KR930011165A - 반도체 소자 분리 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도~제1(b)도는 종래기술에 따른 트렌치 구조의 반도체 소자분리 공정을 나타낸 공정도.
제2도는 제1(b)도의 경사 이온주입 공정을 설명하는 부분 확대된 도면.
제3도는 제1(d)도의 'A'부분에 대한 확대도.
제4(a)도~제4(e)도는 본 발명에 따른 트렌치 구조의 반도체 소자분리 공정을 나타내는 공정 수순도.
제5도는 제4(e)도의 'D'부분에 대한 부분 확대 도시된 단면도.
제6도는 본 발명에 또 다른 실시예를 나타낸 단면도.
Claims (4)
- 실리콘 기판상에 패드 산화막, 질화막 및 고온 산화막의 형성으로 소자분리 영역을 위한 개구부 및 이 개구부 측벽에 스페이서를 형성하여 된 소개구부를 통해 트렌치를 형성하는 단계 ; 기판 전면에 불순물이 함유된 다결정 실리콘 막질을 형성하여 열처리하므로써 트렌치 측벽을 따라 불순물 이온층이 형성되는 단계 ; 전면에 버드 비크 발생 방지를 위해 절연층으로서 질화막을 형성하는 단계 ; 트렌치 내부를 다결정 실리콘으로 매립하고 상기 패드 산화막 이상으로 상기 트렌치 내주면상의 절연막을 부분적으로 식각 제거하여 매립된 실리콘에 대해 열산화시켜 필드 산화막을 형성하는 단계 ; 개구부를 지지하는 막질제거로 미세구조의 소자분리 영역을 형성하는 상기의 공정단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 소자분리 방법.
- 제 1 항에 있어서, 트렌치 측벽상에 이온층 형성후, 다결정 실리콘층 전면에 걸쳐 열산화시켜 산화막을 형성하는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리 방법.
- 제 1 항에 있어서, 트렌치 형성에 앞서 개구부를 이루는 고온 산화막을 습식식각으로 제거하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 반도체 소자분리 방법.
- 제 1 항에 있어서, 불순물 도우즈량의 증가를 위해서 트렌치 형성전에 개구부를 이루는 고온산화막 식각시 패드 산화막의 일부를 식각제거시키는 공정과 이 제거된 부분에는 불순물 이온이 함유된 다결정 실리콘층이 채워지는 단계를 실시함을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019910021692A KR940006091B1 (ko) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 반도체 소자분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019910021692A KR940006091B1 (ko) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 반도체 소자분리 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR930011165A true KR930011165A (ko) | 1993-06-23 |
KR940006091B1 KR940006091B1 (ko) | 1994-07-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910021692A KR940006091B1 (ko) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 반도체 소자분리 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940006091B1 (ko) |
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- 1991-11-29 KR KR1019910021692A patent/KR940006091B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR940006091B1 (ko) | 1994-07-06 |
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