KR930008843A - 반도체메모리장치 - Google Patents

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KR930008843A
KR930008843A KR1019910019192A KR910019192A KR930008843A KR 930008843 A KR930008843 A KR 930008843A KR 1019910019192 A KR1019910019192 A KR 1019910019192A KR 910019192 A KR910019192 A KR 910019192A KR 930008843 A KR930008843 A KR 930008843A
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KR
South Korea
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word line
word lines
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Application number
KR1019910019192A
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English (en)
Inventor
석용식
노재구
민동선
전동수
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 로우디토더에 의하여 선택되고 워드라인드라이버내에서 워드라인구동능력에 의하여 필요한 구동전압을 공급받는 복수개의 워드라인들을 구비하는 반도체메모리장치에 있어서, 하나의 로우디코더에 대응하는 워드라인들중에서 상기 하나의 워드라인구동클럭을 공통으로 공급받는 워드라인들중의 하나만을 제외한 나머지의 워드라인이 상기 하나의 로우디코더에 이웃하는 다른 하나의 로우디코더에 대응하는 워드라인들중에서 상기 하나의 워드라인구동클럭을 공통으로 공급받는 워드라인들중의 하나만을 제외한 나머지의 워드라인과 상기 워드라인 드라이버내에서 서로 꼬여있음을 특징으로 하는 반도체메모리장치이다.

Description

반도체메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3(A)도는 제3도의 구성에 따라 하나의 로우디코더에 해당하는 워드라인들이 선택된 형태를 보여준다.

Claims (7)

  1. 복수개의 로우디코더들과, 상기 복수개의 로우디코더들에 의하여 선택되어지는 복수개의 워드라인들과, 복수개의 워드라인구동클럭들을 발생시키고 상기 워드라인들에 상기 워드라인구동클럭들을 공급하는 워드라인 드라이버를 가지는 반도체메모리장치에 있어서, 상기 하나의 로우디코더에 대응하는 워드라인의 수가 상기 워드라인구동클럭의 수보다 최소한 2배이상이며, 상기 하나의 로우디코더에 대응하는 워드라인들중에서 하나의 워드라인구동클럭에 공통접속된 원드라인들중 하나의 워드라인을 제외한 워드라인 또는 워드라인들이 상기 하나의 로우디코더에 이웃하는 다른 하나의 로우디코더에 의하여 선택됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워드라인구동클럭들이 3개이상의 어드레스코딩에 의하여 발생됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 워드라인구동클럭들의 각각이 상기 하나의 로우디코더들에 대응하는 워드라인들중 하나 또는 둘 이상의 워드라인들과 접속되며, 하나의 워드라인구동클럭과 공통으로 접속된 상기 둘 이상의 워드라인들중 하나를 제외한 나머지가 상기 하나의 로우디코더에 이웃하는 다른 하나의 로우디코더에 의하여 선택됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 하나의 워드라인구동틀럭과 공통으로 접속된 상기 둘 이상의 워드라인들중 하나를 제외한 나머지가 상기 워드라인드라이버내에서 상기 하나의 로우디코더에 이웃하는 다른 하나의 로우디코더와 연결됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  5. 반도체메모리장치에 있어서, 복수개의 로우디코더들과, 상기 복수개의 로우디코더들에 의하여 선택되어지는 복수개의 워드라인들과, 상기 워드라인들의 수보다 최소한 작은 수를 가지는 워드라인구동클럭들을 발생하며 상기 워드라인들에 상기 워드라인구동클럭들을 공급하는 정션영역을 가지는 워드라인드라이버를 구비하며, 상기 워드라인구동클럭이 하나의 로우디코더에 대응하는 워드라인들중 둘이상의 워드라인과 공통으로 접속되는 경우에 상기 둘이상의 워드라인들중 하나를 제외한 나머지가 상기 하나의 로우디코더에 이웃하는 다른 하나의 로우디코더에 상기 정션영역을 통하여 연결됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  6. 로우디코더에 의하여 선택되고 워드라인드라이버내에서 워드라인구동클럭에 의하여 필요한 구동전압을 공급받는 복수개의 워드라인들을 구비하는 반도체메모리장치에 있어서, 하나의 로우디코더에 대응하는 워드라인들 중에서 상기 하나의 워드라인구동클럭을 공통으로 공급받는 워드라인들중의 하나만을 제외한 나머지의 워드라인이 상기 하나의 로우디코더에 이웃하는 다른 하나의 로우디코더에 대응하는 워드라인들중에서 상기 하나의 워드라인구동클럭을 공통으로 공급받는 원드라인들중의 하나만을 제외한 나머지의 워드라인과 상기 워드라인들라이버내에서 서로 꼬여있음을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 하나의 로우디코더에 속하는 나머지의 워드라인은 상기 다른하나의 로우디코더에 의하여 선택되고, 상기 다른 하나의 로우디코더에 속하는 나머지의 워드라인은 상기 하나의 로우디코더에 의하여 선택됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910019192A 1991-10-30 1991-10-30 반도체메모리장치 KR930008843A (ko)

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