KR940009758A - 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법 - Google Patents

산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940009758A
KR940009758A KR1019920018473A KR920018473A KR940009758A KR 940009758 A KR940009758 A KR 940009758A KR 1019920018473 A KR1019920018473 A KR 1019920018473A KR 920018473 A KR920018473 A KR 920018473A KR 940009758 A KR940009758 A KR 940009758A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
residue
plasma
etching
oxide etching
remove residue
Prior art date
Application number
KR1019920018473A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950004971B1 (ko
Inventor
김재정
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019920018473A priority Critical patent/KR950004971B1/ko
Publication of KR940009758A publication Critical patent/KR940009758A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950004971B1 publication Critical patent/KR950004971B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 산화막 건식 식각후 잔류물 제거 방법에 관한 것으로 실리콘 기판이 노출되는 산화막 건식 식각후 잔류물을 제거한 것이다. 종래에는 CFx-폴리머는 제거할 수 있으나 SiOyCz는 제거할 수 없어 열산화가 되지않고 정션 리키지가 증가하였다. 반면 본 발명은 CF4/O2플라즈마 또는 HBr/Cℓ2플라즈마로 에치하고 BOEdyddor 또는 HF용액으로 크리닝하여 잔류물을 완전 제거하였다. 따라서 열산화가 잘되고 정션 리키지도 감소하였다.

Description

산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 일반적인 산화막 오버에치후 잔류물 스펙트라 특성도,
제2도는 본발명에 따른 건식 크리닝후의 잔류물 스펙트라 특성도,
제3도는 본발명에 따른 건식+습식 크리닝후의 잔류물 스펙트라 특성도,
제4도는 본발명에 따른 소수 캐리어 라이프 타임 특성도.

Claims (5)

  1. 실리콘 기판이 드러나도록 산화막을 식각한 후 CHF계열과, O2플라즈마의 혼합가스로 에치하여 잔류물을 제거함을 특징으로 하는 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, CHF 계열보다 O2의 양을 많게 함을 특징으로 하는 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 에치의 깊이를 30-200Å으로 함을 특징으로 하는 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 에치후 불산용액(BOE) 또는 HF용액으로 크리닝함을 특징으로 하는 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, HBr/cℓ2플라즈마 혼합가스로 에치함을 특징으로 하는 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920018473A 1992-10-08 1992-10-08 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법 KR950004971B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920018473A KR950004971B1 (ko) 1992-10-08 1992-10-08 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920018473A KR950004971B1 (ko) 1992-10-08 1992-10-08 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940009758A true KR940009758A (ko) 1994-05-24
KR950004971B1 KR950004971B1 (ko) 1995-05-16

Family

ID=19340822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920018473A KR950004971B1 (ko) 1992-10-08 1992-10-08 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950004971B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272264B1 (ko) * 1996-12-30 2000-12-01 김영환 반도체 소자의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272264B1 (ko) * 1996-12-30 2000-12-01 김영환 반도체 소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR950004971B1 (ko) 1995-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960030451A (ko) 확산마스크 및 그것을 이용한 pn접합소자의 제조방법
KR970064824A (ko) 연마 공정 후처리용 세정용액 및 그를 이용하는 세정방법
US3909325A (en) Polycrystalline etch
DE69841902D1 (de) Hochselektiver ätzprozess für oxide
KR950024017A (ko) 선택적 식각방법
US6544860B1 (en) Shallow trench isolation method for forming rounded bottom trench corners
KR970008397A (ko) 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법
KR940009758A (ko) 산화막 건식 식각후 잔류물 제거방법
KR19990075921A (ko) 피식각막 식각방법
JPS5530826A (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR960001910A (ko) 반도체 소자의 식각 피해영역 제거방법
KR950027976A (ko) 반도체 소자의 트렌치 세정 방법
KR930020600A (ko) 폴리실리콘의 식각후 발생되는 폴리머 제거방법
JPH09283484A (ja) ウエハの洗浄方法
KR960015485B1 (ko) 장벽금속의 풋 제거 방법
KR960042962A (ko) 반도체 소자의 금속배선용 콘택홀 형성방법
KR100205096B1 (ko) 반도체 소자의 감광막 제거방법
KR980005578A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR920010767A (ko) 플라즈마 식각에 기인한 다결정 실리콘 및 내화성 금속 실리사이드의 측벽중합체 제거방법
KR960026581A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성방법
KR980005550A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
JPH118303A (ja) 半導体装置の製造方法
KR960019606A (ko) 반도체 소자의 폴리사이드 게이트 전극 형성 방법
KR960019560A (ko) 폴리실리콘막 세정 방법
KR930014817A (ko) 반도체 기판의 과식각 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100423

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee