驱动所述托架8在预热腔室1内做升降运动;所述顶升装置2设置在所述托架8的上表面,用于承载待加热的托盘3;所述冷却承载元件13设置在所述托架8的下表面,用于承载工艺后待冷却的托盘;通过所述升降驱动装置100带动所述托架8在预热腔室1内做升降运动,使得所述顶升装置2或者冷却承载元件13与预热腔室1的传片口1a对齐,从而实现机械手从所述传片口1a向所述顶升装置2传输待加热的托盘3以及取出加热后的托盘3,或者从所述传片口向冷却承载元件13传输经过工艺后需要冷却的托盘以及取出冷却后的托盘,因此,能够实现用同一升降装置对两个托盘分别实现加热和冷却的操作。
采用本发明的托盘升降装置,在预热腔室1内的工作流程,包括:
进行预热操作时,机械手将准备进行预热工艺的托盘通过预热腔室1的传片口1a传到预热腔室1内的顶升装置上方,升降驱动装置100驱动托架8升起,托盘3放到顶升装置2上,然后机械手退出预热腔室1,预热腔室1与传输腔之间的门阀关闭,预热腔室1对所述托盘3进行加热操作。
进行冷却操作时,升降驱动装置100驱动托架8升高到冷却承载元件13与预热腔室1的传片口1a对齐,然后机械手将从工艺腔中传出来的高温托盘通过预热腔室1的传片口1a传入冷却承载元件13上方,升降驱动装置100驱动托架8升起,托盘放到冷却承载元件13上,机械手退出预热腔室1,预热腔室1与传输腔之间的门阀关闭;升降驱动装置100驱动托架8下降,带动托架8及与其连接的冷却承载元件13将待冷却的托盘与预热腔室1底部内壁贴合通过热传导进行冷却。
取预热托盘时,所述升降驱动装置驱动托架8运动,使所述顶升装置与预热腔室1的传片口1a对齐,预热腔室1与传输腔间的门阀打开,机械手伸到预热后托盘下方,顶升装置2上方,升降驱动装置100驱动托架8运动下降将预热后的托盘放到机械手上,机械手带着托盘退出预热腔室1,传输腔与预热腔室1之间的门阀关闭。
取冷却后托盘时,所述升降驱动装置100驱动所述托架8上升,使冷却承载元件与与预热腔室1的传片口1a对齐,预热腔室1与传输腔之间的门阀打开,机械手伸到冷却后托盘下方,所述升降驱动装置100驱动所述托架8下降,将冷却后的托盘放到机械手上,机械手带着托盘退出预热腔室1,预热腔室1与传输腔之间的门阀关闭。
如图2所示,作为一种可实施方式,所述升降驱动装置100,包括:安装支架12、直线导轨11、连接件10、以及波纹管9,安装支架12设置于预热设备的预热腔室1的下方,用于固定直线导轨11;直线导轨11安装在安装支架12上,具体的,直线导轨11将电机的转动动力变为直线运动传递到与连接件10上,用于带动连接件10、波纹管9和托架8做上下运动;波纹管9与连接件10相连接,并伸入至所述预热腔室1的内部,具体的,波纹管9的法兰与预热腔室1的底部相连接,且二者之间通过密封圈密封,以保证预热腔室1内部为真空;托架8位于预热设备的预热腔室1内,且与所述波纹管9相连接,托架8上还设置有顶升装置2,该顶升装置2包括至少三个顶针,用于放置托盘3,顶升装置2与托架8之间可以为螺纹连接或者焊接连接。
作为本发明的一种实施方式,预热设备除包括托盘升降装置100和预热腔室1外,还包括设置与预热腔室1上方的石英窗7、加热灯6以及安装在加热灯的上罩体5。其中,石英窗7密闭透光且内部为真空,当需要对托盘3进行预热时,升降机构升起,机械手待预热的托盘3从传片口1a中传入预热腔室1内的顶升装置2上,然后托盘升降装置100可带着托盘3升到通过实验得到的较好的工艺位置进行预热。
如图3和图4所示,本实施例的冷却承载元件13包括至少两个托座,所述预热腔室1底部的内壁上开设有与所述托座相匹配的凹槽14。当需要对工艺完成后的托盘进程冷却时,托盘升降装置100带动托盘向下运动,此时,托座13落入凹槽14内,托盘3与预热腔室1的底部相接触。预热腔室1的底部内壁上设置有冷却装置,具体的,该冷却装置可以是冷却水道,向冷却水道内充入冷却水,就可以冷却预热腔室1的底部内壁,预热腔室1的底部内壁再以热传导的方式冷却托盘。
本发明的托盘升降装置,通过在现有托架的下部设置冷却承载元件,同时在预热腔室底部的内壁上开设与所述冷却承载元件相匹配的凹槽,当托盘需要冷却时,将托盘放置在所述冷却承载元件上,使托架向下运动,并使托盘与腔体底部相贴合以进行冷却,本发明的托盘升降装置采用热传导的方式对托盘进行冷却,传热效率高,冷却速度快,同时实现了用同一升降装置对两个托盘分别实现加热和冷却的操作,缩短了工艺周期,且易于实施,有效提高了生产效率。
作为本发明的一种实施方式,如图3所示,本实施例的托座包括支撑台131以及折弯状的支撑架132,所述支撑架132用于连接所述托架8与所述支撑台131。具体的,支撑架132的形状为“┌”形或者“C”形,图2中为支撑架132的形状为“┌”形的图示。为使托盘与预热腔室1底部能够有效接触,支撑台131的厚度不大于所述凹槽的深度,这样,支撑台131就可以完全沉入凹槽内。托架8的形状通常为圆形,为保证托盘能够顺利放置在托座上,如图2所示,本实施例将两个托座分别设置在托架8所在圆的直径的两端。此外,支撑台131的尺寸必须足够大,以保证托盘能够平稳放置在支撑台131上。
进一步的,支撑架132与所述托架8之间为螺纹连接或者焊接。冷却承载元件13的材质可以为不锈钢、铝等耐腐蚀的材料。另外,冷却承载元件13与托架8的材料可以根据两者的连接方式确定,例如,托架8一般为不锈钢材质,若托架8与冷却承载元件13为焊接连接,则冷却承载元件13材料也选用不锈钢;若连接方式为螺纹连接,则两者可采用不同的材料。
如图2所示,本实施例还提供一种预热设备,包括上述的托盘升降装置,所述预热设备,还包括:设置于所述预热腔室1上方的石英窗7、加热灯6以及与用于安装所述加热灯6的上罩体5,其中:石英窗7密闭透光且内部为真空;所述预热腔室1底部的内壁上开设有与所述冷却承载元件13相匹配的凹槽14,当所述托架8向下运动时,所述冷却承载元件13落入所述凹槽14内。
进一步的,所述冷却承载元件13的高度不大于所述凹槽14的深度。
进一步的,所述冷却承载元件13的高度满足当所述冷却承载元件13落入所述凹槽14内时,所述顶升装置2上的托盘与所述传片口1a对齐。
本实施例还提供一种使用上述预热设备的托盘升降装置的高温托盘的冷却方法方法,如图5所示,包括:
步骤101、机械手将当前待预热的托盘传入所述预热腔室中预热时间t后,将预热后的托盘取出传到工艺腔,同时机械手将下一个待预热的托盘传入所述预热腔室中等待预热;
首先,机械手将准备进行预热的第一托盘传到预热腔室设备的顶升装置上方,托盘升降装置的升降驱动装置升起,第一托盘放到顶针上,然后机械手退出预热设备,预热设备的门阀关闭。待预热的第一托盘在预热腔室中预热时间t后,将预热后的第一托盘取出传到工艺腔,具体的,取出第一托盘时,升降驱动装置运动至取盘位置,预热腔室的门阀打开,机械手伸到第一托盘的下方、托架的上方,升降驱动装置下降,第一托盘就放到了机械手上,机械手带着第一托盘退出预热设备;同时机械手将下一个待预热的第二托盘传入所述预热腔室中等待预热,具体的,机械手将准备进行预热的第二托盘传到预热设备的顶针上方,升降驱动装置升起,第二托盘放到顶针上,然后机械手退出预热设备,预热设备的门阀关闭。
第一托盘送入工艺腔中后进行工艺,例如,沉积ITO薄膜等。
步骤102、所述预热后的托盘在所述工艺腔工艺时间m后,控制所述预热腔室开始对所述下一个待预热的托盘预热时间t,所述预热后的托盘在所述工艺腔内继续工艺直到时间T,其中T=m+t;
将第二托盘传入预热设备中后,在所述第一托盘工艺的后期,对所述第二托盘进行预热,具体的,预热后的第一托盘在所述工艺腔工艺时间m后,控制所述预热腔室开始对所述下一个待预热的第二托盘预热时间t,第一托盘在所述工艺腔内继续工艺直到时间T,其中T=m+t,作为本发明的一种实施方式,t的取值范围为T/5-T/2,即第一托盘工艺的后期的时长通常为工艺总时间的20%-50%。举例来说,若工艺总时长为10分钟,则对第二托盘进行预热可以从工艺开始后第5分钟开始。
步骤103、在所述预热后的托盘工艺完成且所述下一个待预热的托盘预热完成后,机械手将所述预热后的托盘从所述工艺腔内取出,传入所述预热腔室并放置在所述冷却承载元件上,控制所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做下降运动,以使所述预热后的托盘与所述预热腔室的底部内壁相贴合;
具体的,第一托盘工艺完成且第二托盘预热完成后,如图6所示,将从工艺腔中传出来的第一托盘30传入预热设备前,预热腔室中的托架升高到冷却承载元件处于接片的位置,然后机械手将从工艺腔中传出来的第一托盘30传入冷却承载元件的上方,然后,机械手退出预热设备,预热设备的门阀关闭。
接着,如图7所示,升降驱动装置下降,带动托架8及冷却承载元件13将第一托盘30放到预热腔室1的底部,以使第一托盘30与预热腔室1的底部内壁相贴合,此时第一托盘30与预热腔室1底部就可以通过热传导的方式进行热交换。
本实施例的预热腔室的底部内壁上具有冷却装置,该冷却装置可具体设计为冷却水道,向冷却水道内充入冷却水,就可以冷却预热腔室底部内壁以及第一托盘30,第一托盘30以热传导的方式被冷却。
步骤104、机械手将所述下一个待预热的托盘从所述预热腔室中取出传到工艺腔,同时机械手将第三个待预热的托盘传入所述预热腔室中的顶升装置上等待预热,控制所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做上升运动,以使所述冷却承载元件与预热腔室的传片口对齐,机械手取出所述预热后的托盘;
此时,第二托盘刚好位于取盘的位置,机械手将预热好的第二托盘从预热腔室中取出,并传到工艺腔中进行工艺;然后,机械手将待预热的第三托盘传入所述预热腔室中的顶升装置上等待预热;升降驱动装置向上运动至机械手能够取盘的位置,以使冷却承载元件13与预热腔室的传片口对齐,预热设备的门阀打开,机械手伸到冷却后的第一托盘30下方,升降机构下降,第一托盘30就放到了机械手上,机械手带着第一托盘30退出预热腔,预热设备的门阀关闭。
步骤105、将所述第三个待预热的托盘作为当前待预热的托盘,重复执行步骤101-104。
之后,再将第三托盘作为当前待预热的托盘,重复执行步骤101、步骤102、步骤103和步骤104。举例来说,将第三托盘传入预热设备中后,并在所述第二托盘工艺的后期,对所述第三托盘进行预热;在所述第二托盘工艺完成且所述第三托盘预热完成后,将所述第三托盘传到工艺腔中进行工艺;将所述第二托盘放置在所述托座上,并使所述托架向下运动,以使所述第二托盘与预热腔室的底部内壁相贴合;向设置在预热腔室内部的冷却水道内充入冷却水,以冷却预热腔室的底部内壁以及所述第二托盘,然后取出所述第二托盘。
本实施例的工艺方法中,由于加热灯对托盘预热的速度很快,预热时间小于工艺腔室对托盘的工艺时间,即工艺后的托盘传入预热设备底部冷却后,顶针上接收预热的托盘已经预热完毕,并可以传到工艺腔中进行工艺,因此在预热设备中冷却托盘不影响整体的工艺节拍。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种托盘升降装置,设置在预热腔室内,所述预热腔室的底部内壁上具有冷却装置,其特征在于,所述托盘升降装置包括:升降驱动装置、托架、顶升装置以及冷却承载元件,其中:
所述升降驱动装置,与所述托架连接,所述升降驱动装置用于驱动所述托架在预热腔室内做升降运动;
所述顶升装置,设置在所述托架的上表面,所述顶升装置设置用于承载待加热的托盘;
所述冷却承载元件,设置在所述托架的下表面,所述冷却承载元件用于承载工艺后待冷却的托盘;
通过所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做升降运动,使得所述顶升装置或者冷却承载元件与预热腔室的传片口对齐,从而实现机械手从所述传片口向所述顶升装置传输待加热的托盘以及取出加热后的托盘,或者从所述传片口向冷却承载元件传输经过工艺后需要冷却的托盘以及取出冷却后的托盘;
当机械手从所述传片口向冷却承载元件传输经过工艺后需要冷却的托盘后,所述升降驱动装置带动所述托架下降,使承载有需要冷却的托盘的冷却承载元件与所述预热腔室的底部内壁贴合,通过热传导实现对托盘的冷却。
2.根据权利要求1所述的托盘升降装置,其特征在于,所述升降驱动装置,包括安装支架、直线导轨、连接件以及波纹管,其中:
所述安装支架,设置于所述预热腔室外且位于预热腔室的下方;
所述直线导轨,安装在所述安装支架上,用于带动所述连接件和波纹管做竖直运动;
所述波纹管的下部与所述连接件相连接,上部伸入至所述预热腔室的内部,所述托架与所述波纹管相连接,所述波纹管通过连接件与所述直线导轨连接。
3.根据权利要求1所述的托盘升降装置,其特征在于,所述冷却承载元件,包括至少两个托座,均匀分布于所述托架的下表面。
4.根据权利要求3所述的托盘升降装置,其特征在于,所述托座包括支撑台以及折弯状的支撑架,所述支撑架用于连接所述托架与所述支撑台。
5.根据权利要求4所述的托盘升降装置,其特征在于,所述支撑架与所述托架之间为螺纹连接或者焊接。
6.根据权利要求3所述的托盘升降装置,其特征在于,所述托座的材质为不锈钢或者铝。
7.根据权利要求4所述的托盘升降装置,其特征在于,所述支撑架的形状为“┌”形或者“C”形。
8.根据权利要求3-7任一项所述的托盘升降装置,其特征在于,所述托架的形状为圆形,其中两个所述托座分别设置在所述托架所在圆的直径的两端。
9.根据权利要求1所述的托盘升降装置,其特征在于,所述顶升装置为三个顶针。
10.一种预热设备,其特征在于,包括权利要求1-9任意一项所述的托盘升降装置,所述预热设备,还包括:
设置于所述预热腔室上方的石英窗、加热灯以及与用于安装所述加热灯的上罩体,其中:石英窗密闭透光且内部为真空;所述预热腔室底部的内壁上开设有与所述冷却承载元件相匹配的凹槽,当所述托架向下运动时,所述冷却承载元件落入所述凹槽内。
11.根据权利要求10所述的预热设备,其特征在于,所述冷却承载元件的高度不大于所述凹槽的深度。
12.根据权利要求10所述的预热设备,其特征在于,所述冷却承载元件的高度满足当所述冷却承载元件落入所述凹槽内时,所述顶升装置上的托盘与所述传片口对齐。
13.一种采用权利要求10-12任一项所述的预热设备的托盘冷却方法,其特征在于,所述方法,包括下列步骤:
步骤a、机械手将当前待预热的托盘传入所述预热腔室中预热时间t后,将预热后的托盘取出传到工艺腔,同时机械手将下一个待预热的托盘传入所述预热腔室中等待预热;
步骤b、所述预热后的托盘在所述工艺腔工艺时间m后,控制所述预热腔室开始对所述下一个待预热的托盘预热时间t,所述预热后的托盘在所述工艺腔内继续工艺直到时间T,其中T=m+t;
步骤c、在所述预热后的托盘工艺完成且所述下一个待预热的托盘预热完成后,机械手将所述预热后的托盘从所述工艺腔内取出,传入所述预热腔室并放置在所述冷却承载元件上,控制所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做下降运动,以使所述预热后的托盘与所述预热腔室的底部内壁相贴合;
步骤d、机械手将所述下一个待预热的托盘从所述预热腔室中取出传到工艺腔,同时机械手将第三个待预热的托盘传入所述预热腔室中的顶升装置上等待预热,控制所述升降驱动装置带动所述托架在腔室内做上升运动,以使所述冷却承载元件与预热腔室的传片口对齐,机械手取出所述预热后的托盘;
步骤e、将所述第三个待预热的托盘作为当前待预热的托盘,重复执行步骤a-d。
14.根据权利要求13所述的采用权利要求10-12任一项所述的预热设备的托盘冷却方法,其特征在于,所述t的取值范围为T/5-T/2。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104451586B (zh) * 2013-09-18 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 载台升降装置、反应腔室及等离子体加工设备
CN104269369A (zh) * 2014-08-29 2015-01-07 沈阳拓荆科技有限公司 一种通过真空装载腔为晶圆预热的装置及方法
CN104269368A (zh) * 2014-08-29 2015-01-07 沈阳拓荆科技有限公司 一种利用前端模块为晶圆加热的装置及方法
CN109817544B (zh) * 2017-11-20 2021-04-27 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 半导体设备加热冷却复合盘装置
CN108557419A (zh) * 2018-05-31 2018-09-21 君泰创新(北京)科技有限公司 升降机、工艺腔设备及其控制方法
CN111725100B (zh) * 2020-06-16 2023-02-10 北京北方华创微电子装备有限公司 预热装置及预热方法
CN111725101B (zh) * 2020-06-17 2023-11-14 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置及冷却方法
CN113611633B (zh) * 2021-07-21 2023-01-17 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆烘烤腔室及其晶圆预清洁方法
CN116978825B (zh) * 2023-07-31 2024-03-22 宇弘研科技(苏州)有限公司 一种半导体复合冷却盘结构及半导体轨道

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354382A (en) * 1993-02-06 1994-10-11 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Electron cyclotron resonance apparatus comprising wafer cooling pedestal
CN1702023A (zh) * 2004-05-27 2005-11-30 株式会社岛津制作所 基板运载装置及具有该装置的基板处理装置
CN1768413A (zh) * 2003-03-28 2006-05-03 艾克塞利斯技术公司 用于快速热处理的气体冷却的夹具
CN102412176A (zh) * 2010-09-26 2012-04-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘及具有其的晶片处理设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354382A (en) * 1993-02-06 1994-10-11 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Electron cyclotron resonance apparatus comprising wafer cooling pedestal
CN1768413A (zh) * 2003-03-28 2006-05-03 艾克塞利斯技术公司 用于快速热处理的气体冷却的夹具
CN1702023A (zh) * 2004-05-27 2005-11-30 株式会社岛津制作所 基板运载装置及具有该装置的基板处理装置
CN102412176A (zh) * 2010-09-26 2012-04-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘及具有其的晶片处理设备

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