KR930011243A - 고속전기신호 상호접속구조 - Google Patents

고속전기신호 상호접속구조 Download PDF

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KR930011243A KR1019920021740A KR920021740A KR930011243A KR 930011243 A KR930011243 A KR 930011243A KR 1019920021740 A KR1019920021740 A KR 1019920021740A KR 920021740 A KR920021740 A KR 920021740A KR 930011243 A KR930011243 A KR 930011243A
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마이클 에이치. 모리스
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Abstract

SIMM을 채용하는 컴퓨터 시스템에 특정한 용도를 갖는 개선된 고속 고밀도 DRAM 전기신호 상호접속구조.
구조는 단일원으로부터 시간임계신호를 구동하기 위한 온-보드 버퍼를 포함하며 또한 클린 상승/하강 신호에지를 갖는 고속 고밀도 SIMM으로 결과되는 회로기판의 전후면상에 대략 동등한 최소거리 신호라인길이 및 메모리모듈에 대한 바이어를 갖는 혁신적인 신호 트레이스 루우팅을 포함한다.

Description

고속전기신호 상호접속구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실제적 대 이론적 신호에서 상승시간 지연을 도시하는 도.
제2도는 라인 지연 반사 글리치를 포함하는 신호를 도시하는 도.
제3도는 본 발명을 이용하는 RAM 시스템 환경을 도시하는 도.
제4도는 본 발명의 사상을 이용하는 싱글인라인 메모리 모듈을 도시하는 도.
제5도는 본 발명의 최소 트레이스 길이 스타 클러스터 형상을 도시하는 도.

Claims (17)

  1. 제1면 및 제2을 가지고 있는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판에 있어서, 상기 회로기판의 상기 제1면에 실장되며 다수의 신호를 증폭하기 위한 구동집적회로(IC) 유니트, 상기 제1면에 실장되는 다수의 RAM 집적회로(IC)유니트로서, 상기 구동 IC 유니트로부터 상기 유니트의 각각 까지의 거리가 충분히 짧아 상기 구동 IC 유니트에 의해 구동되는 상기 다수의 신호중의 신호가 상기 유니트로부터 다시 반사하여 클록 펄스의 상승시간내에 상기 신호와 결합하여 잘못된 트리거를 제거하는 상태로 상기 구동 IC 유니트가 상기 RMA IC 유니트의 각각으로부터 대략 등거리에 위치되는 패턴으로 실장되는 상기 유니트, 상기 구동 IC 유니트를 각각의 상기 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제1 접속수단, 입력으로서 외부 데이터, 어드레스 및 제어신호를 수신하여 데이터 및 제어신호를 출력하기 위한 제2 접속수단, 상기 제2 접속수단을 상기 구동 IC 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제3 접속수단, 및 상기 제2 접속수단을 상기 구동 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제4 접속수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다수의 RAM IC 유니트는: 제1 아홉 유니트 클러스터의 중앙에 위치되는 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 중앙 RAM IC 유니트를 가지며, 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 중앙으로부터 수평방향으로 X1 인치 그리고 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 수직방향으로 Y1 인치 만큼 위치된 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 4개의 코너 RAM IC 유니트, 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수직방향으로 Y1 인치 만큼 위치된 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 2개의 수평측 RAM IC 유니트 및 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수평방향으로 X1 인치만큼 위치된 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 2개의 수직측 RAM IC 유니트를 갖는 3 유니트×3 유니트 대칭 격자로 위치된 제1 아홉 유니트 클러스터의 RAM IC 유니트, 제2 아홉 유니트 클러스터의 중앙에 위치되는 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 중앙 RAM IC 유니트를 가지며, 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 중앙으로부터 수평방향으로 X1 인치 그리고 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 수직방향으로 Y1 인치 만큼 위치된 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 4개의 코너 RAM IC 유니트, 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수직 방향으로 Y1 인치만큼 위치된 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 2개의 수평측 RAM IC 유니트, 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수평방향으로 X1 인치만큼 위치된 상기 제2 유니트 클러스터중 2개의 수직측 RAM IC 유니트를 가진 3 유니트×3 유니트 대칭 격자로 위치된 제2 아홉 유니트 클러스터의 RAM IC 유니트를 구비하고, 상기 제1 아홉 유니트 클러스터 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터는 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙이 상기 구동 IC 유니트의 중앙으로부터 상기 수평 방향으로 Z1 인치만큼 위치되도록 상기 회로기판상에 대칭적으로 위치되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 접속수단은: 최소거리 경로로 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC 유니트 및 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 상기 수평측 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고 또한 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 상기 수평측 RAM IC 칩의 각각을 최소거리경로로 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접한 코너 RAM IC 유니트에 접속하기 위한 제5 접속수단, 최소거리 경로로 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC 유니트 및 상기 제2 아홉유니트 클러스터중 상기 수평측 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고 또한 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 상기 수평측 RAM IC 칩의 각각을 최소거리 경로로 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접한 코너 RAM IC 유니트에 접속하기 위한 제6 접속수단, 및 최소거리 경로로 상기 구동 IC 유니트를 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제7 접속수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  4. 제3항에 있어서, X1은 대략이고, Y1은 대략 1/2 이고, Z1은 대략 2인 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1접속수단은: 여 어드레스 스트로브(CAS) 신호트레이스, 행 어드레스 스트로브(RAS) 신호 트레이스, 및 기입 인에이블(WE) 신호 트레이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  6. 제1항에 있어서, 상기 다수의 RAM IC 유니트는: 제3 아홉 유니트 클러스터의 중앙에 위치되는 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 중앙 RAM IC 유니트를 가지며, 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 중앙으로 부터 수평방향으로 X2 인치 그리고 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부티 수직방향으로 Y2 인치 만큼 위치된 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 4개의 코너 RAM IC 유니트, 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중심으로부터 상기 수직방향으로 Y2 인치만큼 위치된 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 2개의 수평측 RAM IC 유니트 및 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중심으로부터 상기 수평 방향으로 X2 인치 만큼 위치된 상기 제3 아홉유니트 클러스터중 2개의 수직측 RAM IC 유니트를 가지는 3 유니트×3 유니트 대칭 격자로 위치된 제3 아홉 유니트 클러스터의 RAM IC 유니트, 및 3×3 대칭 격자의 중앙에 위치된 일곱 유니트 클러스터중 중앙 RAM IC 유니트를 가지며, 상기 3×3 대칭 격자의 중앙으로부터 수평방향으로 X2 인치 그리고 상기 3×3 대칭 격자의 상기 중앙으로부터 수직방향으로 Y2 인치만큼 위치된 상기 일곱 유니트 클러스터중 3개의 코너 RAM IC 유니트, 상기 3×3 대칭 격자의 상기 중앙으로부터 상기 수직 방향으로 Y2 인치만큼 위치된 상기 일곱 유니트 클러스터중 2개의 수평측 RAM IC 유니트 및 상기 3×3 대칭 격자의 상기 중앙으로부터 상기 수평방향으로 X2 인치만큼 위치된 상기 일곱 유니트 클러스터중 하나의 수직측 RAM IC 유니트를 가지는 3×3 대칭 격자상에 위치되는 일곱유니트 클러스터의 RAM IC 유니트를 구비하며, 상기 제3 아홉 유니트 클러스터 및 상기 일곱 유니트 클러스터는 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 및 상기 3×3 대칭격자의 상기 중앙이 상기 구동 IC 유니트의 중앙으로부터 상기 수평 방향으로 Z2 인치만큼 위치되도록 상기 회로기판상에 위치되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터메모리 모듈회로기판.
  7. 제6항에 있어서. 상기 제1 접속수단은: 최소거리경로로 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 수평축 RAM IC 유니트 및 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고 또한 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC 칩의 각각을 최소거리 경로로 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접 코너 RAM IC 유니트에 접속하기 위한 제8 접속수단, 최소거리경로로 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 수직축 RAM IC 유니틀 및 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 수평측 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고, 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC칩을 최소거리 경로로 상기 일곱 유니트 클러스터의 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접한 코너 RAM IC 유니트에 접속하고, 또한 "L"형상 경로로 상기 일곱 유니트 클러스터의 상기 중심 RAM IC 유니트를 상기 코너 RAM IC 유니트의 인접하지 않은 코너 RAM IC 유니트에 접속하기 위한 제9 접속수단, 및 최소거리경로로 상기 구동 IC 유니트를 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 RAM IC 유니트 및 상기 일곱 유니트 클러스터의 상기 중앙 RAM IC에 전기적을 접속하기 위한 제10 접속수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  8. 제7항에 있어서, X2는 대략 1이고, Y2는 대략 1/2이고, Z2는 대략 2인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 컴퓨티 메모리 모듈회로기판.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2면에 실장된 다수의 미러 RAM 집적회로(IC) 유니트(상기 다수의 미러 RAM IC 유니트의 각각의 상기 미러 RAM IC 유니트는 상기 다수의 RAM IC 유니트의 각각의 상기 RAM IC 유니트의 미러상이고, 각각의 상기 미러 RAM IC 유니트는 상기 제2 면상에 상기 제1 면상에 있는 상기 대응하는 RAM IC 유니트에 바로 마주보게 위치된다), 및 상기 회로기판을 통해 상기 RAM IC 유니트를 상기 미러 RAM IC유니트에 전기적으로 접속하기 위한 다수의 접속 바이어를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  10. 제1면 및 제2면을 가지고 있는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판에 있어서, 상기 회로기판의 상기 제1면에 실장되며 다수의 신호를 증폭하기 위한 구동 집적회로(IC)유니트, 상기 제1면에 실장되는 다수의 RAM 집적회로(IC)유니트로서, 상기 구동 IC 유니트로부터 상기 유니트의 각각까지의 거리가 충분히 짧아 상기 구동 IC 유니트에 의해 구동되는 상기 다수의 신호중의 신호가 상기 유니트로부터 다시 반사하여 클록 필스의 상승시간내에 상기신호와 결합하여 잘못된 트리거를 제거하는 상태로 상기 구동 IC 유니트가 상기 RAM IC 유니트의 각각으로부터 대략 등거리에 위치되는 패턴으로 실장되는 상기 유니트, 상기 구동 IC 유니트를 각각의 상기 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제1 접속수단, 입력으로서 외부 데이터, 어드레스 및 제어신호를 수신하여 데이터 및 제어신호를 출력하기 위한 제2 접속수단, 상기 제2 접속수단을 상기 구동 IC 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제3 접속수단, 상기 제2 접속수단을 상기 구동 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제4 접속수단, 상기 제2면에 실장된 다수의 미러 RAM IC 유니트(상기 다수의 미러 RAM IC 유니트의 각각의 상기 미러 RAM IC 유니트는 상기 다수의 RAM IC 유니트의 각각의 상기 RAM IC 유니트의 미러상이고 각각의 상기 미러 RAM IC 유니트는상기 제2면에 상기 제1면상에 있는 상기 대응하는 RAM IC 유니트에 직접 마주보게 위치된다), 및 상기 회로기판을 통해서 상기 RAM IC 유니트를 상기 미러 RMA IC 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 다수의 접속 바이어를구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 다수의 RAM IC 유니트는: 제1 아홉 유니트 클러스터의 중앙에 위치된 상기 제1아홉 유니트 클러스터중 중앙 RAM IC 유니트를 가지며, 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 중앙으로부터 수평방향으로 X3 인치 그리고 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 중앙으로 부터 수직방향으로 Y3 인치만큼 위치된 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 4개의 코너 RAM IC 유니트, 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수직방향으로 Y3 인치만큼 위치된 상기 제1 아홉 유니트 클러스더중 2개의 수평측 RAM IC 유니트, 및 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수평방향으로 X3 인치만큼 위치된 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 2개의 수직축 RAM IC 유니트를 갖는 3 유니트×3 유니트 대칭 격자로 위치되는 제1 아홉 유니트 클러스터의 RAM IC 유니트, 제2 아홉 유니트 클러스터의 중앙에 위치된 상기 제1 아홉 유니트 클러스터중 중앙 RAM IC를 가지며, 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 중앙으로부티 수평방향으로 X3 그리고 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 수직방향으로 Y3 만큼 위치된 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 4개의 코너 RAM IC 유니트, 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부티 상기 수직방향으로 Y3 인치 만큼 위치된 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 2개의 평축 RAM IC 유니트 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수평방향으로 X3 인치만큼 위치된 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 2개의 수직측 RAM IC 유니트를 구비하며, 상기 제1 아홉 유니트 클러스터 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터는 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙이 상기 구동 IC 유니트의 중앙으로부터 상기 수평 방향으로 Z3 인치 만큼 위치되도록 상기 회로기판상에 대칭적으로 위치되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 접속수단은, 최소거리 경로로 상기 구동 IC 유니트를 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 RAM IC 유니트 및 상기 제2 아홉 유니트클러스터의 상기 중앙 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하기 위한 제5 접속수단, 최소거리경로로 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 수직축 RAM IC 유니트 및 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 수평측 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고 또한 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 수평축 RAM IC 칩의 각각을 최소거리 경로로 상기 제1 아홉 유니트 클러스터의 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접 코너 RAM IC 유니트에 접속하기 위한 제6 접속수단, 및 최소거리 경로로 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 수직축 RAM IC 유니트 및 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 수평축 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고 또한 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 수평축 RAM IC 칩의 각각을 최소거리경로로 상기 제2 아홉 유니트 클러스터의 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접한 코너 RAM IC 유니트에 접속하기 위한 제7 접속수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  13. 제12항에 있어서, X3은 대략 1이고, Y3은 대략 1/2이고, Z3은 약 2인 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  14. 제10항에 있어서, 상기 제1 접속수단은: 열 어드레스 스토로브(CAS) 신호 트레이스, 행 어드레스 스트로브(RAS) 신호 트레이스, 및 기입 인에이블(WE) 신호 트레이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  15. 제10항에 있어서, 상기 다수의 RAM IC 유니트는: 제3 아홉 유니트 클러스터의 중앙에 위치되는 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 중앙 RAM IC 유니트를 가지며, 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 중앙으로 부터 수평방향으로 X4 인치 그리고 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 수직방향으로 Y4 인치 만큼 위치된 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 4개의 코너 RAM IC 유니트, 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수직방향으로 Y4 인치만큼 위치된 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 2개의 수평축 RAM IC유니트, 및 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙으로부터 상기 수평 방향으로 X4 인치 만큼 위치된 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 2개의 수직측 RAM IC 유니트를 가지는 3 유니트×3 유니트 대칭 격자로 위치된 제3 아홉 유니트 클러스토의 RAM IC 유니트, 및 3×3 대칭 격자의 중앙에 위치된 일곱 유니트 클러스터중 중앙 RMA IC 유니트를 가지며, 상기 3×3 대칭격자의 중앙으로부티 수평방향으로 X4 인치 그리고 상기 3×3 대칭격자의 상기 중앙으로부터 수직방향으로 Y4 인치만큼 위치된 상기 일곱 유니트 클러스터중 3캐의 코너 RAM IC 유니트, 상기 3×3 대칭 격자의 상기 중앙으로부터 상기 수직 방향으로 Y4 인치만큼 위치된 상기 일곱유니트 클러스터중 2개의 수평측 RAM IC 유니트, 및 상기 3×3대칭 격자의 상기 중앙으로부터 상기 수평방향으로 X4 인치만큼 위치된 상기 일곱 유니트 클러스터중 하나의 수직축 RAM IC 유니트를 가지는 3×3 대칭 격자상에 위치되는 일곱 유니트 클러스터의 RAM IC 유니트를 구비하며, 상기 제3 아홉 유니트 클러스터 및 상기 일곱 유니트 클러스터는 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 및 상기 3×3 매칭격자의 상기 중앙이 상기 구동 IC 유니트의 중앙으로부터 상기 수평 방향으로 Z4 인치만큼 위치되도록 상기 회로기판상에 위치되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 접속수단은: 최소거리경로로 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 제2 아홉 유니트 클러스터중 상기 수평축 RAM IC 유니트 및 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고 또한 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC 칩의 각각을 최소거리 경로로 상기 제3 아홉 유니트 클러스터중 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접 코너 RAM IC 유니트이 접속하기 위한 제8 접속수단, 최소거리경로로 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 수직축 RAM IC 유니트 및 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 수평측 RAM IC 유니트에 전기적으로 접속하고, 상기 일곱 유니트 클러스터중 상기 수직측 RAM IC 칩을 최소 거리 경로로 상기 일곱 유니트 클러스터의 상기 코너 RAM IC 유니트의 2개의 대응하는 인접한 코너 RAM IC 유니트에 접속하고, 또한 "L" 형상 경로로 상기 일곱 유니트 클러스더의 상기 중앙 RAM IC 유니트를 상기 코너 RAM IC 유니트의 인접하지 않은 코너 RAM IC 유니트에 접속하기 위한 제9 접속수단, 및 최소거리경로로 상기 구동 IC 유니트를 상기 제3 아홉 유니트 클러스터의 상기 중앙 RAM IC 유니트 및 상기 일곱 유니트 클러스터의 상기 중앙 RAM IC에 전기적으로 접속하기 위한 제10 접속수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
  17. 제16항에 있어서, X4는 대략 1이고, Y4는 대략1/2이고, Z4는 대락2인 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 모듈회로기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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