KR940006181A - 제어시스템 - Google Patents

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KR940006181A
KR940006181A KR1019930007916A KR930007916A KR940006181A KR 940006181 A KR940006181 A KR 940006181A KR 1019930007916 A KR1019930007916 A KR 1019930007916A KR 930007916 A KR930007916 A KR 930007916A KR 940006181 A KR940006181 A KR 940006181A
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KR1019930007916A
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시게루 가사이
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가자마 요시키
테루 바리안 가부시키 가이샤
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B13/00—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion
    • G05B13/02—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric
    • G05B13/04—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric involving the use of models or simulators
    • G05B13/041—Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric involving the use of models or simulators in which a variable is automatically adjusted to optimise the performance

Abstract

제어시스템은, 반도체웨이퍼 온도제어기구와 같은 제어대상에 주어지는 제어입력과 이 제어대상의 출력에 의거하여 제어대상의 제1상태량을 추정하는 제1추정부와, 제어입력에만 의거하여 제어대상의 제2상태량을 추정하는 제2추정부와, 제1및 제1추정부를 선택하는 전환부와, 제1및 제2추정부로부터의 상태량을 제어대상의 입력부에 피드백하여 제어입력을 조정하는 서보부에 의해 구성된다.

Description

제어시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 제어시스템의 블록도,
제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제어시스템의 블록도,
제3도는 제2도의 실시예에 대응하는 제어시스템의 블록도.
제4도는 본 발명의 제어시스템을 사용한 웨이퍼 온도제어장치의 구성을 나타낸 도면,
제5도는 웨이퍼 표면온도와 열전대 검출온도와의 편차를 나타낸 도면,
제6도는 본 발명의 제어시스템에 있어서의 웨이퍼 표면온도의 상승특성을 나타낸 도면.

Claims (13)

  1. 제어입력에만 의거하여 제어대상(100)의 상태량을 추정하는 추정부(estimation section)와, 제어대상(plant object) (100)의 출력 및 상기 추정부의 출력을 선택하는 전환부(switching section) (40), 상기 제어대상(100)의 출력 및 상기 추정부로부터의 상태량을 상기 제어대상으로 입력부에 피드백하여 제어입력을 조정하는 서보부(serro section)(6))로 구성되는 제어시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전환부(40)는, 제어시스템의 상승시에 상기 추정부를 선택하고, 소정의 시간지연으로 상기 제어대상(100)을 선택하는 수단에 의해 구성되는 제어시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전환부(47)는, 상기 제어대상(100)의 출력을 받아, 서서히 상승하는 특성을 가지는 자연처리부(delay process section)와, 상기 추정부로 부터의 상태량을 받아, 서서히 하강하는 특성을 가지는 지연처리부를 가지는 제어시스템.
  4. 제어대상(100)에 주어지는 제어입력과 제어대상의 출력에 의거하여 제어대상의 제1상태량을 추정하는 제1추정부(20)와, 제어입력에만 의거하여 제어대상의 제2상태량을 추정하는 제2추정부(30)와, 상기 제1및 제2추정부(20), (30)를 선택하는 전환부(40)와, 상기 제1및 제2추정부(20), (30)임의 한쪽으로부터의 상태량을 상기 제어대상(100)의 입력부에 피드백하여 제어입력을 조정하는 서보부(60)로 구성되는 제어시스템.
  5. 제4항에 있어서 상기 전환부(40)는, 제어시스템의 상승시에 상기 제2추정부(30)를 선택하고, 소정의 시간지연으로 상기 제1추정부(20)를 선택하는 수단에 의해 구성되는 제어시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전환부(40)는, 상기 제2추정부(30)의 상태량을 받아. 서서히 상승하는 특성을 가지는 제1지연처리부(delay process section) (41)와, 상기 제1추정부(20)로부터의 상태량을 받아, 서서히 하강하는 특성을 가지는 제2지연처리부(46)를 가지는 제어시스템.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제1추정부(20)는 상기 제어대상(100)으로의 제어입력과 상기 제어대상(100)으로부터의 제어출력을 받아, 상기 입력과 상기 제어출력에 의거하여 상기 제어대상(100)의 상태량을 추정하는 루겐버거ㆍ옵저버(Luenberger observer)에 의해 구성되는 제어시스템.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제2추정부(30)는 제어입력에 응답하여 상기 제어대상 (100)에 수학적으로 근사한 상태량을 출력하는 가상 제어대상부에 의해 구성되는 제어시스템.
  9. 제4항에 있어서, 상기 서보부(60)는, 상기 전환부(40)의 출력을 상기 제어대상(100)에 피드백하기 위한 적분형 최적서보로 구성되는 제어 시스템.
  10. 제4항에 있어서, 상기 서보부(60)는, 상기 전환부(40)를 통한 상태량에 소정의 제1계수매트릭스를 곱셈하여 얻어지는 1차 피드백량을 피드백하는 제1피드백 계수수단과, 상기 전환부(40)를 통한 상태량에 소정의 제2계수 매트릭스를 곱셈하여 얻어지는 2차 피드백량을 피드백하는 제2피드백 계수수단과, 목표치와 상기 1차 피드백량과의 편차를 구하는 제1가산수단과, 상기 제1가산수단으로부터의 편차에 소정의 제3계수 매트릭스를 곱셈하는 계수기와, 상기 계수기의 출력을 적분하는 적분기와, 이 적분기의 적분출력과 상기 2차 피드백량을 가산하고, 제어 입력을 출력하는 가산기에 의해 구성되는 제어시스템.
  11. 제4항에 있어서, 상기 제어대상은 반도체 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼 처리장치의 웨이퍼 온도제어기구인 제어시스템.
  12. 알려지지 않는 파라미터를 가지는 피자동제어플랜트(to-be-identified plant)와 알려진 파라미터를 가지는 적어도 하나의 플랜트 또는 여러개의 관련플랜트(related plants)로 되는 소정의 처리시스템에 소정의 입력을 주어서 상기 처리시스템의 출력을 측정하는 수단과, 입력데이터와, 시스템출력데이타와, 관련플랜트의 수학적모델(mathematical model)의 응답특성(response characteristic)에 의거하여 상기 피자동제어 플랜트의 파라미터를 구하는 수단을 가지는 플랜트 자동제어시스템.
  13. 제12항에 있어서, 측정수단은, 실측에 의하여 미리 플랜트의 미리 알려진 파라미터를 구하는 수단을 포함하는 제어시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930007916A 1992-05-08 1993-05-08 제어시스템 KR100248840B1 (ko)

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JP92-143243 1992-05-08
JP14324392 1992-05-08
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JP92-151579 1992-05-19

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