KR930020444A - 반도체 메모리장치의 워드라인 구동회로 - Google Patents

반도체 메모리장치의 워드라인 구동회로 Download PDF

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KR930020444A
KR930020444A KR1019920004123A KR920004123A KR930020444A KR 930020444 A KR930020444 A KR 930020444A KR 1019920004123 A KR1019920004123 A KR 1019920004123A KR 920004123 A KR920004123 A KR 920004123A KR 930020444 A KR930020444 A KR 930020444A
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치중에서 특히 메모리 셀에 연결된 워드라인에 인에이블시키는 워드라인 구동회로에 관한 것으로, 소정의 승압단 및 접지단사이에 형성되고 메모리 셀 어레이의 주변회로에서 상기 승단에 걸리는 전압에 상응하는 전압레벨로 생성되어 디코딩된 로우 어드레스에 의해서 동작되는 워드라인 출력회로(100)와, 소정의 로우 디코더의 출력신호에 의해 동작되는 워드라인신호(øXi)의 드라이버회로(200)를 구비하여, 워드라인의 인에이블 동작이 고속으로 이루어지고 전력소모의 증대가 최대한 억제되며 그라운드 노이즈의 발생이 최소화되어 결과적으로 반도체 메모리 장치의 신뢰성을 향상시키다.

Description

반도체 메모리장치의 워드라인 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 워드라인 구동회로.
제3도는 제2도의 동작타임도.

Claims (3)

  1. 칩 외부에서 공급되는 전원전압 이상의 승압된 전압이 걸리는 승압(Vpp)과 소정의 접지전압이 걸리는 접지단(Vss)을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 승압단 및 접지단사이에 형성되고 메모리 쎌 어레이의 주변회로에서 상기 승압단에 걸리는 전압에 상응하는 전압레벨로 생성되어 디코딩된 로우 어드레스에 의해 서 동작되는 워드라인 출력회로(100)와, 소정의 로우 디코더의 출력신호에 의해 동작되는 워드라인신호(øXi)의 드라이버회로(200)를 구비함을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워드라인 출력회로(100)가 메모리 쎌 어레이의 주변회로에서 상기 Vpp전압에 상응하는 전압레벨로 생성되어 디코딩된 로우어드레스(øXis)신호를 인버터(11)를 통하여 일입력하고 상기 디코딩된 로우어드레스(øXis)신호를 리셀시키기 위한 신호(øXiR)를 타입력하는 낸드회로(12)와, 상기 낸드회로(12)의 출력신호에 제어단자가 연결되고 상기 Vpp전압에 채널의 일단이 접속된 풀업 트랜지스터(13)와, 상기 디코딩된 로우어드레스(øXis)신호가 인버터(11)를 통해 반전된 신호에 제어단자가 연결되고 상기 풀업 트랜지스터(14)의 채널의 타단에 채널의 일단이 연결된 제1풀다운 트랜지스터(14)와, 상기 낸드회로(12)의 출력신호에 제어단자가 연결되고 상기 제1풀다운 트랜지스터(14)의 채널의 타단 및 접지전압 단 사이에 채널이 형성된 제2풀다운 트랜지스터(15)로 이루어짐을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 드라이버회로(200)가 소정의 로우 디코더의 프리디코딩된 출력신호에 인버터(16)를 통해 제어단자가 연결되고 채널의 일단이 상기 워드라인 출력회로(100)의 출력단에 연결되고 채널의 타단이 워드라인으로 연결되는 전송용 트랜지스터(18)와, 상기 인버터(16)와 상기 전송용 트랜지스터(18)의 제어단자사이에 삽입되어 상기 로우 디코더의 프리디코딩된 출력신호가 상기 전송용 트랜지스터(18)의 제어단자로의 신호전송을 고속으로 하기 위한 제어트랜지스터(17)로 이루어짐을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920004123A 1992-03-13 1992-03-13 반도체 메모리 장치의 워드라인 구동회로 KR950009235B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100457744B1 (ko) * 1997-12-31 2005-01-17 주식회사 하이닉스반도체 풀다운 노드를 가진 서브 워드 라인 구조

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KR100457744B1 (ko) * 1997-12-31 2005-01-17 주식회사 하이닉스반도체 풀다운 노드를 가진 서브 워드 라인 구조

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