KR940004753A - 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 - Google Patents
다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940004753A KR940004753A KR1019920015488A KR920015488A KR940004753A KR 940004753 A KR940004753 A KR 940004753A KR 1019920015488 A KR1019920015488 A KR 1019920015488A KR 920015488 A KR920015488 A KR 920015488A KR 940004753 A KR940004753 A KR 940004753A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive material
- forming
- layer
- wiring structure
- interlayer insulating
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 콘택홀 내에 형성된 도전물질의 측벽에 소정의 물질로 형성된 스페이서를 포함하는 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법을 제공한다. 따라서, 층간절연층의 신뢰도 및 다층배선의 신뢰도를 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제11도는 본 발명의 방법에 의한 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들,
제12도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 다층배선 구조의 층간절연층의 구조를 도시한 단면도.
Claims (9)
- 콘택홀 내의 형성된 도전물질의 측벽에 소정의 물질로 형성된 스페이서를 포함하는 다층배선 구조의 층간절연층의 구조.
- 콘택홀 내에 형성된 도전물질의 측벽에 소정의 물질로 된 스페이서를 형성하는 공정 및 결과물 상에 층간절연층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소정의 물질로 절연물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 절연물질로 플라즈마-산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
- 제3항에 있어서, 스페이서를 형성하는 공정 이후에, 결과물 전면에 도전물질 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
- 제5항에 있어서, 상기 도전물질 보호층을 구성하는 물질로 TiN을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소정의 물질은 임의의 이방성 식각에 대해 콘택홀 내에 형성되어 있는 도전물질과는그 식각율이 다른 도전물질인 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도진물질을 콘택홀의 모서리 부분에서 오버행되는 모양으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층배선 구조의 층간절연층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연층은 플라즈마-산화막/제1의 O3-TEOS 산화막 / SOG막 / 제2의 O3-TEOS 산화막과 같이 여러층의 절연층으로 형성되어 그 표면이 평탄화되어 있는 것을 특징으로 하는 다층배선구조의 층간절연층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920015488A KR960000377B1 (ko) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920015488A KR960000377B1 (ko) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940004753A true KR940004753A (ko) | 1994-03-15 |
KR960000377B1 KR960000377B1 (ko) | 1996-01-05 |
Family
ID=19338598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920015488A KR960000377B1 (ko) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960000377B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030056743A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 최한욱 | 설비를 이용하여 블록을 제조하는 방법 |
-
1992
- 1992-08-27 KR KR1019920015488A patent/KR960000377B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030056743A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 최한욱 | 설비를 이용하여 블록을 제조하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960000377B1 (ko) | 1996-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970067775A (ko) | 반도체 장치 | |
KR960006036A (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
KR970063592A (ko) | 다층 패드를 구비하는 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR970072325A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100268629B1 (ko) | 반도체장치 | |
KR940004753A (ko) | 다층배선 구조의 층간절연층의 구조 및 그 형성방법 | |
KR920018889A (ko) | 반도체장치의 층간콘택구조 및 그 방법 | |
KR100508538B1 (ko) | 반도체 금속 라인 제조 공정에서의 에어 갭 형성 방법 | |
US7211488B2 (en) | Method of forming inter-dielectric layer in semiconductor device | |
KR940006199A (ko) | 상호 접속 배선 구조물을 갖는 반도체 디바이스 | |
KR20000008404A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR100247911B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR100508534B1 (ko) | 반도체 금속 라인 제조 공정에서의 에어 갭 형성 방법 | |
KR870001655A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR980005626A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성방법 | |
KR100997158B1 (ko) | 엠아이엠 캐패시터 형성 방법 | |
KR101037420B1 (ko) | 반도체 소자의 형성 방법 | |
KR940004745A (ko) | 층간절연층의 평탄화법 | |
KR950021414A (ko) | 반도체 장치의 다층 배선간 연결공정 | |
KR950004398A (ko) | 반도체소자의 콘택제조방법 | |
KR940016877A (ko) | 고집적 반도체 접속장치 제조방법 | |
KR19980038892A (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 | |
KR980005561A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR950021127A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
JPH03104140A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20011207 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |