KR940004424B1 - 웨이퍼 상태의 발광소자 칩 분리방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

웨이퍼 상태의 발광소자 칩 분리방법

제1도는 종래의 웨이퍼 상태를 나타낸 사시도.

제2도는 종래의 웨이퍼를 바(Bar)형태로 자른 상태의 사시도.

제3a, 제3b도는 종래의 칩 분리방법을 나타낸 바의 요부 확대 정면도.

제4도는 이 발명에 따른 웨이퍼의 사시도.

제5도는 이 발명에 따른 웨이퍼르 바형태로 자른 상태의 사시도.

제6도는 이 발명에 따른 칩 분리방법을 나타낸 요부 확대 정면도.

제7도는 이 발명에 따른 칩 분리방법에 의해 분리된 칩의 사시도.

이 발명은 웨이퍼 상태의 칩 분리방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 웨이퍼 상태의 칩을 하나하나의 칩으로 분리하기가 용이하면서 칩의 깨짐이나 균열이 생기지 않도록 하고, 발광소자의 칩의 경우에는 웨이퍼 상태에서 바형태로 분리한후 광의 특성을 측정하는 칩 테스트가 가능하도록 웨이퍼 상태의 발광소자 칩 분리방법에 관한 것이다.

일반적으로 발광소자는, 최근에 이르러 정보통신 분야가 급속히 발전하게 됨에 따라 초고속 컴퓨터, 초고주파 및 광통신에 대한 필요성이 증대되고 있고, 예를 들어 레이저 다이오드, 발광 다이오드 등은 광통신 및 광시스템의 광원으로서 필수적으로 사용되고 있는 것이다. 따라서 상기와 같이 사용되는 발광소자의 칩을 제조함에 있어서, 종래에는 제1도 내지 제3a도 및 제3b도에서와 같이, 웨이퍼 형상의 기판(1)상에 에피 공정으로 소자에 필요한 에피성장층(2)을 형성하고, 칩(3)과 칩(3) 사이의 전기적인 격리(隔離)를 위해 화학 식각법 즉, 습식 식각법을 사용하여 폭 30㎛, 길이 16㎛ 정도의 홈(4)을 형성한다. 상기와 같은 웨이퍼 상태에서 상/하측에 금속을 진공증착하여 전극(5)(6)을 형성함으로써 제1도와 같은 웨이퍼(10) 상태의 발광소자 칩이 제조된다. 그리고, 상기 같이 제작된 웨이퍼(10) 상태에서는 각각의 칩의 특성을 측정할 수 없기 때문에 제2도와 같은 바(Bar)(10a) 형태를 웨이퍼(10)를 잘라내어 발광면(7)이 노출되도록 한 후 칩(3)의 특성을 테스트한다. 이때, 칩(3)과 칩(3) 사이에 형성된 홈(4)에 의해 칩(3) 상호간의 전기적 한 후 칩(3)의 특성을 테스트한다. 이때, 칩(3)과 칩(3) 사이에 형성된 홈(4)에 의해 칩(3) 상호간의 전기적인 간섭이 없어지게 되므로 칩(3)의 특성 측정이 가능하게 된다. 따라서 바형태의 발광소자 칩을 테스트한후 양호한 칩만을 분리하게 되는데, 이 칩 분리공정은 제3a도 및 제3b도에서와 같이 행해진다. 즉, 상기 칩 분리작업에 사용되는 도구는 다이아몬드 펜(8)이 상용되고, 이 다이아몬드 펜(8)은 직경이 가장 적은 45㎛ 정도인 것으로, 다이아몬드 펜(8)에 비해 칩(3) 사이의 홈(4)이 좁기 때문에 홈(4)의 중간부위에서 제3a도 및 제3b도에 나타낸 바와 같이, 칩(3)이 깨지거나, 결함이 생기게 되어 상기의 결합을 가지고 있는 칩을 제품화할 경우 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 칩 사이에 형성된 홈의 폭이 크기 때문에 웨이퍼에서 제조될 수 있는 칩의 수가 줄어들게됨과 동시에 칩 분리시 깨지는 것에 의해 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩의 수가 더욱 줄어들게 되어 제품의 손실을 가져오게 되는 문제점이 있었다.

이 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이 발명의 목적은 웨이퍼 상태의 발광소자 칩을 바형태로 자른 상태에서 칩의 특성측정이 가능하게함과 동시에 칩과 칩의 분리시 칩이 깨지거나 결합이 생기는 것을 방지할 수 있게 하여 웨이퍼에서 생산되는 칩의 수를 늘릴 수 있고, 또 제품의 신뢰성을 높일 수 있는 웨이퍼 상태의 발광소자 칩 분리방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 이 발명의 특징은, 웨이퍼 상태의 발광소자 칩을 분리하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 상태의 발광소자 칩과 칩 사이에 양자선 주입으로, 결정성이 파괴되어 고저항의 물질로 변하게한 격리막을 형성하여, 칩을 용이하게 분리할 수 있게 한 웨이퍼 상태의 발광소자 칩 분리방법에 있다.

이하, 이 발명에 따른 실시예를 첨부도면에 의하여 상세하게 설명한다.

제4도 내지 제7도는 이 발명에 따른 웨이퍼 상태의 발광소자 칩과 칩의 분리방법을 나타낸 것으로서, 기판(11)상에 에피공정으로 에피성장층(12)을 형성하고, 칩(13)과 칩(13) 사이에 양자선 주입하여 주입된 부위의 결정성을 떨어뜨림으로써, 고저항의 물질로 변하게 한 격리막(14)을 형성하여, 상기 기판(11)의 상/하측에 금속을 진공증착하여 전극(15)(16)을 형성함으로써 제4도에서와 같은 웨이퍼(20) 상태의 발광소자칩이 제조된다.

이와 같은 이 발명에 따르면, 상기 웨이퍼(20) 상태에서는 발광소자 칩의 특성을 측정할 수 없기 때문에 제5도에서와 같은 바(Bar)(20a) 형태로 자른다음 칩(13)의 발광면(17)이 노출되도록 하여 칩(13)의 특성을 테스트한다. 이때, 칩(13)과 칩(13) 사이에 형성된 격리막(14)에 의해 칩(13)과 칩(13) 사이가 전기적으로 격리되므로 상호 간섭이 방지되어 각각의 칩(13)의 특성측정이 가능하게 된다. 또한, 상기와 같이 바(20a) 상태에서 칩의 특성을 측정하여 양호한 상태의 칩들을 분리하게 되는데, 이는 제6도 및 제7도에서와 같이, 다이아몬드 팬(18)을 이용하는 것으로, 칩(13)과 칩(13) 사이에 형성된 격리막(14)의 상면에 다이아몬드 펜(18)의 끝이 닿게 되면, 상기 격리막(14)이 고저항의 물질로 변한 상태이므로 분리면(A)이 깨끗하게 분리되어 깨짐이나 균일이 생기지 않는 발광소자의 칩(13)을 얻을 수 있다. 따라서 칩 불량의 발생을 줄이어 웨이퍼에서 생산되는 칩의 수를 늘릴 수 있게 되는 것이고 또한 상기 격리막이 폭 10㎛ 정도로 형성되는 것에 의해 그만큼 웨이퍼에서 생상되는 칩의 수가 늘어나게 된다.

이상에서와 같이 이 발명에 따른 웨이퍼 상태의 발광소자 칩분리방법에 의하면, 웨이퍼 상태의 발광소자 칩과 칩사이에 양자선 주입에 의한 격리막이 형성됨으로써 칩과 칩 사이가 전기적으로 격리되어 칩 테스트가 가능하게 됨과 동시에 칩의 분리시 칩이 분리되는 부위에 깨짐이나 균열이 발생하지 않게 되므로, 상기와 같이 제조된 칩으로 제작된 발광소자에 대한 신뢰성을 높일 수 있다. 또한 칩 분리시 불량율을 줄이고 칩과 칩 사이를 격리시키는 격리막이 종래의 홈보다 좁은 폭으로 형성되어 그만큼 웨이퍼에 형성할 수 있는 칩의 수가 많아짐에 따라 하나의 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩과 수를 더욱 늘릴 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

1. 웨이퍼(20) 상태의 발광소자 칩(13)을 분리하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼(20) 상태의 발광소자 칩(13)과 칩(13) 사이에 양자선 주입으로 결정성이 파괴되어 고저항의 물질로 변하게 한 격리막(14)을 형성하여 칩의 분리시 칩의 깨짐이나 균열이 없는 칩을 제조할 수 있도록 한 웨이퍼 상태의 발광소자 칩 분리방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 격리막(14)은, 폭 7~10㎛ 및 깊이 13~16㎛로 형성되는 웨이퍼 상태의 발광소자 칩 분리방법.