DE4403552A1 - Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Her­ stellung von Halbleitergeräten durch Behandlung eines Wafers unter Verwendung eines Plasmas, und insbesondere eine Elek­ tronencyclotron-Resonanzvorrichtung (ECR: electron cyclotron resonance; Elektronencyclotronresonanz) zur Behandlung eines Wafers mit Plasma, welches unter Verwendung einer Resonanz von Elektronen erzeugt wird.

Im allgemeinen sind ECR-Ätzgeräte Geräte zur Durchführung ei­ nes Ablagerungsvorgangs und eines Ätzvorgangs für Wafer unter Verwendung von Plasma. Sie sollten einen solchen Aufbau auf­ weisen, daß Wafer gekühlt werden können, um eine Erhöhung einer Wafertemperatur infolge einer hohen verwendeten Tempe­ ratur zu verhindern.

Bei konventionellen ECR-Geräten ist eine Kühlvorrichtung in einem Waferständer vorgesehen, auf welchem ein Wafer aufsitzt, um so die Wärme herunterzukühlen, die auf den Wafer von dem heißen Plasma übertragen wird, und so den Anstieg der Wafer­ temperatur zu verhindern.

Während des Ätzens wird der Wafer auf Zimmertemperatur durch die Kühlvorrichtung gehalten. Allerdings tritt bei der Wafer­ temperatur eine Unregelmäßigkeit auf, infolge eines Spaltes, der zwischen dem Wafer und dem Waferständer vorhanden ist, auf welchem der Wafer aufsitzt, und infolge einer irregulä­ ren Temperatur des Waferständers. Dies führt dazu, daß eine Ätzcharakteristik, die sich auf dem Wafer ergibt, irregulär wird, was zu einer schlechten Ätzcharakteristik des Wafers führt.

Ein Vorteil der Erfindung besteht daher in der Lösung der voranstehend genannten Schwierigkeit, die bei dem Stand der Technik auftritt, und in der Bereitstellung einer ECR-Vor­ richtung, welche eine gleichmäßige Temperatur eines Wafers durch Verwendung eines Wärmeübertragungsgases erzielen kann, und hierdurch eine gleichmäßige Ätzcharakteristik des Wafers erhalten kann, sowie eine einfache Kühlung des Wafers erzie­ len kann.

Gemäß der vorliegenden Erfindung lassen sich diese Vorteile durch Bereitstellung einer Elektronencyclotron-Resonanzvor­ richtung erzielen, welche aufweist: einen kreisförmigen Wafer­ ständer, der ein zentrales Loch aufweist sowie einen auf ei­ ner oberen Oberfläche des Waferständers angeordneten O-Ring, und zur Halterung eines Wafers ausgebildet ist; eine Wafer­ hebevorrichtung, die gleitbeweglich in das zentrale Loch des Waferständers eingepaßt und zum Anheben des Wafers ausgebil­ det ist, der auf den O-Ring aufgelegt ist; eine sich in Längs­ richtung erstreckende Hohlwelle, die an ihrem oberen Ende eine nach oben gerichtete Verlängerung aufweist, die zur Auf­ nahme eines unteren Abschnitts der Waferhebevorrichtung aus­ gebildet ist, und einen axialen Kanal für ein Wärmeübertra­ gungsgas zur Übertragung von Wärme von dem Wafer auf ein Kühl­ mittel aufweist, wobei das obere Ende der Hohlwelle einen Spalt gegenüber einem unteren Ende der Waferhebevorrichtung ausbildet; ein Kühlmittel-Umwälzteil, welches in dem Wafer­ ständer vorgesehen und zum Absorbieren der Wärme ausgebildet ist, die an den Waferständer durch das Wärmeübertragungsgas übertragen wird; eine Kühlmittel-Umwälzleitung, die sich in Längsrichtung parallel zur Hohlwelle erstreckt, wobei die Kühlmittel-Umwälzleitung zum Zuführen des Kühlmittels zu dem Kühlmittel-Umwälzteil ausgebildet ist; ein Halterungsgehäuse, welches sowohl die Hohlwelle als auch die Kühlmittel-Umwälz­ leitung umgibt; eine Klemmenhebevorrichtung, die betriebs­ mäßig mit der Hohlwelle verbunden ist und an einem oberen Ende mit mehreren, beabstandeten Klemmen versehen ist, die zum Klemmen des Wafers ausgebildet sind, der auf den Waferstän­ der aufgelegt ist, wenn die Klemmenhebevorrichtung in Verti­ kalrichtung durch eine Vertikalbewegung der Hohlwelle bewegt wird; ein Außengehäuse, welches sowohl das Halterungsgehäuse als auch den Waferständer umgibt, und mit einer Kammer zur Behandlung des auf den Waferständer aufgelegten Wafers durch Plasma versehen ist sowie mit einem Vakuumkanal zum Ablassen des verwendeten Plasmas; und einen Schrittmotor, der zur Ver­ tikalbewegung des Gesamtsystems der Vorrichtung und zur Ein­ stellung einer Vertikalposition des Außengehäuses auf diese Weise ausgebildet ist.

Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch darge­ stellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen. Es zeigt

Fig. 1 eine Aufsicht auf einen Waferständer, welcher ein Teil einer ECR-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung bildet;

Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A′ von Fig. 1 mit einer Darstellung des Gesamtaufbaus der ECR-Vorrichtung;

Fig. 3 eine Ansicht des Waferständers von unten, wobei ge­ zeigt wird, daß Helium als Wärmeübertragungsgas die untere Oberfläche eines Wafers durch den Waferstän­ der erreicht;

Fig. 4 eine Aufsicht auf den Waferständer, mit einer Dar­ stellung einer Kühlwasser-Umwälzleitung zum Kühlen des Waferständers; und

Fig. 5 eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B′ von Fig. 4.

In den Fig. 1 bis 5 ist eine ECR-Vorrichtung gemäß der vor­ liegenden Erfindung gezeigt.

Fig. 1 ist eine Aufsicht auf die ECR-Vorrichtung. Wie aus Fig. 1 hervorgeht, weist die ECR-Vorrichtung einen Waferstän­ der 8 auf, auf welchem ein zu bearbeitender Wafer 4 aufsitzt. Weiterhin weist die ECR-Vorrichtung Klemmen 7 auf, die zum Haltern des Wafers 4 an einem gewünschten Ort während der Bearbeitung ausgebildet sind. Weiterhin weist die ECR-Vor­ richtung eine Klemmenhebevorrichtung 14 auf, um die Klemmen 7 in Vertikalrichtung zu bewegen, um den Wafer 4 zu befesti­ gen, sowie eine Waferhebevorrichtung 16, zur Aufnahme eines Wafers, der in eine Bearbeitungskammer eintritt, durch einen Roboterarm 32 und Aufsetzen des Wafers auf den Waferständer 8. Diese Bauteile werden im einzelnen im Zusammenhang mit Fig. 2 beschrieben.

Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A′ von Fig. 1. Fig. 2 zeigt den Gesamtaufbau der ECR-Vorrichtung, welche so aufgebaut ist, daß sie eine gleichmäßige Tempera­ turverteilung eines Wafers dadurch fördert, daß Helium als Wärmeübertragungsmedium zwischen den Wafer und den Waferstän­ der eingespritzt wird, und hierdurch Wärme von dem Wafer auf den Waferständer 8 übertragen wird.

Der Waferständer 8, auf welchem ein Wafer aufsitzt, weist ein Loch mit vorbestimmten Abmessungen auf. Durch das Loch des Waferständers 8 bewegt sich die Waferhebevorrichtung 16 in Vertikalrichtung. Der Waferständer 8 ist an seiner oberen Oberfläche mit einem O-Ring 31 (Fig. 5) versehen, auf welchen der Wafer aufgelegt wird. Ein Wärmeübertragungsgas wird in Richtung auf die obere Oberfläche des Wafers zugeführt. Das Wärmeübertragungsgas sollte zur Verringerung der Temperatur des Wafers zugeführt werden, da eine Bearbeitungskammer, in welcher der Wafer behandelt wird, im Vakuumzustand gehalten wird.

Zum Zuführen des Wärmeübertragungsgases wie beispielsweise Helium in Richtung auf die untere Oberfläche des Wafers weist die ECR-Vorrichtung den nachstehend geschilderten Aufbau auf.

Eine koaxial zur Waferhebevorrichtung 16 angeordnete Hohl­ welle 15 ist zum Zuführen von Helium durch ihr Inneres vorge­ sehen. Die Hohlwelle 15 weist an ihrem oberen Ende eine Ver­ längerung auf, um gleitbeweglich den unteren Abschnitt der Waferhebevorrichtung 16 aufzunehmen. Ein Spalt 33 wird zwi­ schen dem unteren Ende der Waferhebevorrichtung 16, welches in der Verlängerung aufgenommen ist, und dem oberen Ende der Hohlwelle 15 ausgebildet.

Weiterhin ist die Hohlwelle 15 an ihrem unteren Ende mit einem Heliumrohr-Halterungsteil 12 versehen, welches einen Heliumeinlaß 22 zum Empfang von Helium von einer externen, nicht gezeigten Heliumquelle aufweist. In seinem Inneren ist das Heliumrohr-Halterungsteil 12 mit einem Heliumrohr versehen, welches mit der Hohlwelle 15 verbunden ist. Das Heliumrohr ist in einem vorbestimmten Winkel so angeordnet, daß jede Entladung an seinem Abschnitt verhindert wird, an welchen Hochfrequenz (Radiofrequenz) angelegt wird.

Unterhalb des Heliumrohr-Halterungsteils 12 ist ein Doppel­ hubzylinder 13 angeordnet, um das Heliumrohr-Halterungsteil 12 und daher die Hohlwelle 15 anzuheben. Wenn der Zylinder 13 das Heliumrohr-Halterungsteil 12 anhebt, wird die Hohlwel­ le 15 nach oben bewegt, so daß die Waferhebevorrichtung 16 nach oben bewegt werden kann, um nach einer vorbestimmten Zeit einen Wafer aufzunehmen oder anzuheben.

Am oberen Abschnitt der Hohlwelle 15 ist zumindest eine Hebe­ vorrichtung fest angebracht, um so die Klemmenhebevorrichtung 14 zu bilden, welche zusammen mit der Hohlwelle 15 eine Y- förmige Anordnung darstellt. Wenn ein Wafer einem Ort zuge­ führt wird, an welchem er oberhalb des Waferständers 8 liegt, und zwar durch eine Zufuhrvorrichtung, wird die Hohlwelle 15 durch den Zylinder 13 nach oben bewegt, der zwei Hübe auf­ weist. Durch die nach oben gerichtete Bewegung der Hohlwelle 15 wird die Klemmenhebevorrichtung 14 einmal nach oben bewegt, wodurch bewirkt wird, daß sich die Klemmen 7 nach oben bewe­ gen. Nach Verstreichen eines vorbestimmten Zeitraums wird die Waferhebevorrichtung 16 durch die nach oben gerichtete Bewe­ gung der Hohlwelle 15 nach oben bewegt. Dies geschieht des­ wegen, da der Spalt zwischen dem oberen Ende der Hohlwelle 15 und dem unteren Ende der Waferhebevorrichtung 16 vorgesehen ist.

Mit anderen Worten bewegt sich die Hohlwelle 15 um einen Pri­ märhub des Zylinders 13 nach oben, so daß die Klemmen 7 durch eine Vertikalbewegungs-Übertragungskonstruktion angehoben werden, um so einen Waferaufnahmeweg auszubilden.

Nach Beendigung des voranstehend geschilderten Vorgangs wird der Wafer durch eine Waferzufuhrvorrichtung einem Ort zuge­ führt, an welchem er horizontal in der Bearbeitungskammer angeordnet ist, so daß sein Zentrum zum Zentrum der ECR-Vor­ richtung ausgerichtet ist. Die Bearbeitungskammer wird unter Vakuum gehalten. Bewegt sich die Hohlwelle 15 weiter nach oben infolge eines Sekundärhubs des Zylinders 13, so wird die Waferhebevorrichtung 16, die zentral in dem Waferständer 1 angeordnet ist, angehoben, um den Wafer von der Waferzu­ fuhrvorrichtung zu empfangen. Auf diese Weise kann der von einer äußeren Quelle zugeführte Wafer auf den Waferständer aufgesetzt werden, der in der Bearbeitungskammer angeordnet ist. Nach Beendigung der Bearbeitung wird der Wafer aus der Bearbeitungskammer auf umgekehrte Weise als voranstehend be­ schrieben herausgenommen.

Eine Kühlwasser-Umwälzleitung 23 ist neben der Hohlwelle 15 so angeordnet, daß sie sich vertikal parallel zur Hohlwelle 15 erstreckt. Die Kühlwasser-Umwälzleitung 23 ist an ihrem unteren Ende mit einem Kühlwassereinlaß 27 versehen, der an eine nicht gezeigte, externe Kühlwasserquelle angeschlossen ist. Ein Kühlwasser-Umwälzteil 25 ist unterhalb des Wafer­ ständers 8 angeordnet und an das obere Ende der Kühlwasser- Umwälzleitung 23 angeschlossen. An seiner unteren Oberfläche weist der Waferständer 8 eine Kühlwasser-Umwälzleitung auf, in welcher Kühlwasser umläuft, welches von dem Kühlwasser- Umwälzteil 25 zugeführt wird.

Die Hohlwelle 15 und die Kühlwasser-Umwälzleitung 23 sind von einem T-förmigen Halterungsgehäuse 17 umgeben, welches aus Aluminium hergestellt ist. Zwischen der oberen Oberfläche des Halterungsgehäuses 17 und dem Waferständer 8 ist ein Hebeblock 18 angeordnet, der einen Führungskanal aufweist, der zur Führung der Bewegung der Klemmen-Hebevorrichtung 14 ausgebildet ist. Das Halterungsgehäuse 17 ist elektrisch mit einer nicht gezeigten Hochfrequenzquelle (Radiofrequenzquelle) verbunden. Eine Radiofrequenz, die an das Halterungsgehäuse 17 angelegt wird, fließt entlang dem Aluminium des Halterungs­ gehäuses 17 zu dem Waferständer 8. Die Außenoberfläche des Halterungsgehäuses 17, an welches die Radiofrequenz angelegt wird, ist durch Isolierteile 10 und 19 isoliert. Das Isolier­ teil 10 ist unterhalb des oberen, horizontalen Abschnitts des Halterungsgehäuses 17 vorgesehen, wogegen das Isolierteil 19 so angeordnet ist, daß es den unteren, vertikalen Abschnitt des Halterungsgehäuses 17 umgibt. Eine sich in Vertikalrich­ tung erstreckende Erdungsstange 20 ist vorgesehen, die in Be­ rührung mit der Außenumfangskante des Waferständers 8 steht.

Weiterhin ist eine Pumpleitung 26 vorgesehen, die dazu ausge­ bildet ist, die Bearbeitungskammer in einem Hochvakuumzustand zu halten. Mit anderen Worten dient die Pumpleitung 26 dazu, zu verhindern, daß die Bearbeitungskammer mit dem Atmosphären­ druck in Verbindung tritt, infolge ihrer Pumpfunktion. Die Pumpleitung 26 erstreckt sich in Vertikalrichtung zwischen der Hohlwelle 15, die sich zwischen dem Atmosphärendruck und der Hochvakuum-Bearbeitungskammer hin- und herbewegt, und dem Halterungsgehäuse 17. Am unteren Abschnitt der Hohlwelle 15 ist eine Halterungsplatte 29 angebracht, die dazu ausge­ bildet ist, zum Teil den Kühlwassereinlaß 27, die Pumpleitung 26 und die Hohlwelle 15 abzustützen. Mit der Halterungsplat­ te 29 ist eine Linearführungseinheit 30 gekuppelt, die so aus­ gebildet ist, daß sie die Linearbewegung der Hohlwelle 15 führt. Eine Schraubendruckfeder 11 ist zwischen der Halte­ rungsplatte 29 und dem Heliumrohr-Halterungsteil 12 so ange­ ordnet, daß sie sich in Vertikalrichtung parallel zur Hohl­ welle 15 erstreckt. Die Schraubendruckfeder 11 dient dazu, zu verhindern, daß sich die Hohlwelle 15 nach unten bewegt, in­ folge des in der Bearbeitungskammer herrschenden Hochvakuums.

Die Schraubendruckfeder 11 dient weiterhin dazu, daß die Klemmen 7 einen konstanten Druck auf den Wafer ausüben.

Ein Zufuhrgehäuse 9 ist weiterhin vorgesehen, welches die Isolierteile 10 und 19 umgibt. Ein Kammergehäuse 28 ist me­ chanisch an das Zufuhrgehäuse 9 angeschlossen. Das Kammer­ gehäuse 28 bildet die Bearbeitungskammer zur Behandlung des Wafers in dieser Kammer, und weist einen Vakuumkanal 21 und einen Pumpauslaß 24 auf, um in der Bearbeitungskammer ver­ wendetes Plasma auszustoßen. Durch die mechanische Verbin­ dung zwischen dem Zufuhrgehäuse 9 und dem Kammergehäuse 28 kann das Gesamtsystem der ECR-Vorrichtung gewünschten Orten zugeführt werden.

In Fig. 2 bezeichnet die Bezugsziffer 6 einen Quarzring zum Stützen der Klemmen 7 gegenüber dem Plasma, und die Bezugs­ ziffern 3, 3′ und 3′′ bezeichnen Kugelbuchsen zur Erzielung eines glatten Betriebs des gesamten Zufuhrsystems. Die Be­ zugsziffer 1 bezeichnet einen Schrittmotor zur Erzeugung ei­ ner Antriebskraft zum Antrieb des gesamten Zufuhrsystems, während die Bezugsziffer 2 ein Kupplungsgehäuse bezeichnet.

Nachstehend werden im Zusammenhang mit den Fig. 3 bis 5 die Anordnungen der Heliumleitung an der oberen Oberfläche des Waferständers 8 und der Kühlwasser-Umwälzleitung in der Waferhalterungsform 8 beschrieben.

In Fig. 3 ist die Anordnung der Heliumleitung dargestellt. Wie aus Fig. 3 hervorgeht, erfolgt die Anordnung der Helium­ leitung so, daß ein Heliumgas radial entlang der oberen Ober­ fläche der Waferhalterungsform 8 verteilt wird, wenn die Waferhebevorrichtung 16 angehoben wird.

Fig. 4 zeigt die Anordnung des Kühlwasser-Umwälzteils 25.

Durch das Kühlwasser-Umwälzteil 25 wird Kühlwasser in dem Waferständer 8 umgewälzt. Infolge eines derartigen Kreislaufs des Kühlwassers ist es möglich, ein Phänomen zu verhindern, daß auf dem Wafer vorgesehene Photolacke infolge eines Tem­ peraturanstiegs des Wafers verbrannt werden, der durch Wärme hervorgerufen wird, die vom Plasma auf den Wafer während ei­ nes Ätzens des Wafers übertragen wird.

Wie aus Fig. 5 hervorgeht, welche eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B′ von Fig. 4 ist, sitzt der Wafer auf dem O-Ring 31 auf, der auf der oberen Oberfläche des Wafer­ ständers 8 angeordnet ist, so daß er nicht in Berührung mit dem Waferständer 8 gelangt. Zu diesem Zweck weist der Wafer­ ständer 8 einen Krümmungsradius p von 7300 bis 7500 mm auf, um so den Raum, der zwischen dem Waferständer 8 und dem Wafer vorhanden ist, soweit wie möglich zu verringern. Obwohl dies nicht gezeigt ist, weist der Waferständer 8 an seiner oberen Oberfläche Nuten zur Ausbildung eines gleichförmigen Plasma­ stroms auf.

Infolge der voranstehend geschilderten Konstruktion kann He­ lium zwischen den Wafer und den Waferständer 8 eingespritzt werden. Das eingespritzte Helium überträgt Wärme von dem Wafer auf den Waferständer 8. Die auf den Waferständer 8 übertrage­ ne Wärme wird in dem Kühlwasser aufgenommen, welches in dem Waferständer 8 umläuft, so daß der Waferständer 8 auf diese Weise gekühlt wird.

Wie aus der voranstehenden Erläuterung deutlich wird, kann die ECR-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eine gleichförmige Temperatur erzielen, infolge der Verwendung von Helium, und hierdurch einen Unterschied in der Ätzcharakte­ ristik ausschalten. Weiterhin kann die ECR-Vorrichtung ihren Gesamtaufbau gewünschten Orten zuführen. Dies führt dazu, daß es möglich wird, Halbleitereinrichtungen mit besserer Leistung herzustellen.

Zwar wurden die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung zum Zwecke der Erläuterung beschrieben, jedoch wird Fachleu­ ten auf diesem Gebiet deutlich werden, daß verschiedene Ände­ rungen, Hinzufügungen und Ersetzungen möglich sind, ohne vom Umfang und Wesen der Erfindung abzuweichen, die sich aus der Gesamtheit der vorliegenden Anmeldeunterlagen ergeben, insbe­ sondere den beigefügten Patentansprüchen.

Claims (12)

1. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung, gekennzeichnet durch:
einen kreisförmigen Waferständer, der ein zentrales Loch und einen O-Ring aufweist, der auf einer oberen Oberfläche des Waferständers angeordnet und zum Haltern eines Wafers ausgebildet ist;
eine Waferhebevorrichtung, die gleitbeweglich in das zen­ trale Loch des Waferständers eingepaßt ist und zum Anheben des auf dem O-Ring aufliegenden Wafers ausgebildet ist;
eine sich in Längsrichtung erstreckende Hohlwelle, an deren oberem Ende eine obere Verlängerung vorgesehen ist, die zur Aufnahme eines unteren Abschnitts der Waferhebe­ vorrichtung ausgebildet ist, und die einen Axialkanal für ein Wärmeübertragungsgas zur Übertragung von Wärme von dem Wafer auf ein Kühlmittel aufweist, wobei das obere Ende der Hohlwelle gegenüber einem unteren Ende der Wafer­ hebevorrichtung einen Spalt ausbildet;
ein Kühlmittel-Umwälzteil, welches in dem Waferständer vorgesehen und zum Absorbieren der Wärme ausgebildet ist, die auf den Waferständer durch das Wärmeübertragungsgas übertragen wird;
eine Kühlmittel-Umwälzleitung, die sich in Längsrichtung parallel zur Hohlwelle erstreckt, und zum Zuführen des Kühlmittels zu dem Kühlmittel-Umwälzteil ausgebildet ist;
ein Halterungsgehäuse, welches sowohl die Hohlwelle als auch die Kühlmittel-Umwälzleitung umgibt;
eine Klemmenhebevorrichtung, welche betriebsmäßig mit der Hohlwelle verbunden ist, und an einem oberen Ende mit meh­ reren beabstandeten Klemmen versehen ist, die zum Klemmen des auf den Waferständer aufgelegten Wafers ausgebildet sind, wenn die Klemmenhebevorrichtung durch eine Vertikal­ bewegung der Hohlwelle in Vertikalrichtung bewegt wird;
ein Außengehäuse, welches sowohl das Halterungsgehäuse als auch den Waferständer umgibt und mit einer Kammer zur Behandlung des auf den Waferständer aufgelegten Wafers durch Plasma versehen ist, sowie mit einem Vakuumkanal zum Ablassen des verwendeten Plasmas; und
einen Schrittmotor, der zur Vertikalbewegung des Gesamt­ systems der Vorrichtung und zur Einstellung einer Verti­ kalposition des Außengehäuses auf diese Weise ausgebildet ist.

2. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hohlwelle einstückig mit der Klemmenhebevorrichtung ausgebildet ist, so daß sich die Klemmenhebevorrichtung vertikal infolge der Vertikal­ bewegung der Hohlwelle bewegt, wodurch die Klemmen zum Einklemmen des Wafers veranlaßt werden, der auf dem Wafer­ ständer liegt.

3. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Waferständer einen Krüm­ mungsradius zur größtmöglichen Verringerung eines Raums aufweist, der zwischen dem Waferständer und dem Wafer vor­ handen ist.

4. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Klemmen durch einen Quarzring abgedeckt ist, der dazu ausgebildet ist, eine Beschädigung der Klemme durch das Plasma zu verhindern.

5. Elektonencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Waferständer Nuten auf­ weist, die auf einer oberen Oberfläche des Waferständers vorgesehen sind, und zur Ausbildung eines gleichmäßigen Plasmastroms ausgebildet sind.

6. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin eine Pumpleitung vorgesehen ist, die dazu ausgebildet ist, zu verhindern, daß ein Abschnitt der Hohlwelle, der sich in Atmosphären­ druck und einem Hochvakuum bewegt, mit dem Atmosphären­ druck in Verbindung gelangt.

7. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin ein Hebeblock vor­ gesehen ist, welcher die Hohlwelle und die Kühlmittel- Umwälzleitung umgibt, und einen Kanal aufweist, um eine Bewegung der Klemmenhebevorrichtung zuzulassen.

8. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Doppelhubzylinder zur Ver­ tikalbewegung der Hohlwelle vorgesehen ist.

9. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin ein Wärmeübertra­ gungsgasrohr vorgesehen ist, welches mit dem Axialkanal der Hohlwelle in Verbindung steht, und an die Hohlwelle in einem solchen Winkel angeschlossen ist, daß eine Ent­ ladung an einem Abschnitt des Wärmeübertragungsgasrohrs verhindert wird, an welchem Hochfrequenz angelegt wird, und ein Gasrohrhalterungsteil vorgesehen ist, welches zur Halterung eines Verbindungsbereiches zwischen dem Wärme­ übertragungsgasrohr und der Hohlwelle ausgebildet ist.

10. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Krümmungsradius des Wafer­ ständers 7300 bis 7500 mm beträgt.

11. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin eine Feder vorge­ sehen ist, die dazu ausgebildet ist, die Hohlwelle nach unten zu drücken, die in Richtung auf die Bearbeitungs­ kammer angehoben wird, welche unter Hochvakuum gehalten wird, so daß die Klemmen einen vorbestimmten Druck auf den Wafer ausüben, der auf dem Waferständer aufliegt.

12. Elektronencyclotron-Resonanzvorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Feder an einem Ort ange­ ordnet ist, an welchem sie ihre Federkraft auf das Gas­ rohrhalterungsteil ausüben kann.