KR930015346A - 양극성 상보적 금속 산화 반도체(bicmos)출력 버퍼 노이즈 감소 회로 - Google Patents
양극성 상보적 금속 산화 반도체(bicmos)출력 버퍼 노이즈 감소 회로 Download PDFInfo
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Abstract
BICMOS 출력 버퍼 회로는 입력(VIN)에 인가되는 데이타 신호에 응답하여 출력(VOUT)에 고전위 레벨 및 저전위 레벨의 출력 신호를 공급한다. CMOS출력 풀다운 구동기 트랜지스터(Q60)는 비교적 대량의 전류를 도통시키는 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)에 베이스 구동전류를 발생시킨다. 비교적 소량의 전류를 도통시키는 CMOS 2차 출력 풀다운 트랜지스터(Q60A)는 상기 출력(VOUT) 및 저전위 전력 레일(GNDN) 사이에 상기 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)의 1차 전류경로와 병렬로 연결된 1차 전류 경로를 갖는다. CMOS 2차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)의 1차 전류경로와 병렬로 연결된 1차 전류 경로를 갖는다. CMOS 2차 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)가 턴온되기 전에 소량의 싱크 전류의 풀다운을 개시하여 최대 첨두 출력 노이즈(VOLP)를 감소시키도록 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터(Q60)의 제어 게이트 노드에 연결된다. 피드 포워드 회로 캐패시턴스는 상기 바이폴라 출력 풀다운 트랜지스터(Q44)의 베이스 노드와 상기 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터(Q60)의 제어 게이트 노드 사이에 연결된다. 상기 캐패시턴스 값은 최대 "골짜기(valley)" 출력 노이즈(VOLV)를 감소시키도록 상기 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터가 유지된 도통 전류를 공급하기 전에 상기 양극성 출력 풀다운 트랜지스터를 조기에 턴온시키기에 충분한 과도한 용량성 전류를 흐르게 하도록 선택된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 양극성출력단에서의 최대첨두출력노이즈(VOLP)의 감소를 위하여 CMOS 2차출력풀다운트랜지스터를 사용하는 본 발명에 의한 노이즈감소회로를 가지는 BICMOS 풀다운회로부분의 부분개략회로도,
제5도는 양극성 출력단에서의 최소첨두출력노이즈(VOLP)를 감소시키기 위한 CMOS 전방공급회로정전용량을 가지는 노이즈감소회로를 표시하는 관련풀다운회로부분의 부분개략회로도,
제5A도는 별도회로 구성부품전방공급커패시터를 가지는 또다른 실시예를 표시하는 부분개략회로도,
제6도은 제4도의 회로에 의한 최대첨두출력노이즈(VOLP)의 감소를 표시하는 출력에서의 고-저 전위레벨들사이의 스위칭 동안의 출력전압 대 시간의 그래프.
Claims (1)
- 입력에 인가되는 데이타 신호에 응답하여 출력에 고전위 레벨 및 저전위 레벨의 출력 신호를 공급하며, 출력으로부터 저전위 전력 레일로 전류를 싱크(sink)시키도록 연결된 콜렉터 및 에미터 노드를 통한 1차 전류 경로를 갖는 비교적 대량의 전류를 도통시키는 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터, 및 상기 양극성 1차 출력 풀다운트랜지스터의 베이스 노드에 연결된 드레인 및 소오스 노드와 입력 회로를 통해 상기 입력에 연결된 제어 게이트 노드를 통한 1차 전류 경로를 갖는 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터를 포함하는 BICMOS 출력 버퍼 회로에 있어서, 상기 출력 및 저전위 전력 레일 사이에 상기 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터의 1차 전류 경로와 병렬로 연결된 드레인 및 소오스 노드를 통한 1차 전류 경로를 지니되, 상기 양극성 1차 출력 풀다운 트랜지스터가 턴온되기 전에 상기 출력으로 부터 직접 접지로 작은 싱크 전류를 풀다운을 개시하여 첨두 출력 노이즈를 감소시키도록 상기 CMOS 출력 풀다운 구동기 트랜지스터의 제어 게이트 노드에 연결된 제어 게이트 노드를 갖는 비교적 소량의 전료를 도통시키는 CMOS 2차 풀다운 트랜지스터를 구비하여, 상기 BICMOS 출력 버퍼 회로가 스위칭되는 동안 공통 버스에 연결된 정적(靜的)출력에서 출력 노이즈를 감소시키는 개선된 BICMOS 출력 버퍼 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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