KR930015117A - 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 화합물 반도체장치의 단면도.
제 2 도는 이 발명에 따른 화합물 반도체장치의 단면도.
제 3 a~c도는 이 발명에 따른 화합물 반도체장치의 제조공정도.
Claims (10)
- 화합물 반도체 장치에 있어서, 소정결정면을 가지는 반절연성 반도체기판과, 상기 반도체기판의 표면에 주플레이트와 소정각을 이루며 길게 형성된 절연막과, 상기 절연막이 형성되지 않은 반도체기판의 표면에 역경사면을 가지며 이 역경사면이 합쳐져 표면이 평탄하도록 형성된 제 1 도전형의 버퍼층과, 상기 절연막의 상부에 상기 버퍼층의 역경사면에 의해 형성된 삼각형의 보이드와, 상기 버퍼층의 상부에 제 2 도전형의 불순물이 한원자층으로 형성된 채널과, 상기 채널의 상부에 형성된 제 1 도전형의 스페이서층과, 상기 보이드 양측의 스페이서층에 상기 버퍼층과 겹치도록 형성된 고농도의 제 2 도전형의 웰영역과, 상기 웰영역의 상부에 형성된 소오스 및 드레인전극들과, 상기 웰영역이 형성되지 않은 스페이서층의 표면에 형성된 게이트전극을 구비한 화합물 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체기판이 GaAs, InP 또는 GaP들중 어느하나인 화합물 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형이 I형이고, 제 2 도전형이 N형인 화합물 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체판의 결정면이 (100), (010) 또는 (001)들중 하나인 화합물 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막이 주플레이트와 20~30°정도의 각도를 가지는 화합물 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보이드의 높이가 절연막의 폭에 의해 정해지는 화합물 반도체장치.
- 화합물 반도체장치의 제조방법에 있어서, 소정의 결정면을 가지는 반절연성 반도체기판의 표면에 주플레이트와 소정각도를 이루는 줄무늬 형태의 절연막을 형성하는 제 1 공정과, 상기 절연막이 형성되지 않은 반도체기판상에 역경사면을 가지고 이 역경사면들이 겹쳐 표면이 평탄해지도록 제 1 도전형의 버퍼층을 형성하는 제 2 공정과, 상기 버퍼층의 상부에 제 2 도전형의 불순물이 한원자두께로 이루어진 채널을 형성하는 제 3 공정과, 상기 채널상부에 제 1 도전형의 스페이서층을 형성하는 제 4 공정과, 상기 절연막 상부의 스페이서층 표면에 게이트전극을 형성하는 제 5 공정과, 상기 게이트전극 양측 스페이서에 상기 버퍼층과 겹치는 고농도의 제 2 도전형의 웰영역을 형성하는 제 6 공정과, 상기 웰영역의 표면에 소오스 및 드레인영역을 형성하는 제 7 공정을 구비한 화합물 반도체장치의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 절연막 500~1000Å 정도 두께로 형성하는 화합물 반도체장치의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 공정에서 제 5 공정까지 MBE 또는 MOCVD중 어느 하나로 한번의 스텝으로 형성하는 화합물 반도체장치의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 3 공정에서 상기 버퍼층의 역경사면들이 삼각형의 보이드가 동시에 형성되는 화합물 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910022197A KR940007665B1 (ko) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 |
| JP4326712A JPH05291307A (ja) | 1991-12-05 | 1992-12-07 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US08/071,993 US5413947A (en) | 1991-12-05 | 1993-06-07 | Method for manufacturing a semiconductor device with an epitaxial void |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910022197A KR940007665B1 (ko) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930015117A true KR930015117A (ko) | 1993-07-23 |
| KR940007665B1 KR940007665B1 (ko) | 1994-08-22 |
Family
ID=19324187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910022197A KR940007665B1 (ko) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940007665B1 (ko) |
-
1991
- 1991-12-05 KR KR1019910022197A patent/KR940007665B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940007665B1 (ko) | 1994-08-22 |
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