KR940004753A - 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 - Google Patents

다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 Download PDF

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KR940004753A
KR940004753A KR1019920015488A KR920015488A KR940004753A KR 940004753 A KR940004753 A KR 940004753A KR 1019920015488 A KR1019920015488 A KR 1019920015488A KR 920015488 A KR920015488 A KR 920015488A KR 940004753 A KR940004753 A KR 940004753A
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김광호
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Abstract

본 발명은 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 콘택홀 내에 형성된 도전물질의 측벽에 소정의 물질로 형성된 스페이서를 포함하는 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법을 제공한다. 따라서, 층간절연층의 신뢰도 및 다층배선의 신뢰도를 개선할 수 있다.

Description

다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제11도는 본 발명의 방법에 의한 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들,
제12도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 다층배선 구조의 층간절연층의 구조를 도시한 단면도.

Claims (9)

  1. 콘택홀 내의 형성된 도전물질의 측벽에 소정의 물질로 형성된 스페이서를 포함하는 다층배선 구조의 층간절연층의 구조.
  2. 콘택홀 내에 형성된 도전물질의 측벽에 소정의 물질로 된 스페이서를 형성하는 공정 및 결과물 상에 층간절연층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소정의 물질로 절연물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 절연물질로 플라즈마-산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 스페이서를 형성하는 공정 이후에, 결과물 전면에 도전물질 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도전물질 보호층을 구성하는 물질로 TiN을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 소정의 물질은 임의의 이방성 식각에 대해 콘택홀 내에 형성되어 있는 도전물질과는그 식각율이 다른 도전물질인 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 도진물질을 콘택홀의 모서리 부분에서 오버행되는 모양으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 층간절연층은 플라즈마-산화막/제1의 O3-TEOS 산화막 / SOG막 / 제2의 O3-TEOS 산화막과 같이 여러층의 절연층으로 형성되어 그 표면이 평탄화되어 있는 것을 특징으로 하는 다층배선구조의 층간절연층 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015488A 1992-08-27 1992-08-27 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 KR960000377B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030056743A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 최한욱 설비를 이용하여 블록을 제조하는 방법

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