KR940016488A - 금속박막 적층구조를 사용한 콘택 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속박막 적층구조를 사용한 콘택 형성방법에 관한것으로, 콘택홀의 깊이가 다른 콘택홀에 금속플러그를 형성하는 방법을 노출된 제 1 및 제 2 콘택홀에 텅스텐이 선택적으로 성장할 수 있는 제 1 금속박막과 제 2 금속박막을 증착하고 예정된 부분을 식각하여 제 1 및 제 2 금속박막패턴을 형성하는 공정과, 선택적 텅스텐 성장방법으로 상기 제 2 금속박막패턴 상부에 텅스텐막을 성장시켜 콘택홀의 외부에 텅스텐막이 완전히 매립되도록 하는 공정과, 상기 텅스텐막과 제2및 제 1 금속박막배선을 에치백하되 제 2 절연층 최상부면까지 식각하여 제1 및 제 2 콘택홀에 제1 및 제 2 금속플러그를 형성하는 공정기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 7 도는 본 발명에 의해 금속박막 적층구조를 사용한 콘택 형성단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 제 1 도전층 상부에 제 1 절연층을 증착하고, 예정된 부분에 제 2 도전배선을 형성한 다음, 전체구조 상부에 제 2 절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제 2 절연층을 일정부분 식각하여 제 1 도전층의 노출되는 제 1 콘택홀과 제 2 도전배선이 노출되는 제 2 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 깊이가 다른 제1 및 제 2 콘택홀에 금속을 채워서 금속플러그를 형성하는 단게와, 상기 금속플러그에 접속되는 금속층을 형성하여 하부의 제 1 도전층과 제 2 도전층에 콘택시키는 콘택 제조방법에 있어서, 상기 금속플러그를 형성하는 것은 노출된 제1 및 제 2 콘택홀에 텅스텐이 선택적으로 성장할 수 있는 제 1 금속박막과, 제 2 금속박막을 증착하고 예정된 부분을 식각하여 제1 및 제 2 금속박막패턴을 형성하는 공정과, 선택적 텅스텐 성장방법으로 상기 제 2 금속박막패턴 상부에 텅스텐막을 성장시켜 콘택홀의 외부에 텅스텐막이 완전히 매립되도록 하는 공정과, 상기 텅스텐막과 제2 및 제 1 금속박막패턴을 에치백하되 제 2 절연층 최상부면까지 식각하여 제1 및 제 2 콘택홀에 제1 및 제 2 금속플러그를 형성하는 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속박막 적층구조를 사용한 콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속박막은 Ti막, 코발트막, 또는 플라타늄막으로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속박막 적층구조를 사용한 콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속박막은 TiN막, 실리콘막 또는 티타늄 텅스텐막으로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속박막 적층구조를 사용한 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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