KR930020636A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명 반도체 장치의 소자 분리 방법에 관한 것이다. 특히, 종래의 필드 영역은 액티브 영역으로, 종래의 액티브 영역은 소자 분리 영역으로 활용할 수 있는 반도체 장치의 제조방법에 있어서 실리콘기판위에 통상의 제1차 필드산화막을 형성하여 소자분리를 완성시킨 다음, 상기 필드산화막을 제거하는 공정; 액티브영역이 개구된 버퍼층 패턴을 상기 필드 산화막이 제거된 필드 영역위에 형성시키는 공정; 이어서 상기 액티브 영역을 산화시켜 제2차 필드산화막을 형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서 상술한 본 발명의 방법에 의하면 액티브영역으로 버즈비크현상을 줄이고 그에 따라서 버즈비크영역의 기판실리콘 표면부근에 발생하는 강제력을 줄여주며 액티브 영역의 확장 표과가 있으므로 반도체 장치의 고집적 및 전기적 특성향상에 효과적인 이점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도에서 제2e도는 본 발명의 방법에 의한 LOCOS 소자분리 형성 공정 순서 단면도이다.
제3a도 및 제3b도는 본 발명과 종래 기술에 의해 형성된 액티브 영역과 필드영역을 부분적으로 확대하여 차이점을 비교한 부분 단면도이다.
Claims (8)
- 반도체장치의 LOCOS 소자 분리 방법에 있어서, 실리콘 기판 위에 통상의 제1차 필드산화막을 형성하여 소자 분리를 완성시킨 다음, 상기 필드산화막을 제거하는 공정; 액티브 영역이 개구된 버퍼층 패턴을 상기 필드산화막이 제거된 필드 영역위에 형성시키는 공정; 이어서 상기 액티브 영역을 산화시켜 제2차 필드산화막 형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1차 필드산화막은 습식식각에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 버퍼층 패턴은 하부에 패드산화막, 상부에 질화막이 적층 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 필드산화막은 100Å∼500Å 정도 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 질화막은 1000Å∼2,000Å 정도 두께로 침적 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1차 필드산화막을 제거하면 필드영역에 요(凹)부가 형성되면서 전체 기판 실리콘이 표면에 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1차 필드산화막과 제2차 필드산화막을 동일한 조건의 산화공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제6항 및 제7항에 있어서, 제2차 필드 산화막이 형성된 소자 영역에서 최종적으로 상기 필드영역의 요(凹)부가 액티브 영역으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920005292A KR940010323B1 (ko) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920005292A KR940010323B1 (ko) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 반도체 장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930020636A true KR930020636A (ko) | 1993-10-20 |
| KR940010323B1 KR940010323B1 (ko) | 1994-10-22 |
Family
ID=19331111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920005292A KR940010323B1 (ko) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 반도체 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940010323B1 (ko) |
-
1992
- 1992-03-30 KR KR1019920005292A patent/KR940010323B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940010323B1 (ko) | 1994-10-22 |
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