KR930015138A - 발광소자의 제조방법 - Google Patents

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KR930015138A
KR930015138A KR1019910022966A KR910022966A KR930015138A KR 930015138 A KR930015138 A KR 930015138A KR 1019910022966 A KR1019910022966 A KR 1019910022966A KR 910022966 A KR910022966 A KR 910022966A KR 930015138 A KR930015138 A KR 930015138A
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KR1019910022966A
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Inventor
송진욱
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이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, Si-기판에 GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs등의 물질을 주입(implating)한후, 주입된 부분이 전면이건 일부분이건 그 위에 성장장치를 이용하여 다층막을 형성하여 발광소자를 제조하는 것으로 되어있으며, 이와같은 본 발명에 의하여 제조된 발광소자는 Si-기판의 전기적 특성이 우수하여 구동이 잘되고, 또한 추푸 패키지시 필요한 Si-서브마운트도 따로 부착할 필요가 없으며, Si-기판상에 어떠한 물질도 주입할 수 있으므로 어떠한 발광소자의 제조도 가능하게 되는 이점이 있다. 이러한 본 발명은 반절연성 기판을 사용한다면 매입 발광소자(buried LD)의 제작도 가능하고 위에는 언급한 바와같이 서브마운트가 필요없는 발광소자의 제작도 가능하며 본딩도 매우 용이한 장점이 있다.

Description

발광소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본발명에 의한 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면으로 제2도는 P-Si기판의 단면도,
제3도는 제조공정 설명도.

Claims (2)

  1. Si-기판에 GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs등의 물질을 주입한후, 주입된 부분이 전면이건 일부분이건 그 위에 LPE, MOCVD, MBE등의 성장장치를 이용하여 다층막을 형성하여 발광소자를 제조함을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Si-기판은 발절연성이거나 혹은 n+, p+등의 기판인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910022966A 1991-12-13 1991-12-13 발광소자의 제조방법 KR930015138A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459347B1 (ko) * 1998-04-16 2004-12-03 산요덴키가부시키가이샤 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈

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KR100459347B1 (ko) * 1998-04-16 2004-12-03 산요덴키가부시키가이샤 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈

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