KR930015346A - 양극성 상보적 금속 산화 반도체(bicmos)출력 버퍼 노이즈 감소 회로 - Google Patents

양극성 상보적 금속 산화 반도체(bicmos)출력 버퍼 노이즈 감소 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR930015346A
KR930015346A KR1019920023176A KR920023176A KR930015346A KR 930015346 A KR930015346 A KR 930015346A KR 1019920023176 A KR1019920023176 A KR 1019920023176A KR 920023176 A KR920023176 A KR 920023176A KR 930015346 A KR930015346 A KR 930015346A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
transistor
cmos
primary
pulldown
Prior art date
Application number
KR1019920023176A
Other languages
English (en)
Inventor
알. 오하네스 제임스
더블유. 클럭키 스테픈
데이비드 핵케 이.
엘. 야브로우 로이
Original Assignee
존 엠. 클락
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 존 엠. 클락, 내쇼날 세미컨덕터 코포레이션 filed Critical 존 엠. 클락
Publication of KR930015346A publication Critical patent/KR930015346A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/09448Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET in combination with bipolar transistors [BIMOS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

BICMOS 출력 버퍼 회로는 입력(VIN)에 인가되는 데이타 신호에 응답하여 출력(VOUT)에 고전위 레벨 및 저전위 레벨의 출력 신호를 공급한다. CMOS출력 풀다운 구동기 트랜지스터(Q60)는 비교적 대량의 전류를 도통시키는 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)에 베이스 구동전류를 발생시킨다. 비교적 소량의 전류를 도통시키는 CMOS 2차 출력 풀다운 트랜지스터(Q60A)는 상기 출력(VOUT) 및 저전위 전력 레일(GNDN) 사이에 상기 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)의 1차 전류경로와 병렬로 연결된 1차 전류 경로를 갖는다. CMOS 2차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)의 1차 전류경로와 병렬로 연결된 1차 전류 경로를 갖는다. CMOS 2차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)가 턴온되기 전에 소량의 싱크 전류의 풀다운을 개시하여 최대 첨두 출력 노이즈(VOLP)를 감소시키도록 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터(Q60)의 제어 게이트 노드에 연결된다. 피드 포워드 회로 캐패시턴스는 상기 바이폴라 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)의 베이스 노드와 상기 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터(Q60)의 제어 게이트 노드 사이에 연결된다. 상기 캐패시턴스 값은 최대 "골짜기(valley)" 출력 노이즈(VOLV)를 감소시키도록 상기 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터가 유지된 도통 전류를 공급하기 전에 상기 양극성 출력 풀다운 트랜지스터를 조기에 턴온시키기에 충분한 과도한 용량성 전류를 흐르게 하도록 선택된다.

Description

양극성 상보적 금속 산화 반도체(BICMOS)출력 버퍼 노이즈 감소 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 양극성출력단에서의 최대첨두출력노이즈(VOLP)의 감소를 위하여 CMOS 2차출력풀다운트랜지스터를 사용하는 본 발명에 의한 노이즈감소회로를 가지는 BICMOS 풀다운회로부분의 부분개략회로도,
제5도는 양극성 출력단에서의 최소첨두출력노이즈(VOLP)를 감소시키기 위한 CMOS 전방공급회로정전용량을 가지는 노이즈감소회로를 표시하는 관련풀다운회로부분의 부분개략회로도,
제5A도는 별도회로 구성부품전방공급커패시터를 가지는 또다른 실시예를 표시하는 부분개략회로도,
제6도은 제4도의 회로에 의한 최대첨두출력노이즈(VOLP)의 감소를 표시하는 출력에서의 고-저 전위레벨들사이의 스위칭 동안의 출력전압 대 시간의 그래프.

Claims (1)

  1. 입력에 인가되는 데이타 신호에 응답하여 출력에 고전위 레벨 및 저전위 레벨의 출력 신호를 공급하며, 출력으로부터 저전위 전력 레일로 전류를 싱크(sink)시키도록 연결된 콜렉터 및 에미터 노드를 통한 1차 전류 경로를 갖는 비교적 대량의 전류를 도통시키는 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터, 및 상기 양극성 1차 출력 풀다운트랜지스터의 베이스 노드에 연결된 드레인 및 소오스 노드와 입력 회로를 통해 상기 입력에 연결된 제어 게이트 노드를 통한 1차 전류 경로를 갖는 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터를 포함하는 BICMOS 출력 버퍼 회로에 있어서, 상기 출력 및 저전위 전력 레일 사이에 상기 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터의 1차 전류 경로와 병렬로 연결된 드레인 및 소오스 노드를 통한 1차 전류 경로를 지니되, 상기 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터가 턴온되기 전에 상기 출력으로 부터 직접 접지로 작은 싱크 전류를 풀다운을 개시하여 첨두 출력 노이즈를 감소시키도록 상기 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터의 제어 게이트 노드에 연결된 제어 게이트 노드를 갖는 비교적 소량의 전료를 도통시키는 CMOS 2차 풀다운 트랜지스터를 구비하여, 상기 BICMOS 출력 버퍼 회로가 스위칭되는 동안 공통 버스에 연결된 정적(靜的)출력에서 출력 노이즈를 감소시키는 개선된 BICMOS 출력 버퍼 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920023176A 1991-12-06 1992-12-03 양극성 상보적 금속 산화 반도체(bicmos)출력 버퍼 노이즈 감소 회로 KR930015346A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91-803,466 1991-12-06
US07/803,466 US5233237A (en) 1991-12-06 1991-12-06 Bicmos output buffer noise reduction circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930015346A true KR930015346A (ko) 1993-07-24

Family

ID=25186577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920023176A KR930015346A (ko) 1991-12-06 1992-12-03 양극성 상보적 금속 산화 반도체(bicmos)출력 버퍼 노이즈 감소 회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5233237A (ko)
EP (1) EP0545362A1 (ko)
JP (1) JPH05327470A (ko)
KR (1) KR930015346A (ko)
CA (1) CA2084602A1 (ko)
TW (1) TW240352B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63159403U (ko) * 1987-04-06 1988-10-19
US5015889A (en) * 1989-02-23 1991-05-14 Reay Robert L Schottky enhanced CMOS output circuit
US5489861A (en) * 1993-12-20 1996-02-06 National Semiconductor Corporation High power, edge controlled output buffer
WO1997030398A1 (en) * 1996-02-20 1997-08-21 Intergraph Corporation Apparatus and method for signal handling on gtl-type buses
JP3833199B2 (ja) * 2003-07-24 2006-10-11 沖電気工業株式会社 相補信号発生回路
US7741897B1 (en) * 2008-05-29 2010-06-22 Integrated Device Technology, Inc. Method and apparatus for self gate pumped NMOS high speed switch

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193720A (ja) * 1987-02-06 1988-08-11 Toshiba Corp 論理回路
JPS63202126A (ja) * 1987-02-17 1988-08-22 Toshiba Corp 論理回路
US4972104A (en) * 1988-06-03 1990-11-20 Fairchild Semiconductor Corporation TTL totem pole anti-simultaneous conduction circuit
JPH0229115A (ja) * 1988-07-19 1990-01-31 Toshiba Corp 出力回路
US4871928A (en) * 1988-08-23 1989-10-03 Motorola Inc. BICMOS driver circuit with complementary outputs
US4961010A (en) * 1989-05-19 1990-10-02 National Semiconductor Corporation Output buffer for reducing switching induced noise
JP2546904B2 (ja) * 1990-01-31 1996-10-23 三菱電機株式会社 半導体論理回路
US5081374A (en) * 1990-02-22 1992-01-14 National Semiconductor Corporation Output buffer circuit with signal feed forward for reducing switching induced noise
US5036222A (en) * 1990-02-22 1991-07-30 National Semiconductor Corporation Output buffer circuit with output voltage sensing for reducing switching induced noise
US5101123A (en) * 1990-06-29 1992-03-31 Texas Instruments Incorporated CMOS to ECL translator circuit and methodology

Also Published As

Publication number Publication date
US5233237A (en) 1993-08-03
TW240352B (ko) 1995-02-11
JPH05327470A (ja) 1993-12-10
EP0545362A1 (en) 1993-06-09
CA2084602A1 (en) 1993-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3415241B2 (ja) 電圧変換器
JP3044351B2 (ja) 出力バッファ
JP3618829B2 (ja) ノイズの影響を受けないリセット優先レベルシフト回路
US4694202A (en) Bi-MOS buffer circuit
US5296765A (en) Driver circuit for sinking current to two supply voltages
US5130569A (en) Power-on reset circuit
JPH04229714A (ja) バッファを有する集積回路
EP0307323B1 (en) Bipolar-complementary metal oxide semiconductor inverter
JPH0157533B2 (ko)
JPH06103837B2 (ja) トライステ−ト形出力回路
JPS60153205A (ja) トーテムポールトランジスタ出力段回路
KR930015346A (ko) 양극성 상보적 금속 산화 반도체(bicmos)출력 버퍼 노이즈 감소 회로
US5570044A (en) BiCMOS output driver with reduced static power consumption
JP2959449B2 (ja) 出力回路
JPS61276421A (ja) トランジスタタ−ンオフ回路
KR940005975B1 (ko) 출력회로
JPH0683058B2 (ja) 出力回路
JP2664834B2 (ja) Bicmos出力ドライバ
JPH0653800A (ja) 出力回路
JPS61198813A (ja) クロツクジエネレ−タ回路
JPH0245380B2 (ko)
JP2865481B2 (ja) CBiCMOSゲート回路
JPH0681025B2 (ja) ゲ−ト駆動回路
KR920003640A (ko) 저잡음 cmos 드라이버
JP3297256B2 (ja) 高速スイッチング回路

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid