KR940009148B1 - 액티브 매트릭스 액정의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 액티브 매트릭스 액정의 단면도.
제2도는 본 발명의 액티브 매트릭스 액정의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 용장성 게이트 버스라인
3 : 게이트 버스라인 4 : 게이트 절연체
5 : 반도체소자 6 : 소오스 버스라인
7 : 드레인 8 : 화소
9 : 옴 접촉층 10 : 광 차폐층
11 : 비활성층
본 발명은 액티브 매트릭스 액정의 제조방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스(Active matrix) 액정은 고화질을 얻을 수 있어서 고급 사무자동화용 디스플레이나 테레비젼용 디스플레이에 사용 가능하다.
종래의 액티브 매트릭스 액정은 제1도에 도시된 바와 같이 게이트 버스라인(3)이 하나의 층으로 구성되어 있어서 게이트 버스라인이나 소오스 버스라인에 단선이 발생하면 선결함(line defect)이 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 2층의 게이트 버스라인이 되도록 게이트 버스라인 밑에 같은 모양의 용장성(Redundancy) 버스라인을 형성하여 게이트 버스라인의 단선에 의한 선결함을 제거하는데 본 발명의 목적이 있다.
이하에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
제2도에 도시된 바와 같이 게이트 버스라인(3) 밑에 용장성 버스라인(2)을 같은 모양으로 만들면 2층의 게이트 버스라인이 형성되므로 게이트 버스라인(3)에 단선이 발생하여도 용장성 버스라인(2)으로 신호가 전달되어서 선결함은 발생하지 않는다.
액티브 매트릭스 액정의 제조방법은 다음과 같다.
먼저 알칼리 프리(Alkali) 기판(1) 위에 용장성 게이트 버스라인(2)을 형성하기 위해 투명도전막을 스퍼터링(Sputtering)으로 중착하고 투명도전막위에 게이트 버스라인(3)을 형성하기 위해 게이트 메탈을 역시 스퍼터링으로 증착한다.
게이트 메탈이 증착된 게이트 버스라인(3) 위에 포토레지스트를 코팅하고, 사진 식각술을 이용하여 용장성 게이트 버스라인(2)과 게이트 버스라인(3)을 연속적으로 에칭한 후 포토레지스트를 제거한다. 기판(1)상에 형성된 용장성 게이트 버스라인(2)과 게이트 버스라인(3) 위에 게이트 절연체(4)와 반도체소자(5)와 옴 접촉층(Ohmic contact layer)을 연속적으로 증착하고, 그 위에 포토레지스트를 코팅한 후 사진식각술을 이용해 실리콘 아일랜드(5)를 형성하고, 포토레지스트를 제거한다.
다음에, 소오스(6)와 드레인 메탈(7)을 전체적으로 증착하고, 그 위에 포토레지스트를 코팅한 후 사진식각술을 이용하여 소오스 드레인의 패턴을 형성하며, 포토레지스트를 제거한 후 채널 부분에 남아있는 옴 접촉층(9)을 에칭한다.
광차폐층(10)을 형성한 후 비활성층(11)을 형성하므로써 액티브 매트릭스 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)를 얻을 수 있다.
상기한 제조방법으로 액티브 매트릭스 액정을 제조하면, 단선에 의한 선결함을 현저히 감소시킬수 있어 액티브 매트릭스 액정의 생산성을 높일 수 있다.
Claims (1)
- 한층의 게이트 버스라인(3)으로 된 액티브 매트릭스 액정에 있어서, 2층의 게이트 버스라인이 되도록 상기의 게이트 버스라인(3) 밑에 용장성 게이트 버스라인(2)을 형성하여 단선에 의한 선결함을 방지하도록 하기의 스텝(가-자)으로 제조되어지는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정의 제조방법. (가) 알칼리 프리기판(1) 위에 용장성 게이트 버스라인(2)을 형성하기 위해 투명도전막을 스퍼터링으로 중착하고 ; (나) 게이트 버스라인(3)을 형성하기 위해 용장성 게이트 버스라인(2) 위에 게이트 금속을 스퍼터링으로 증착하며 ; (다) 게이트 금속이 증착된 게이트 버스라인(3) 위에 포토레지스트를 전체적으로 코팅하고 ; (라) 사진식각술을 이용해서 게이트 메탈과 투명도전막을 차례로 에칭한 후 포토레지스트를 제거하여 용장성 게이트 버스라인(2)과 게이트 버스라인(3)를 만들며 ; (마) 만들어진 용장성 게이트 버스라인(2)과 게이트 버스라인(3) 위에 게이트 절연체(4)와 반도체소자(5)와 옴 접촉층(9)을 차례로 증착한 후 포토레지스트를 코팅하고 ; (바) 사진식각술을 이용해 실리콘 아일랜드(5)를 만든 후 포토레지스트를 제거하며 ; (사) 만들어진 실리콘 아일랜드(5) 위에 소오스(6)와 드레인 금속(7)을 전체적으로 증착한 후 포토레지스트를 코팅하고 ; (아) 사진식각술을 이용해 소오스-드레인의 패턴을 형성한 후 포토레지스트를 제거하고, 채널부분에 남아있는 옴 접촉층(9)을 에칭하며 ; (자) 옴 접촉층(9) 위에 광차폐층(10)을 형성하고, 광차폐층(10) 위에 비활성층(11)을 형성한다.
Priority Applications (1)
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| KR1019870004256A KR940009148B1 (ko) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 액티브 매트릭스 액정의 제조방법 |
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Family
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1987
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