KR930018653A - 반도체장치 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로 특히, 고융점 금속 살리사이드의 열적으로 불안정한 특성을 개선하는 방법에 있어서, 하지층상에 얇은 열산화막을 성장시키는 공정, 상기 열산화막상에 고융점 금속을 침적하는 공정 및 살리사이드화 열처리공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서 상기한 본 발명의 구성에 의하면, 상부에 자연산화막이 형성되어 있는 반도체기판 및 도프드 폴리실리콘막 상부를 얇은 열산화막으로 덮어 실리사이드 반응계면에서 격리함으로써 균일하고, 응집되는 현상이 없는 고융점 금속 살리사이드를 형성할 수 있으므로 반도체장치의 전기적 특성 및 신뢰성을 크게 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도는 본 발명에 의한 금속배선상에 고융점 금속 살리사이드를 형성하는 바람직한 실시에의 일 단면도이다.
제3b도는 본 발명에 의한 액티브 영역상에 도전접촉을 위한 고융점 금속 살리사이드를 형성하는 바람직한 다른 일예의 일 단면도이다.
Claims (10)
- 반도체장치의 고융점 금속 살리사이드를 형성하는데 있어서 하지층상에 얇은 열산화막을 성장시키는 공정, 상기 열산화막상에 고융점 금속을 침적하는 공정 및 살리사이드화 열처리공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하지층은 자연산화막이 상단에 형성되어 있는 도프드 폴리실로콘막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하지층은 자연산화막이 상단에 형성되어 있는 반도체기판의 액티브영역충인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도프드 폴리실리콘막은 폴리실리콘막을 형성후 고온도에서 포클(POCl3)공정에 의해 불순물이 상기 폴리실리콘막에 도프(dope)된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 폴리실리콘막 형성후 이온주입공정에 의해 상기 폴리실리콘막에 불순물을 주입하여 도프드 폴리실리콘막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열산화막의 성장두께는 40Å~80Å정도인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고융점금속은 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 탄탈륨등이 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 고신뢰성의 고융점 금속 실리사이드를 형성하기 위한 실리사이드화 열처리공정전의 막층구조로 하지층과 고융점 금속층 사이에 얇은 열산화막을 개재하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제8항에 있어서, 상기 하지층은 자연산화막이 상단에 형성되어 있는 도프드 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제8항에 있어서, 상기 하지층은 자연산화막이 상단에 형성되어 있는 반도체기판의 액티브영역층인 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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- 1992-02-07 KR KR1019920001782A patent/KR950000657B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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