KR930014794A - 얇은 접합 형성방법 - Google Patents

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KR930014794A
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KR
South Korea
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point metal
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junction
silicon
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KR1019910023770A
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Inventor
이병일
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 종래의 방법에서 실리사이드가 실리콘 표면에서 밑으로 형성되기 때문에 0.1㎛정도의 얇은 정션을 형성할수 없었던 문제를 해결하여 0.1㎛ 이하의 정션을 형성하기 위한 정션을 원하는 부위에 선택적으로 실리콘을 성장한뒤 그 위에 고융점 금속을 중착하고 시간과 온도를 조정하여 선택적으로 성장한 실리콘만이 고융점 금속과 반응하도록 어닐링하여 실리사이드를 형성하고 미반응 고융점 금속을 제거하는 얇은 접합 형성방법이다.

Description

얇은 접합 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 얇은 접합 형성 공정단면도.

Claims (1)

  1. 정션을 원하는 부위에 선택적으로 실리콘을 성장한뒤 그 위에 고융점 금속을 중착하고 시간과 온도를 조절하여 선택적으로 성장한 실리콘만이 고융점 금속과 반응하도록 어닐링하여 실리사이드를 형성하고 미반응 고융점 금속을 제어하는 얇은 접합 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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