KR940006204A - 연마장치 및 반도체 웨이퍼의 평탄화방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 연마장치 및 반도체 웨이퍼의 평탄화방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
이를 위해, 본 발명은, 반도체기판상에 도전막을 형성하는 공정과, 상기 도전막을 선택적으로 제거해서 상기 반도체기판상에 오목부에 형성하는 공정, 상기 오목부의 깊이보다 적어도 더 큰 높이로 상기 도전막상에 절연막을 형성하는 공정 및, 상기 도전막을 스톱퍼로서 사용하고 산화세륨을 함유하는 연마천을 사용하여 절연막을 연마하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제19도(A)내지 제19도(F)는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체장치의 제조방법의 각 공정에서의 반도체 구조의 단면도.
Claims (30)
- 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막을 적어도 부분적으로 제거하기 위해 산화세륨을 함유하는 연마천를 사용하여 상기 절연막을 연마하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 물결모양의 표면을 갖춘 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 표면을 평탄화하기 위해 산화세륨을 함유하는 연마천을 사용해서 상기 절연막을 연마하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화세륨을 함유하는 연마천는 산화세륨을 함유하는 수성 서스펜션인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 산화세륨을 함유하는 연마천의 입자는 최대 지름이 44μm이하인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 주원료 이외에 다른 재료를 100ppm이하의 농도로 함유하는 연마천를 사용하여 반도체기판상에 형성된 막을 연마 및 평탄화하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 연마천의 주원료가 SiO2와 H2O 또는 CeO2와 H2O중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 연마천의 주원료가 Na, Mg, Al, K, Ca, Ti, Cr, Fe, Ni, Zr, W, Pb, fh, U및 이들 금속의 화합물중에서 선택된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 반도체기판상에 형성되어 연마될 목표막의 물결모양 표면 위에 상기 연마될 목표막의 연마속도보다 낮은 연마속도를 갖는 스톱퍼막을 형성하는 공정과, 상기 연마될 목표막을 평탄화하기 위해 상기 스톱퍼막이 형성되어 있는 반도체기관 표면을 연마하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 반도체기판상에 도전막을 형성하는 공정과, 상기 도전막을 선택적으로 제거해서 상기 반도체기판상에 오목부를 형성하는 공정, 상기 오목부의 깊이보다 적어도 더 큰 높이로 상기 도전막상에 절연막을 형성하는 공정 및, 상기 도전막을 스톱퍼로서 사용하고 산화세륨을 참유하는 연마천을 사용하여 절연막을 연마하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 평탄화방법.
- 반도체기판상에 배선부를 선택적으로 형성하는 공정과, 상기 배선부를 지탱하는 상기 반도체기판 위에 절연막을 형성하는 공정, 상기 절연막상에 도전막을 형성하는공정, 상기 절연막과 도전막을 선택적으로 제거하여 상기 배선부가 노출되도록 상기 반도체기판상에 오목부를 형성하는 공정, 상기 도전막상에 상기 오목부의 깊이보다 적어도 더 큰 높이로 배선재료를 퇴적시키는 공정 및, 상기 절연막과 상기 도전막을 평탄화하기 위해 상기 도전막과 스톱퍼층으로 사용하고 산화세륨을 함유하는 연마천를 사용하여 상기 도전막과 상기 절연막을 연마하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 평탄화방법.
- 반도체기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막상에 배선부를 선택적으로 형성하는 공정, 상기 배선부상에 다음 공정에서 제2절연막으로 처리될 비정질 Si막을 형성하는 공정, 상기 비정질 Si막상에 상기 배선부의 높이보다 더 큰 높이로 제3절연막을 형성하는 공정, 상기 제3절연막과 상기 비정질 Si막을 평탄화하기 위해 상기 비정질 Si막을 스톱퍼층으로 사용하고 산화세륨을 함유하는 연마천를 사용하여 상기 제3절연막과 상기 비정질 Si막을 연마하는 공정 및, 상기 비정질 Si막을 상기 제2절연막으로 변환하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 평탄화방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 스톱퍼로서 사용되는 상기 도전막이 폴리 Si, 비정질 Si, 질화티탄, 실리사이드막 또는 탄소로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 평탄화방법.
- 반도체장치의 기판상에 형성된 목표층을 연마하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 목표층을 연마하는 공정 이전의 연마동작을 위한 스톱퍼로서 탄소막을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 반도체장치의 기판상에 형성된 목표층을 연마하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 목표층을 연마동작동안 연마천가 높이는 표면판 사이의 마찰을 검출하는 공정와, 상기 검출된 마찰을 기초로 상기 목표층의 연마속도를 계산하는 공정, 시간에 따라 연마속도를 적분해서 상기 목표층의 연마정도를 결정하는 공정 및, 상기 목표층의 연마정도가 소정치로 되면 연마동작을 종료함과 더불어 상기 목표층이 어느 정도 연마되었는지를 판정하기 위해 상기 마찰을 검출하는 수단의 동작도 종료하는 공정로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 반도체장치의 기판상에 형성된 목표층을 연마하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 목표층과 연마동작동안 연마천가 놓이는 표면판 사이에서 실행된 축적된 작업량을 계산하는 공정과, 상기 축적된 작업량이 소정치에 도달되면 연마동작을 종료함과 더불어 단위시간당 실행된 작업량을 검출하고 상기 작업량을 시간에 따라 축적하는 수단의 동작도 종료하는 공정로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 단위시간당 실행된 마찰과 작업량이 상기 표면판을 구동시키기 위한 구동모터에 의해 실행된 작업량을 검출함으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제16항에 있어서, 상기 구동모터가 전기모터이고, 상기 구동모터에 의해 실행된 작업량이 전기모터를 통해서 흐르는 잔류을 검출함으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제14항 또는 제15항 또는 제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 목표층이 주원료로서 SiO2를 함유하고, 상기 연마천가 주원료로서 산화세륨을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 연마동작동안 반도체 웨이퍼를 연마하기 위해 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 인가되는 부하의 절대치를 검출하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 화학적 및 기계적 평탄화장치.
- 제19항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼에 인가되는 부하의 절대치를 검출하는 수단이 장치의 회전샤프트에서의 스트레인을 검출하는 수단인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 화학적 및 기계적 평탄화장치.
- 제19항에 있어서, 회전샤프트에서 검출된 디스토션을 전기적 신호로 변환할 수 있는 디스토션 감지기를 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 화학적 및 기계적 평탄화장치.
- 연마천이 설치된 턴테이블과; 상기 테이블과는 반대쪽에 위치되어 목표 1대살의 연마될 표면이 상기 연마판과 접하도록 상기 목표대상을 고정시키는 고정수단; 상기 고정수단과 상기 테이블이 소정 압력하에서 유지되고 상기 연마판과 상기 목표대상의 표면이 서로 대응해서 미끄러져 이동되어 상기 목표대상이 연마될 때에 상기 연마판과 상기 연마대상의 표면 사이에서 발생된 마찰의 제1레벨과, 소정의 시간후에 상기 연마판과 상기 연마대상의 표면 사이에서 발생된 마찰의 제2레벨을 검출하는 제수단 ; 상기 마찰의 제2레벨에 대한 제1레벨의 비율을 계산하는 산술부 및; 상기 비율을 기초로 열화된 연마판의 손칠동작을 수행하기 위한 타이밍을 결정하는 제2수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마판이 설치된 턴테이블과; 상기 테이블과는 반대쪽에 위치되어 목표대상의 연마될 표면이 상기 연마판과 접하도록 상기 목표대상을 고정시키는 고정수단; 상기 고정수단과 상기 테이블이 소정 압력하에서 고정되고 상기 연마판과 상기 목표대상의 표면이 서로 대응해서 미끄러져 이동되어 상기 목표대상이 연마될 때에 상기 연마판과 상기 연마대상의 표면 사이에서 발생된 마찰의 제1레벨과, 소정의 시간후에 상기 연마판과 상기 연마대상의 표면 사이에서 발생된 마찰의 제2레벨을 검출하는 제1수단; 상기 마찰의 제2레벨에 대한 제1레벨의 비율을 계산하는 산술부 및; 상기 비율을 기초로 상기 연마판을 새로운 것으로 교체하기 위한 타이밍을 결정하는 제2수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마판이 설치된 턴테이블과; 상기 테이블과는 반도체쪽에 위치되어 목표대상의 연마될 표면이 상기 연마판과 접하도록 상기 목표대상을 고정시키는 고정수단; 상기 고정수단과 상기 테이블이 소정 압력하에서 고정되는 상기 연마판과 상기 목표대상의 표면이 서로 대응해서 미끄러져 이동되어 상기 목표대상이 연마될 때에 상기 연마판과 상기 연마대상의 표면 사이에서 발생된 마찰의 제1레벨과, 소정의 시간후에 상기 연마판과 상기 연마대상의 표면 사이에서 발생될 마찰의 제2레벨을 검출하는 제1수단; 상기 마찰의 제2레벨에 대한 제1레벨의 비율을 계산하는 산술부; 상기 비율을 기초로 열화된 연마판의 손질동작을 수행하기 위한 타이밍을 결정하는 제2수단 및; 상기 비을을 기초로 상기 연마판을 새로운 것으로 교체하기 위한 타이밍을 결정하는 제3수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 테이블에 연마판을 설치하고 고정수단 밑에서 연마될 목표대상의 표면이 상기 연마판과 접하도록 상기 목표대상을 고정시키는 공정와; 상기 테이블과 상기 고정수단을 회전시키는 공정; 상기 고정수단과 상기 테이블이 소정 압력하에서 고정되고 상기 연마판과 상기 연마될 표면이 서로 대응해서 미끄러져 이동됨과 더불어 상기 연마판에 연마천를 공급함으로써 상기 목표대상을 연마하는 공정; 상기 연마판과 상기 연마될 표면 사이에서 발생된 마찰의 제1레벨을 검출하는 공정; 소정 시간이 경과한 다음에 상기 연마판과 상기 연마될 표면 사이에서 마찰의 제2레벨을 검출해서 마찰의 제2레벨에 대한 제1레벨의 비율을 계산하는 공정; 상기 비율을 기초로 적어도 열화된 연마판의 손질타이밍이나 상기 연마판의 교체타이밍을 결정하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 연마판이 설치된 턴테이블과; 상기 테이블과는 반대쪽에 위치되어 목표 대상의 연마될 표면이 상기 연마판과 접하도록 상기 목표대상을 고정시키는 고정수단; 상기 고정수단과 상기 테이블이 소정 압력하에서 고정되는 제1동작조건에서 상긴 연마판과 상기 상기 목표대상의 표면이 서로 대응해서 미끄러져 이동되어 상기 목표대상이 연마될 때에 상기 연마판과 연마대상의 표면 사이에서 발생된 마찰의 제1레벨과, 소정의 시간후에 상기 연마판과 상기 연마대상의 표면 사이에서 발생된 마찰의 제2레벨을 검출하는 제1수단; 마찰의 제2레벨에 대한 제1레벨의 비율을 계산해서 상기 목표대상이 상기 제1동작조건하에서 연마되는 정도와 동일한 상기 목표대상의 연마정도를 달성하기 위해 상기 비율을 기초로 제2동작조건을 결정하는 산술수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 테이블에 연마판을 설치하고 고정수단 밑에서 연마될 목표대상의 표면이 상기 연마판과 접하도록 상기 목표대상을 고정시키는 공정와; 상기 테이블과 상기 고정수단을 회전시키는 공정; 상기 고정수단과 상기 테이블이 소정 압력하에서 고정되고 상기 연마판과 상기 연마될 표면이 서로 대응해서 미끄러져 이동됨과 더불어 상기 연마판에 연마천을 공급함으로써 제1동작조건하에서 상기 목표대상을 연마하는 공정; 상기 연마판과 상기 연마될 표면 사이에서 발생된 마찰의 제1레벨을 검출하는 공정; 소정 시간이 경과한 다음에 상기 연마판과 상기 연마될 표면 사이에서 마찰의 제2레벨을 검출하는 공정, 마찰의 제2레벨에 대한 제1레벨의 비율을 계산하는 공정 및; 상기 목표대상이 상기 제1동작조건하에서 연마되는 정도와 동일한 상기 목표대상의 연마정도를 달성하기 위해 상기 비율을 기초로 제2동작조건을 결정하는 공정를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 제1동작조건이 연마시간과 연마동작 동안의 압력 및 단위시간당 회전수중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 연마장치 또는 연마방법.
- 제26항 또는 제28항에 있어서, 상기 제2동작조건이 연마시간과 연마동작 동안의 압력 및 단위시간당 회전수중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 연마장치 또는 연마방법.
- 연마판에 설치된 표면판과, 테이블과는 반대쪽에 위치되어 목표대상의 연마될 표면이 상기 연마판과 접하도록 상기 목표대상을 고정시키는 고정수단을 구비하여 이루어지고, 상기 고정수단과 상기 테이블이 소정 압력하에서 고정되고 상기 연마판과 상기 목표대상의 표면이 서로 대응되게 미그러져 이동됨과 더불어 상기 연마판에 연마천가 공급되고 또한 상기 연마관에 표면활성제가 공급됨으로써 상기 연마대상이 연마되는 것을 특징으로 하는 연마장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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