KR940004711Y1 - 흘러내림 방지 수단을 구비한 바지 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

흘러내림 방지 수단을 구비한 바지
제 1 도는 본 고안에 의한 흘러내림 방지 수단을 구비한 바지의 일실시예의 일부 사시도.
제 2 도는 제 1 도에 도시된 방지의 요부확대 단면도.
제 3 도는 본 고안의 다른 실시예에 의한 바지의 일부 사시도.
제 4 도는 제 3 도에 도시된 바지의 일부 확대도.
제 5a도 및 제5b도는 제 3 도에 도시된 바지의 사용상태 요부 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 바지 2 : 허리춤
3 : 탄성밴드 3a, 3b : 탄성밴드의 양단부
4 : 탄성밴드 지지고리 5 : 탄성밴드 지지편
본 고안은 흘러내림 방지 수단을 구비한 바지에 관한 것으로서, 특히 바지의 허리춤 내측에 탄성 밴드를 설치하여 착용자의 허리에 밀착되게 함으로써 흘러내림을 방지한 바지에 관한 것이다.
일반적인 바지의 착용방법은 바지의 착용시에 그 흘러내림을 방지하기 위하여 허리띠를 사용하는 것이 었으나, 이는 바지를 허리에 밀착시키기 위하여 허리띠를 너무 조이게 되면, 착용자의 허리를 압박할 뿐만 아니라, 바지의 허리춤이 착용자의 허리보다 다소 클 경우 허리춤에 주름이 잡히게 되어 외관상 보기 흉하다는 문제가 있다. 또한, 허리띠를 헐렁하게 고정하였을 경우에는 바지가 흘러 내리고 상의가 빠져 나오게 되어 활동하기가 불편한 점이 있었다. 그리고 체형이 비대한 사람의 경우에는 허리띠를 사용하더라도 바지가 흘러 내리는 경향이 많았다.
따라서, 전술한 일반적인 바지 착용방법의 불편함을 해소하기 위한 종래의 어깨걸이식 멜빵의 사용방법은 바지가 흘러내리는 것을 효과적으로 방지하기는 하나, 장시간 착용후에는 어개를 압박하는 불편한 점이 있을뿐만 아니라, 멜빵의 클립이 바지로부터 일탈되는 경우가 종종 발생하므로 수시로 멜빵을 고쳐 매어야 하는 등 번거로운 문제점 등이 있다.
본 고안의 목적은 전술한 허리띠 또는 멜빵을 사용하는 통상의 바지에 있어서의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안은 허리츰 내측에 탄성밴드를 설치하여 착용자의 허리에 밀착되게 함으로써, 흘러내림을 방지한 바지를 제공한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 고안을 상술한다.
제 1 도는 본 고안의 일실시예에 의한 바지의 일부 사시도이고, 제 2 도는 그 요부확대 단면도이다. 이 실시예는, 도시된 바와같이, 통상의 허리띠 착용식 바지(1)의 허리춤(2)의 내측면으로부터 약간 간격을 두고 탄성밴드(3)을 배치하여 그 양단부(3a,3b)를 바지(1)의 앞섭 내측면 상단에 봉착에 의해 고정시키고, 바지(1)의 허리춤(2)의 내측에 탄성밴드(3)을 지지하는 복수개의 지지고리(4)를 설치하여 탄성밴드(3)을 지지하도록 한 것이다. 이들 지지고리(4)는 허리띠 지지고리와 유사하게 직물로 만들어 허리춤(2)의 내측에 봉착된다.
제 3 도는 본 고안의 다른 실시예에 의한 바지의 일부 사시도이고, 제 4 도는 그 요부 확대도이다. 이 실시예는, 도시된 바와같이, 통상의 바지(1)의 허리춤(2)의 내측면으로부터 약간 간격을 두고 탄성밴드(3)을 배치하여 그 양단부(3a,3b)를 바지(1)의 앞섭 내측면 상단에 봉착에 의해 고정시키고, 바지(1)의 허리춤(2)의 내측에 복수개의 지지편(5)를 설치하여 탄성밴드(3)을 지지하도록 한 것이다. 이들 지지편(5)는 얇은 가요성의 연질 합성수지 또는 고무재의 것으로서, 그 일측단부(5a)는 허리춤(2)의 내측에 봉착되고, 그 타측 단부에는 탄성밴드(3)이 슬라이드 가능하게 끼워지는 구멍(5b)가 형성되어 있다.
전술한 본 고안의 실시예들에 있어서, 탄성밴드(3)은 착용자의 허리에 맞는 길이의 것으로 선택하여 설치하는 것이 가능하다. 그리고, 탄성밴드(3)의 양단부(3a,3b)를 바지 앞섶 내측면에 봉착하여 고정하는 대신에, 그 양단부(3a,3b)에 단추구멍을 형성하고, 바지 앞섶 내측면에 단추를 달아 그 단추구멍에 끼워서 고정함으로써, 여러가지 길이의 탄성밴드(3)를 선택하여 설치하는 것이 용이하다. 또한, 일정한 길이의 탄성밴드(3)의 양단부로부터 내측으로 가면서 일정한 간격으로 복수개의 단추구멍을 형성하고, 바지 앞섶 내측면 양쪽에 단일의 단추를 달아, 상기 복수개의 단추구멍에 선택적으로 끼워 줌으로써 탄성밴드(3)의 길이조정을 임의로 할수도 있으며, 또는 역으로 일정한 길이의 탄성밴드(3)의 양단부에 각각 단일의 단추구멍을 형성하고, 바지의 양쪽 앞섶 내측면으로부터 허리춤 내측면쪽으로 가면서 복수개의 단추를 달앙서 이들 복수개의 단추를 선택적으로 탄성밴드(3)의 단추구멍에 끼워줌으로써 탄성밴드이 길이 조정을 용이하게 할 수도 있다. 이와 다르게는, 탄성밴드(3)의 양단부(3a,3b)의 배면과 바지 앞섶 내측면 상단에 매직 테이프(hook and loop fastener)를 부착하여 줌으로써, 탄성밴드의 교체 또는 길이 조정을 용이하게 할 수도 있다.
제 1 도의 실시예에 의한 바지의 착용시에, 착용자의 체형에 따라 탄성밴드(3)이 착용자의 허리에 밀착되므로, 허리띠를 적당하게 졸라 매더라도 바지가 흘러내리지 않고, 허리춤(2)에 주름이 생기지 않는다.
제 3 도의 실시예에 의한 바지의 착용시에는, 제 1 도의 실시예와 마찬가지로 착용자의 체형에 따라 탄성밴드(3)이 착용장자의 허리에 밀착된다.
제5a도는 허리가 가는 사람이 착용하였을때의 상태를 나타낸 일부 횡단면도이고 제5b도는 허리가 굵은 사람이 착용하였을 때의 상태를 나타낸 일부 횡단면도이다.
제5a도에 도시된 바와같이, 바지의 허리춤(2)보다 허리가 가능 사람이 바지를 찰용할 경우, 탄성밴드(3)은 착용자의 허리에 밀착되고 바지의 허리춤(2)는 탄성밴드(3)으로부터 간격을 두고 원래의 형상을 유지한다.
이때 일부단(5a)가 허리춤(2)의 내측에 봉착된 지지편(5)에 의해서 탄성밴드(3)과 허리춤(2)가 상하로 움직이지 않고 유지된다.
제5b도에 도시된 바와같이, 바지의 허리춤(2)와 허리굵기가 같은 사람이 바지를 착용할 경우에는, 착용자의 허리에 밀착된 탄성밴드(3)과 허리춤(2)를 연결하는 지지편(5)는 탄성밴드(3)과 허리춤(2) 사이에 꼭끼인 상태로 된다. 상기 지지편(5)는 얇은 연질 합성수지 또는 고무재로서 사용상태에 따라서 쉽게 만곡될 수 있으므로 착용자에게 이질감을 주거나 허리춤(2)를 외부로 돌출시키지 않는다.
전술한 바와 같이 구성된 본 고안에 의한 바지의 착용시에 착용자의 허리크기에 맞게 설치 또는 길이가 조정된 탄성밴드(3)이 착용자의 허리에 밀착되므로 바지가 흘러내리는 일이 방지된다. 따라서, 착용자는 허리띠를 꼭 졸라매지 않고 약간 느슨하게 매도 되므로 착용자의 허리를 압박하거나 바지의 허리춤에 보기 흉한 주름이 생기는 일이 없다. 또한, 본 고안에 있어서, 바지의 흘러내림을 방지하는 보조 수단으로서 멜빵을 사용하더라도, 멜빵에 의해서 어깨가 압박하는 현상이 완화된다.
본 고안에 있어서, 탄성밴드(3)은 통상 복수개의 탄성 고무줄을 심재로 하여 직조된 밴드 직물을 사용할 수 있으나, 탄성이 좋고 착용감이 좋은 것이라면 기타 어느 것이라도 사용할 수 있다.
본 고안에 있어서, 탄성밴드(3)은 그 길이 조정이 용이할 뿐만 아니라 반복 사용에 의해서 그 탄성이 약화될 경우에는 손쉽게 새것으로 교체할 수 있다.
이상 본 고안의 적합한 실시예에 따라 상술하였으나, 본 고안은 이 실시예들에 한정되는 것은 아니며 본 고안의 범위내에서 기타 수정이나 변경이 가능할 수도 있음은 물론이다. 예를들면, 탄성밴드(3)을 허리춤(2)로 부터 간격을 두고 유지하기 위해서는 전술한 지지고리(4) 또는 지지편(5) 대신에 허리춤(2)의 내측 수개소에 탄성밴드(3)과의 연결끝을 설치할 수도 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 통상의 허리띠 착용식 바지에 있어서, 허리춤(2)의 내측면으로부터 약간 간격을 두고 지지되고 그 양단부(3a,3b)가 바지 앞섶 내측면 상단에 고정된 탄성밴드(3)를 구비한 것을 특징으로 하는 바지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성밴드(3)의 양단부(3a,3b)가 바지 앞섶 내측면 상단에 봉착하여 고정된 것을 특징으로 하는 바지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성밴드(3)의 양단부(3a,3b)에 단추구멍을 형성하고, 바지 앞섶 내측면 상단에는 단추를 달아서, 상기 단추 구멍에 상기 단추를 끼워 고정하도록 된 것을 특징으로 하는 바지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성밴드(3)의 양단부(3a,3b)의 배면과 바지 앞섶 내측면 상단에 매직테이프를 부착하여 고정하도록 된 것을 특징으로 하는 바지.
  5. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 바지의 허리춤(2)의 내측 수개소에 복수개의 고리(4)를 설치하여 상기 탄성밴드(3)이 상기 허리춤(2)로 부터 일정간격을 두고 지지되게 한 것을 특징으로 하는 바지.
  6. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 상기 탄성밴드(3)과 바지의 허리춤(2)와의 사이의 수개소에 일단부(5a)는 바지의 허리춤(2)의 내측에 봉착되고, 타단부에는 상기 탄성밴드(3)를 슬라이드 가능하게 끼우도록 된 구멍(5b)가 형성된 탄성밴드 지지편(5)를 배치하여, 상기 탄성밴드(3)이 상기 허리춤(2)로부터 일정간격을 두고 지지되게 한 것을 특징으로 하는 바지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100863484B1 (ko) * 2007-10-17 2008-10-15 주식회사 미도물산 허리 사이즈가 조절되는 경찰복 바지

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424234A (en) * 1991-06-13 1995-06-13 Goldstar Electron Co., Ltd. Method of making oxide semiconductor field effect transistor
JPH06275640A (ja) * 1993-03-22 1994-09-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその作製方法
US5405788A (en) * 1993-05-24 1995-04-11 Micron Technology, Inc. Method for forming and tailoring the electrical characteristics of semiconductor devices
US5500379A (en) * 1993-06-25 1996-03-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US5444002A (en) * 1993-12-22 1995-08-22 United Microelectronics Corp. Method of fabricating a short-channel DMOS transistor with removable sidewall spacers
US5413949A (en) * 1994-04-26 1995-05-09 United Microelectronics Corporation Method of making self-aligned MOSFET
US5501991A (en) * 1994-07-13 1996-03-26 Winbond Electronics Corporation Process for making a bipolar junction transistor with a self-aligned base contact
US5439839A (en) * 1994-07-13 1995-08-08 Winbond Electronics Corporation Self-aligned source/drain MOS process
KR0150992B1 (ko) * 1994-08-31 1998-10-01 김광호 고내압용 모스 트랜지스터 및 그 제조방법
US5506161A (en) * 1994-10-24 1996-04-09 Motorola, Inc. Method of manufacturing graded channels underneath the gate electrode extensions
US5504023A (en) * 1995-01-27 1996-04-02 United Microelectronics Corp. Method for fabricating semiconductor devices with localized pocket implantation
US5830798A (en) * 1996-01-05 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Method for forming a field effect transistor
JP3413823B2 (ja) * 1996-03-07 2003-06-09 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6037230A (en) * 1997-06-03 2000-03-14 Texas Instruments Incorporated Method to reduce diode capacitance of short-channel MOSFETS
US5849613A (en) * 1997-10-23 1998-12-15 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method and mask structure for self-aligning ion implanting to form various device structures
KR100376874B1 (ko) * 1997-12-06 2003-06-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의트랜지스터제조방법
GB2362030A (en) * 1999-11-12 2001-11-07 Lucent Technologies Inc Method of fabricating a halo structure in an integrated circuit for reduced size transistors
US6784500B2 (en) * 2001-08-31 2004-08-31 Analog Devices, Inc. High voltage integrated circuit amplifier
US6911695B2 (en) * 2002-09-19 2005-06-28 Intel Corporation Transistor having insulating spacers on gate sidewalls to reduce overlap between the gate and doped extension regions of the source and drain
JP5607723B2 (ja) * 2009-04-08 2014-10-15 ファナック ロボティクス アメリカ コーポレイション 改良されたロボット塗装装置及びその操作方法
KR101103480B1 (ko) * 2011-03-02 2012-01-10 데상트코리아 주식회사 바지 허리단의 신축 구조
KR200453983Y1 (ko) * 2011-03-02 2011-06-09 정재수 야외활동용 바지
KR102430991B1 (ko) * 2022-01-10 2022-08-09 이성길 공기주입식 족구화

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229976A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US4771014A (en) * 1987-09-18 1988-09-13 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Process for manufacturing LDD CMOS devices
IT1223571B (it) * 1987-12-21 1990-09-19 Sgs Thomson Microelectronics Procedimento per la fabbricazione di dispositivi integrati cmos con lunghezze di porta ridotte
US5122474A (en) * 1988-06-23 1992-06-16 Dallas Semiconductor Corporation Method of fabricating a CMOS IC with reduced susceptibility to PMOS punchthrough
US5082794A (en) * 1989-02-13 1992-01-21 Motorola, Inc. Method of fabricating mos transistors using selective polysilicon deposition
DE3919060A1 (de) * 1989-06-10 1990-12-20 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur selbstkorrektur eines faserkreisels mit 3x3-koppler
JPH03220729A (ja) * 1990-01-25 1991-09-27 Nec Corp 電界効果型トランジスタの製造方法
US5102816A (en) * 1990-03-27 1992-04-07 Sematech, Inc. Staircase sidewall spacer for improved source/drain architecture
US5064774A (en) * 1991-02-19 1991-11-12 Motorola, Inc. Self-aligned bipolar transistor process
KR940006702B1 (ko) * 1991-06-14 1994-07-25 금성일렉트론 주식회사 모스패트의 제조방법
US5200352A (en) * 1991-11-25 1993-04-06 Motorola Inc. Transistor having a lightly doped region and method of formation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100863484B1 (ko) * 2007-10-17 2008-10-15 주식회사 미도물산 허리 사이즈가 조절되는 경찰복 바지

Also Published As

Publication number Publication date
US5328862A (en) 1994-07-12
KR940002469U (ko) 1994-02-15

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