KR940002973A - 실리레이션 레지스트 패턴형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것을, 노광공정전에 레지스트 표면을 알카리처리 공정으로 감광제만의 얇은 층을 형성하여 감광제의 실리콘 확산을 억제하는 특성을 이용하므로써, 레지스트 패턴의 선폭제어를 정확히 할 수 있는 레지스트 패턴 형성방법에 관해 기술한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2e도는 본 발명에 의한 레지스트 패턴 형성단계를 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 반도체 제조공정중 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 형성되어 있는 예정된 도전층 또는 절연층(11) 상에 노볼락 수지와 다이아조나프토퀴논 감광제로 구성되어 있는 실리레이션 레지스트(12)를 도포하고, 상기 실리레이션 레지스트(12)의 상부면을 알카리처리 공정으로 표면처리하여 실리레이션 레지스트(12)의 구성요소 중 노볼락 수지를 용해시키는 단계와, 상기 용해된 노볼락 수지를 증류수 등으로 세정공정을 실시하여 실리레이션 레지스트(12) 표면으로부터 일정깊이까지 감광제만으로된 얇은 감광제층(10)을 형성하는 단계와, 상기 감광제층(10)을 포함한 실리레이션 레지스트(12) 상부에 패턴이 형성된 마스크(14)를 위치시키고, 상기 마스크(14)를 이용하여 노광공정을 실시하여 광(15) 및 회절광(15')에 의해 노광지역(13, 13')을 형성하는 단계와, 상기 마스크(14)를 제거한 다음, 전반적으로 경화공정을 실시하여 감광제의 농도가 높은 감광제층(10)으로부터의 감광제 확산에 의해 회절광(15')에 의한 노광지역(13')이 감광제층(10)으로 되고 광(15)에 의한 노광지역(13)만 남게 하는 단계와, 전반적으로 실리레이션 공정을 실사하여 상기 노광지역(13)에 실리콘을 확산시켜 실리콘 확산영역(16)을 형성한 다음, O2플라즈마를 이용한 식각공정으로 실리레이션 레지스트 패턴(12')을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 알카리 처리공정시 사용되는 용액은 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(Tetramethyl ammonium hydroxyde), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 수산화암모늄(NH4OH)인 것을 특징으로 하는 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920012870A KR950009292B1 (ko) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 실리레이션 레지스트 패턴형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920012870A KR950009292B1 (ko) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 실리레이션 레지스트 패턴형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940002973A true KR940002973A (ko) | 1994-02-19 |
| KR950009292B1 KR950009292B1 (ko) | 1995-08-18 |
Family
ID=19336587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920012870A KR950009292B1 (ko) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 실리레이션 레지스트 패턴형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950009292B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476152B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2005-05-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 깊은uv포토레지스트막을증착하기위한방법및장치 |
-
1992
- 1992-07-20 KR KR1019920012870A patent/KR950009292B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476152B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2005-05-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 깊은uv포토레지스트막을증착하기위한방법및장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950009292B1 (ko) | 1995-08-18 |
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