KR930011304A - 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
소오스 및 드레인전극을 오믹접촉시키기 위한 캡층을 형성하지 않고 도우너층을 리세스 에칭하여 스페이서층을 노출시키므로 낮은 이온주입에너지 및 열처리에 의해 낮은 이온주입영역을 형성할수 있다. 따라서, 낮은 이온주입에너지에 의해 결정결함을 최소화하여 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 또한 낮은 열처리 온도에 의해 이종접합계면에서 2DEG의 밀도를 크게하여 동작속도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명에 따른 HEMT의 수직단면도.
제3(a)∼(c)도는 제2도의 제조공정도이다.
Claims (5)
- 반절연성 화합물 반도체기판상에 적층되어 결정결합이 확산되는 것을 방지하는 제1도전형의 버퍼층과, 상기 버퍼층상에 적층되며 계면에 2차원 전자개스가 제한되어 주행되는 제1도전형의 활성층과 상기 활성층상에 형성되어 전자친화력의 차이에 의해 진자의 이동도를 증가시키는 제1도전형의 스페이서층과, 상기 스페이서 층상에 형성되어 전자를 발생하는 제2도전형의 도우너층과, 상기 도우너층의 상부에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극의 양측의 도우너층이 제거되어 노출된 스페이서층상에 형성된 소오스 및 드레인전극과, 상기 소오스 및 드레인전극 하부에 상기 활성층과 겹치도록 형성된 제2도전형의 이온주입영역을 구비한 화합물 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 I형이고, 제2도전형은 N형인 화합물 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인전극이 스페이서층과 오믹접촉되어 있는 화합물 반도체소자.
- 반절연성 화합물 반도체기판상에 제1도전형의 버퍼층, 제1도전형의 활성층, 제1도전형의 스페이서층 및 제2도전형의 도우너층을 한번의 스텝으로 적층하는 제1공정과, 상기 도우너층상에 보호막을 형성하는 제2공정과, 상기 소정부분의 보호막 및 도우너층을 제거하고 제2도전형의 이온주입영역을 형성하는 제3공정과, 소오스 및 드레인전극과 게이트전극을 형성하는 제4공정으로 이루어지는 화합물 반도체소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 도우너층 제어시 스페이서층이 예칭종료점으로 이용되는 화합물 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR950001165B1 KR950001165B1 (ko) | 1995-02-11 |
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ID=19322370
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR950001165B1 (ko) |
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1991
- 1991-11-06 KR KR1019910019692A patent/KR950001165B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR950001165B1 (ko) | 1995-02-11 |
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