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박막 트랜지스터를 제조할때, 게이트 모서리에 발생되는 브릿지를 제거하기 위해, 습식식각 및 습식산화를 적용하여, 박막 트랜지스터의 채널 폴리실리콘의 잔유물을 제거하여, 박막 트랜지스터의 특성 및 균일도를 향상시킨다.In manufacturing the thin film transistor, wet etching and wet oxidation are applied to remove the bridges generated at the edges of the gate, thereby removing the residue of the channel polysilicon of the thin film transistor, thereby improving the characteristics and uniformity of the thin film transistor.
Description
박막 트랜지스터 제조방법Thin Film Transistor Manufacturing Method
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제3a도 내지 3c도는 본 발명의 방법에 따라 박막 트랜지스터의 게이트 산화막 상부에 폴리실리콘 잔유물이 제거된 상태를 나타내는 박막 트랜지스터의 단면도.3A to 3C are cross-sectional views of a thin film transistor showing a state in which polysilicon residues are removed on top of a gate oxide film of the thin film transistor according to the method of the present invention.
Claims (4)
박막 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘 산화막(1)상에 게이트 폴리실리콘(2)을 증착하는 단계와, 상기 게이트폴리실리콘(2)상에 게이트 절연막(3)을 형성하고 그 상부에 채널 폴리실리콘(4)을 증착하는 단계와, 상기 채널 폴리실리콘(4) 상의 소정 부분에 감광막(5)을 형성한후, 채널 폴리실리콘(4)의 소정 부분을 습식식각하는 단계와, 잔존하는 감광막(5)을 모두 제거한후, 습식산화를 진행하여 습식산화막(7)을 형성하고 잔존 폴리실리콘(6)을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.In the method for manufacturing a thin film transistor, the method comprises depositing a gate polysilicon 2 on a silicon oxide film 1, forming a gate insulating film 3 on the gate polysilicon 2, and forming a channel polysilicon on the gate polysilicon 2. 4) depositing, forming a photoresist film 5 on a predetermined portion on the channel polysilicon 4, and then wet etching a predetermined portion of the channel polysilicon 4, and remaining photoresist film 5 After removing all of the above, the wet oxidation is performed to form a wet oxide film (7) and removing the remaining polysilicon (6).제 1 항에 있어서, 상기 게이트 폴리실리콘(2)의 두께는 2000Å인것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.2. The method of claim 1, wherein the gate polysilicon (2) has a thickness of 2000 microns.제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막(3)의 두께는 400Å인것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.The method of manufacturing a thin film transistor according to claim 1, wherein the thickness of said gate insulating film (3) is 400 kPa.제 1 항에 있어서, 상기 채널 폴리실리콘(4)의 두께는 500Å인것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.The method of claim 1, wherein the channel polysilicon (4) has a thickness of 500 kW.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019920027084A1992-12-311992-12-31
Thin Film Transistor Manufacturing Method
KR940016926A
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