KR940001506B1 - 모오스 소자 격리 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명에 따른 모오스 소자 격리 공정의 완성 단면도.
제2도는 (a)-(h)는 본 발명에 따른 모오스 소자 격리 공정도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘기판 2, 2': 산화막
3, 3': 다결정실리콘 4 : 질화막
5 : 사이드윌
11 : 사용되는 트랜지스터의 게이트 산화막
12 : 필드트랜지스터의 게이트 산화막
13 : 필드트랜지스터의 게이트로 사용되는 다결정 실리콘
14 : 사용되는 트랜지스터의 게이트로 사용되는 다결정 실리콘
15 : 사용되는 트랜지스터의 다결정 실리콘과 필드트랜지스터의 다결정 실리콘을 격리하기 위한 산화막
본 발명은 반도체 소자 격리 공정에 관한 것으로, 특히 자기정렬 방식을 이용한 다결정실리콘에 의해 모오스 소자를 격리시키도록 한 소자 격리 방법에 관한 것이다.
제2도는 (a)-(h)를 참조하여 본 발명에 따른 소자 격리 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저 제2도 (a)에서와 같이 실리콘기판(1) 위에 제1산화막(2)/제1다결정실리콘(3)/제2산화막(2')/제2다결정실리콘(3')을 차례로 증착시킨 후(이때 각 층의 두께는 목적에 따라 적당히 조절할 수 있다), 마스크를 사용한 사진식각공정을 통해 트랜지스터가 형성될 영역(액티브영역(Active Region))을 제외한 부분에 형성되어 있는 상기 제2다결정실리콘(3')을 선택적으로 식각하여 액티브영역상에만 제2다결정실리콘층(3')을 남긴다.
그 다음 제2도 (b)에서와 같은 보른(Boron)을 사용하여 필드이온주입(field ion implamtain)을 실시한후 제2도 (c)에서와 같이 상기 결과물 전면에 절화막(4)을 증착시키고 그 다음 제2도(d)에서와 같이 에치-백(Etch-Back) 방법을 이용하여 제2다결정실리콘(3') 위에 있는 절화막(4)을 제거한다.
그 다음 제2도 (e)에서와 같이 마스크로 사용했던 맨 위층의 제2다결정실리콘(3')을 제거하고 그 후 제2도 (f)에서와 같이 질화막(4)을 마스크(Mask)로 사용하여 제1산화막(2) 제1다결정실리콘(3)/제2산화막(2')을 식각하고 그 다음 제2도 (g)에서와 같이 마스크로 사용했던 질화막(4)을 제거한다.
그리고 제2도 (h)에서와 같이 산화막을 사용하여 식각된 세1산화막(2)/제1다결정실리콘(3)/제2산화막(2') 측벽에 사이드윌(side wall)(5)을 형성한다.
상기와 같이 구성된 반도체 소자에서는 제1도에서와 같이 필드트랜지스터의 게이트(Gate)가 디는 다결정실리콘(13)에 기판과 같은 전압을 인가하므로써 그 위를 지나가는 트랜지스터(Active Transistor)의 게이트(Gate)(14)에 인가되는 전압에 관계없이 필드트랜지스터(field trangistor)는 작동되지 않으므로써 두 소자사이의 격리가 이루어진다.
즉, 소자격리영역(필드트랜지스터 영역)의 실리콘기판이 필드트랜지스터의 게이트에 의하여 일정한 전압을 유지함으로써 두 소자사이의 격리가 이루어진다.
따라서 본 발명은 액티브영역(Active Region) 정의(define)와 필드이온주입(field ion implantation)이 자기정렬 방식에 의하여 이루어지므로 버드빅(birds beak)이 전혀 형성되지 않고, 필드이온주입량을 조절할 수 있어 필드트랜지스터가 동작하기 시작하는 전압을 높일 수 있고, 필드위에 다결정실리콘이 존재하므로서 방사선(radiation)에 의하여 발생하는 누설전류(leakage currnet)를 방지할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 실리콘기판 위에 제1산화막, 제1다결정실리콘, 제2산화막 및 제2다결정실리콘을 차례로 증착하고 액티브 마스크를 사용하여 제2다결정실리콘을 액티브 영역에만 남도록 식각하는 공정과, 자기정렬 방식에 의하여 필드이온주입을 실시하고 전면에 질화막을 증착하는 공정과, 에치백하여 상기 제2다결정실리콘 상측의 질화막을 선택적으로 제거하고 제2다결정실리콘을 제거하는 공정과, 질화막을 마스크로 하여 액티브 영역의 제1산화막, 제1다결정실리콘 및 제2산화막을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 제1산화막, 제1다결정실리콘 및 제2산화막 측벽에 산화막 사이드월을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 모오스 소자격리 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR102175901B1 (ko) | 2019-05-08 | 2020-11-06 | 신재웅 | 연질부재 및 이를 구비한 토우캡 조립체 |
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1990
- 1990-11-13 KR KR1019900018291A patent/KR940001506B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920010947A (ko) | 1992-06-27 |
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