KR940006282A - 반도체 억제기 - Google Patents

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KR940006282A
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루셀 이. 바우만
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Abstract

본 발명은 향상된 반도체 억제기와 이와같은 장치들을 제조하는 방법에 관한 것이다. 적어도 기판의 일부가 억제기 제조공정동안 대체된다는 사실애 기인하여, 슬라이스의 실제 두께보다 작은 유효 두께를 갖는 기판을 구비한 억제기를 제조하는 것이 가능하다. 이로써 제조 공정중에 거의 고장나지 않는 양호한 기능을 갖는 억제기가 제공된다.

Description

반도체 억제기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 양방향성 과도현상 억제기의 기본 구조를 도시한 단면도,
제2A-2I도는 본 발명의 제1의 양상에 따른 과도현상 억제기의 제작을 보여주는 단면도,
제3도는 본 발명의 제2의 양상에 따른 과도현상 억제기의 단면도,
제4도는 본 발명의 제3의 양상에 따른 과도현상 억제기의 단면도.

Claims (15)

  1. 기판의 윗면과 밀면이 제1의 전도형 재료로 구성된 두개의 에지표면을 기판을 준비하는 단계와, 상기 밑면 또는 윗면상에 기판내의 대체 영역을 형성하는 단계와; 상기 대체 영역의 반대 표면상에 상기 기판내의 상기 제1의 전도형 재료로 구성된 제1의 확산 영역을 형성하는 단계와; 기판의 상기 윗면 및 면면상에 제2의 전도형 재료로 구성된 제2 및 제3의 확산 영역을 형성하는 단계와; 제1의 확산 영역과 동일한 표면상에 및 상기 제2 및 제3의 확산 영역중 한 영역내의 상기 제1의 전도형 재료로 구성된 제4의 확산 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사이리스터 장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 대체 영역 단계는 제2의 전도형 재료로 구성된 영역을 형성하여 제1의 전도형 재료로 구성된 기판의 캐리어 흐름 경로의 유효 두께를 감소하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사이리스터 장치 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1의 전도형 재료로 구성된 기판의 캐리어 흐름 경로의 유효 두께는 10 mils 보다 작은 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 사이리스터 장치 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 대체 영역 형성 단계는 상기 두개의 에지 표면상에 제2의 전도형 재료로 구성된 제5의 확산 영역을 형성하는 단계를 포함한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사이리스터 장치 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 대체 영역 형성 단계는 상기 기판내에 요면을 형성하는 단계를 포함한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사이리스터 장치 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 대체 영역 형성 단계는 기판내에 요면을 형성하는 단계를 추가로 포함한 것을 특징으로 하는 사이리스터 장치 제조 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제1의 전도형 재료는 N형 재료이고, 상기 제2의 전도형 재료는 P형 재료인 것을 특징으로 하는 사이리스터 장치 제조 방법.
  8. 제1의 전도형 재료로 구성된 기판을 갖는 하나이상의 사이리스터 장치를 포함하고, 최소한 상기 기판의 일부는 제2의 전도형 재료로 대체되는 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
  9. 제8항에 있어서, 제2의 전도형 재료로 대체된 상기 기판의 일부는 기판내로 도우펀트가 확산하므로써 생성되고 이로써 상기 기판내의 캐리어 흐름 경로의 유효 두께가 감소되는 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
  10. 제8항에 있어서, 제2의 전도형 재료로 대체된 상기 기판의 일부는 기판내에 요면을 에칭하므로써 생성되고 이로써 상기 기판내의 캐리어 흐름 경로의 유효 두께가 감소되는 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
  11. 제8항에 있어서, 상기 기판의 또다른 부는 제2의 전도형 재료로 대체되는 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
  12. 제8항에 있어서, 제2의 전도형 재료로 대체된 상기 기판의 일부는 기판내에 요면을 에칭하고 기판내로 도우펀트를 확산시킴으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
  13. 제8항에 있어서, 상기 억제기는 양방향성 과도현상 억제기인 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
  14. 제8항에 있어서, 상기 억제기는 양방향성 과도현상 억제기는 억제기가 양극성에 대해 과도현상 보호를 제공하도록 배열된 두개의 사이리스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
  15. 제13항에 있어서, 상기 양방향성 과도현상 억제기는 다이오드 장치를 포함하여 다이오드 장치가 한 극성에 대한 과도현상 보호를 제공하고 사이리스터가 다른 극성에 과도현상 보호를 제공하도록 하는 것을 특징으로 하는 과도현상 억제기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930013107A 1992-07-15 1993-07-13 고체억제기 KR100322288B1 (ko)

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