KR930014844A - 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930014844A
KR930014844A KR1019910022694A KR910022694A KR930014844A KR 930014844 A KR930014844 A KR 930014844A KR 1019910022694 A KR1019910022694 A KR 1019910022694A KR 910022694 A KR910022694 A KR 910022694A KR 930014844 A KR930014844 A KR 930014844A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
state image
lead frame
type solid
plastic
plastic type
Prior art date
Application number
KR1019910022694A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100206860B1 (ko
Inventor
김영선
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019910022694A priority Critical patent/KR100206860B1/ko
Publication of KR930014844A publication Critical patent/KR930014844A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100206860B1 publication Critical patent/KR100206860B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 고안은 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 세라믹을 이용하여 제작하던 패키지를 저가이며 성형성이 우수한 투명플라스틱으로 제작함과 아울러 그 내부의 소자를 빛의 투과성이 뛰어난 겔 타입의 인캡슐레이션 물질로 인캡슐레이션하여 저가의 양산성이 뛰어난 플라스틱 타입고체 촬상소자 패키지를 쉽게 상품화시킬 수 있도록 구성한 것이며, 또 상기 인캡슐레이션을 구형상의 타원체로 형성하여 투과되는 빛을 접속시키는 렌즈역할을 하게 함으로써 투명플라스틱이 가지는 빛의 투과성 문제를 어느 정도 보완시킨 것임을 특징으로 하고 있다.
또한, 외부으 몰드형상도 그 표면을 내부의 인캡슐레이션 형상과 같이 둥글게 형성하여 렌즈 역할을 하게 함으로써 빛의 투과성을 가일층 높인 플라스틱 타입 고체 촬상소자가 제공되어 있다.

Description

플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지의 구성을 보이는 단면도,
제3도 및 제4도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면으로서 외부몰드형태가 둥글게 형성된 플라스틱 타입고체 촬상소자 패키지의 단면도.

Claims (7)

  1. 고체촬상소자 패키지 구조에 있어서, 복수개의 본드패드(11a)가 구비된 고체촬상소자(11)와, 그 고체촬상소자(11)가 탑재되는 리드프레임(12)과, 그 리드프레임(12)에 상기 고체촬상소자(11)를 부착고정하기 위한 접착제(13)와, 다이어태치된 소자(11)와 상기 리드프레임(12)을 전기적으로 접속 연결시키기 위한 복수개의 금속와이어(14)와, 와이어본딩된 소자(11)를 인캡슐레이션 하기 위한 겔 타입의 인캡슐레이션 물질이 내장된 캡슐(15)과, 인캡슐레이션된 소자(11)와 상기 리드프레임(12)을 포함하는 일정부위를 몰딩하기 위한 투명플라스틱(16)으로 구성됨을 특징으로 하는 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리드프레임(12)은 고체촬상소자(11)의 본드패드(11a)와 금속와이어(14)로 연결되는 복수개의 내부리드(12a)와, 그 내부리드(12a)의 양측에 연장 형성된 외부리드(12b)로 구성됨을 특징으로 하는 플라스틱 타입 고체촬상소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 캡슐(15)을 구형상의 타원체로 형성하여 약하게 투과된 빛을 집속시키는 렌즈 역할을 하도록 구성함을 특징으로 하는 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 캡슐(15)에 내장되는 인캡슐레이션 물질은 클리어 몰드 컴파운드인 것을 특징으로 하는 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 투명플라스틱(16)에 의해 몰딩된 외부 몰드의 표면를 내부의 캡슐(15)과 같이 구형상으로 둥글게 형성하여 렌즈 역할을 하게 한 것임을 특징으로 하는 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 투명플라스틱(16)의 굴절률을 그 내부의 인캡슐레이션 물질의 굴절률보다 작게 형성함을 특징으로 하는 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지.
  7. 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지를 제작함에 있어서, 소잉공정에 의해 개개로 분리된 고체촬상소자(11)을 복수개의 내, 외부리드(12a)(12b)가 구비된 리드프레임(12)에 접착제(13)을 이용하여 부착 고정하는 다이어태치공정과, 다이어태치된 소자(11)의 본드패드(11a)와 리드프레임(12)의 내부리드(12a)를 금속와이어(14)를 이용하여 전기적으로 접속연결시키는 와이어본딩공정과, 와이어본딩된 소자(11)의 주위에 빛의 투과성이 뛰어난겔 타입의 인캡슐레이션 물질이 내장된 캡슐(15)을 형성하는 인캡슐레이션공정과, 인캡슐레이션된 소자(11)와 상기 리드프레임(12)의 아웃리드(12b)를 포함하는 일정부위를 투명플라스틱(16)으로 몰딩하는 몰딩공정과, 통상적인 트리밍/포밍공정을 포함하며 제작함을 특징으로 하는 플라스틱 타입 고체 활상소자 패키지 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910022694A 1991-12-11 1991-12-11 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법 KR100206860B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910022694A KR100206860B1 (ko) 1991-12-11 1991-12-11 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910022694A KR100206860B1 (ko) 1991-12-11 1991-12-11 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930014844A true KR930014844A (ko) 1993-07-23
KR100206860B1 KR100206860B1 (ko) 1999-07-01

Family

ID=19324592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910022694A KR100206860B1 (ko) 1991-12-11 1991-12-11 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100206860B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450360B1 (ko) * 2000-02-23 2004-09-30 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 촬상 장치 및 그 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450360B1 (ko) * 2000-02-23 2004-09-30 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 촬상 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100206860B1 (ko) 1999-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960009089B1 (ko) 패키지 성형용 금형 및 그 금형을 이용한 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법 및 패키지
JP3630447B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
US5264393A (en) Solid state image pickup device and method of manufacturing the same
US5534725A (en) Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
US5122861A (en) Solid state image pickup device having particular package structure
JP3173586B2 (ja) 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法
JP2000173947A (ja) プラスティックパッケージ
KR940001333A (ko) 수지봉합형 고체촬상소자 패키지 및 그 제조방법
JPS59117244A (ja) 半導体装置
KR20040033193A (ko) 이미지 센서용 반도체 칩 패키지 및 제조 방법
KR930014844A (ko) 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법
JPS60136254A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JPS6320120Y2 (ko)
JPH02229453A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS62174956A (ja) プラスチツク・モ−ルド型半導体装置
JP4070775B2 (ja) 半導体装置
JPH0745803A (ja) 固体撮像装置
JPS5998564A (ja) フオトセンサおよびその製造方法
JPS61194751A (ja) 半導体装置
KR100692779B1 (ko) 회로기판 일체형 이미지 센서 패키지
JPS6336139B2 (ko)
JPH0745802A (ja) 固体撮像装置
JPH0754974B2 (ja) 固体撮像素子
JPH0410445A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH0648883Y2 (ja) 光結合素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050318

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee