KR930001670B1 - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치의 제조방법
제1도는 두-층 레지스트 방법에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 방법의 예시도.
제2도는 두-층 레지스트 방법에 따라 패턴을 형성함에 있어서, 종래 방법의 공정과 본 발명의 공정을 비교한 개략도.
본 발명은 조사-민감성(radiation-sensitive)중합체의 막을 형성하고, 형성된 막을 패턴화하는 것으로 이루어진 반도체 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
집적회로의 제조에 있어 소자의 집적도 및 밀도의 증가가 매우 긴급히 요구되고 있고 회로 패턴의 초미세가공기술의 개발 및 확립이 급격히 발전하고 있다. 리토그라프(lithograph)가공에 있어, 지금까지 사용되던 자외선 대신에 극자외선, X-선 및 전자비임과 같은 짧은 파장의 고에너지 조사(radiation)를 이용하여 패턴을 형성하는 방법이 개발되었고 이 기술의 발전에 따라 이들 조사에 민감한 고성능 레지스트 물질을 제공하는 기술의 확립이 필요불가결 하게 되었다. 집적회로의 제조에 있어 레지스트 물질을 기판 위에 피복하는 방법을 채용하여 노출 및 현상을 시켜 미세패턴을 형성하고 마스크로서 얻어진 패턴을 이용하여 기판을 에칭한다.
이 제조방법에 있어 레지스트가 고도의 민감성 및 고도의 해상도를 가져야만 서브 미크론급의 미세패턴이 얻어질 수 있다. 또한 에칭방법에 있어서 넓은 면 에칭을 주는 습윤 에칭법은 건조 에칭법에 의해 대체되었다. 따라서 레지스트는 건조 에칭 레지스턴스를 가져야만 한다. 그러나 이들 조건을 모두 만족시키는 레지스트는 거의 없다.
건조 에칭 레지스터의 문제와 불균일한 기판 표면에 의해 초래되는 레지스트 두께의 편차에 기인하는 해상 오차의 문제를 해결하는 수단으로서, 기판 위에 유기질 물질의 두꺼운 편광층을 형성하고 편광층 위에 레지스트 물질을 얇게 피복하여 고도의 민감성 및 해상도를 얻는 두-층(two-layer)레지스트 방법이 채용되었다.
두-층 레지스트 방법에 있어, Si를 함유하는 중합체를 상층으로 사용하고 광노출 및 상층 형상에 의해 패턴화하고 상층을 마스크로 사용하여 산소 반응성 이온 에칭에 의해 하층을 에칭함으로써 패턴을 형성한다. 그러나 이 방법에 있어서는 단층 레지스트 방법의 경우보다 공정이 복잡하고 수율 및 생산고의 저하가 초래된다. 따라서 공정의 단순화가 소망스럽다.
광 산발생제의 존재하에 트리메틸실릴 폴리(비닐페놀)의 촉매 분해가 서적(Microelectronic Engineering, 6(1987), 389-398페이지, North-Holland)에 개시되어 있으나 레지스트 분해를 위한 건조 에칭법은 개시되어 있지 않다.
X-선 레지스트로서 유기질 실리콘 단량체를 함유하는 중합체를 사용하고 O2플라즈마로 이 레지스트를 건조-현상하는 방법이 개시(J. Vax. Sci. Technol., 19, No 4, 872-880페이지(1981))되어 있다. 이 방법에서는 유기질 실리콘 단량체를 광노출 영역에 고정시켜 산소 반응성 이온에칭을 위한 마스크로서 작용하게 함으로써 네가티브 레지스트 패턴이 형성된다.
본 발명의 일차 목적은 조사에 노출시킨 후 건조 현상을 수행함으로써 포지티브 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것이다. 이 방법에 따르면 공정의 단순화, 특히 상기 언급한 두-층 레지스트 방법에서 공정이 단순화되고 수율 및 생산고가 증가한다.
본 발명에 따라서, 반도체 장치의 제조를 위하여, 조사에 의해 산 촉매를 발생시키는 물질과 산촉매에 의해 제거될 수 있는 Si-함유 기를 가지는 중합체로 구성된 레지스터 막을 형성하고, 조사에 의해 레지스트 막을 선택적으로 조사하고, 산소 반응성 이온 에칭 ECR에칭 또는 반응성 이온비임 에칭에 의해 조사된 레지스트 막을 패턴화하는 것으로 이루어진 방법에 의해 상기 목적이 달성될 수 있다.
더욱이 본 발명에 따라서 기판 위에 유기물질로 구성된 편광층을 형성하고 편광층 위에 중합체의 막을 형성하고 패턴을 형성하며, 광 노출은 조사에 의해 산 촉매를 발생하는 물질과 산촉매에 의해 제거될 수 있는 Si-함유 기를 가지는 중합체로 구성된 레지스터를 사용하여 수행되며 상층 및 하층은 산소 반응성 이온 에칭, ECR에칭 또는 반응성 이온비임 에칭에 의해 동시에 패턴화되는 두-층 레지스트 방법에 따라 반도체 장치를 제조하는 방법이 제공된다.
다음의 구조식(1) 또는 (2)로 표시되는 측쇄 구조를 가지는 중합체가 본 발명에서 가치있는 레지스트 중합체로서 사용되는 것이 바람직하다.
Figure kpo00002
또는
Figure kpo00003
상기 식에서 R1, R2및 R3는 각각 알킬기 또는 페닐기를 표시하고 R4및 R5는 각각 수소원자, 알킬기, 페닐기 또는
Figure kpo00004
를 표시한다.
상기 언급한 측쇄를 가지는 중합체로는 예컨대, 페놀-노볼락, 히드록시스티렌, 그 유도체, α-치환 히드록시스티렌, 그 유도체, 아크릴산, 그 에스테르, α-치환 아크릴산, 그 에스테르, 이타콘산, 그 에스테르, 카르복시스티렌, 그 유도체, 말레산, 그 에스테르, 푸마르산, 그 에스테르, 비닐 알코올, 그 유도체, 아크릴 아미드 유도체 및 메타크릴아미드 유도체의 단일 중합체 및 공중합체 등이 있다. 즉 본 발명에서 중요하게 사용되는 레지스트 중합체는 상기 구조식(1) 또는 (2)로 표시되는 기에 의해 상기 중합체의 -OH 또는 -COOH기의 양자의 일부 또는 전부를 치환함으로써 형성되는 중합체이다.
다음의 화합물은 본 발명에서 가치있게 사용되는 광 산 발생제로서 바람직한 것이다.
Figure kpo00005
상기 식에서 X
Figure kpo00006
는 PF6
Figure kpo00007
, BF4
Figure kpo00008
, SbF6
Figure kpo00009
, AsF6
Figure kpo00010
, SbF(OH)
Figure kpo00011
를 표시한다.
패턴화를 위한 에칭은 O2RIE, ECR에칭 및 반응성 이온비임 에칭의 어느 하나에 의해서 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 두-층 레지스트 방법에 의해 반도체 장치를 제조하는 방법은 제1도를 참고해서 설명될 것이다. 편광층(2)은 통상의 방법에 의해 기판(1)위에 형성되고, 조사에 의해 산촉매를 발생하는 물질과 산촉매에 의해 제거될 수 있는 Si-함유 기를 가지는 중합체로 구성된 레지스트로 된 상층(3)이 형성된다(제1a도 참조).
이어서 상층(3)의 소정영역(4)을 빛에 노출시키고 필요에 따라 베이킹(baking)을 실시한다. 그 다음에 상층(3)을 O2RIE, ECR에칭 또는 반응성 이온비임 에칭에 의해 에칭한다. 이어서 하층(2)을 에칭하여 포지티브 패턴(5)을 형성한다.
본 발명에서 사용되는, 구조식(1) 또는 (2)로 표시되는 구조를 측쇄에 가지는 중합체는 Si를 함유하기 때문에 이 중합체는 O2RIE레지스턴스를 갖는다. 프로톤산의 존재하에 중합체로부터 치환기가 제거되어 -OH 또는 -COOH를 형성한다. 따라서 본 발명에서 사용되는 물질이 조사를 받으면 노출된 영역에서 프로톤산이 발생하여 치환기를 제거하고 Si-프리중합체를 생성한다. 따라서 노출된 영역은 O2RIE에 의해 에칭되어 포지티브 패턴을 형성하고 동시에 형성된 패턴이 마스크로 되어 하층이 또한 에칭되고 그에 따라 상층 및 하층의 패턴화가 한 공정으로 이루어진다.
본 발명의 방법에서 조사 후 필요에 따라 베이킹을 실시할 수도 있다. 이 베이킹에 의해서 Si-함유기의 제거가 촉진된다. 중합체의 유리전이온도 이하의 온도에서 베이킹을 실시하는 것이 바람직하며 그렇지 않으면 얻어진 패턴의 해상도가 저하된다.
첨부된 도면 제2도는 종래 방법의 공정과 본 발명의 방법의 공정을 비교한 것이다. 제2도에서 알 수 있는 바와같이 본 발명의 방법이 종래 방법보다 우수하다.
본 발명에 따르면 두-층 레지스트 방법에 의해 반도체 장치를 제조하는 공정이 단순화될 수 있고 수율 및 생산고가 크게 증가한다. 이하에서 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하지만 이들 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
[실시예 1]
P-트리메틸실록시-α-메틸스티렌 및 메틸-α-클로로메타 크릴레이트를 9/1의 비율로 넣고 용매 1,4-디옥산 중에서 80℃로 라디칼 중합을 실시하여 조성비 1/1, 분자량 30,000 및 분산도 1.8의 중합체를 얻었다. 중합체에 [
Figure kpo00012
를 중합체를 기준으로 20중량%만큼 첨가하고 스핀-피복법에 의해 두께 5000Å의 막을 형성하고 막을 90℃에서 20분 동안 베이킹하여 레지스트 막을 형성하였다. Xe-Hg램프에 의해 레지스트 막을 60초 동안 조사하고 130℃에서 20분 동안 베이킹한 후 O2RIE(50W, 50SCCM 및 0.15Torr)에 의해 5분간 현상시켜 막 잔류비율 80%로 미세 패턴을 얻었다
[실시예 2]
실시예 1에서 사용된 [
Figure kpo00013
대신에
Figure kpo00014
를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1의 방법을 반복하여 유사한 결과를 얻었다.
[실시예 3]
페놀수지 및 감광제(나프로퀴논 디아지드), OFPR-800(Tokyo Oka)에서 입수)으로 이루어진 포토레지스트를 1.5㎛의 두께로 피복하고 1시간 동안 베이킹한 후 실시예 1에 기재된 것과 같은 방법으로 패턴화를 실시하고 이어서 O2RIE에 의해 20분간 에칭을 수행하였다. 치수이동없이 라인-앤드-스페이스 패턴(line-and-space pattern)이 이동되었다.
[실시예 4]
폴리(트리메틸실릴 메타크릴레이트)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1의 방법을 반복하고 O2RIE에 의해 3분간 현상을 실시함으로써 막 잔류비율 90%로 라인-앤드-스페이스 패턴을 얻었다.
[실시예 5]
중합체로서 폴리(트리메틸실릴메틸 메타크릴레이트)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 4와 같은 방법을 반복하여 유사한 결과를 얻었다.
[실시예 6]
중합체로서 α-트리메틸실록시스티렌/메틸 메타크릴레이트의 1/1공중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1의 방법을 반복하여 막 잔류비율 70%로 1.0㎛ 라인-앤드-스페이스 패턴을 얻었다.
[실시예 7]
OFPR-800을 1.5㎛의 두께로 피복하고 200℃에서 1시간 베이킹하여 편광층을 형성하고, 상층 레지스트로서 m-트리메틸실록시-α-메틸스티렌/메틸-α-클로로아크릴레이트의 1/1공중합체를 사용하여 실시예 1에 기재된 것과같은 방법으로 편광층 위에 레지스트 막을 형성하였다. 조립품을 Xe-Hg램프에 의해 100초 동안 조사하고 베이킹한 후 O2RIE(0.15 Torr, 50SCCM 및 50W)에 의해 25분간 에칭함으로써 라인-앤드-스페이스 패턴이 이동되었다.
[실시예 8]
O2RIE대신에 ECR(3×10-4Torr, 10SCCM, 1㎾의 μ웨이브 파우어, 30W의 RF bias)을 10분동안 시행한 것을 제외하고는 실시예 3과 같은 방법을 반복하여 유시한 결과가 얻어졌다.
[실시예 9]
O2RIE대신에 반응성이온 비임에칭(1×10-4Torr, 가속전압 500V, 10SCCM)을 15분간 시행한 것을 제외하고는 실시예 3과 같은 방법을 반복하여 유사한 결과가 얻어졌다.
상기 실시예에서 광 노출은 Xe-Hg에 의해 시행되었지만 EB 또는 X-선을 이용한 광노출에 의해서도 유사하게 패턴화를 할 수 있는 것은 자명하다.

Claims (8)

  1. 조사에 의해 산 촉매를 발생하는 물질과 산촉매에 의해 제거될 수 있는 Si-함유기를 가지는 중합체로 구성된 레지스트 막을 형성하고, 레지스트 막을 선택적으로 조사하고, 그리고 산소반응성 이온에칭, ECR에칭 및 반응성 이온비임 에칭 중의 어느 하나에 의해 조사된 레지스트 막을 패턴화하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레지스트가 다음 구조식(1)
    Figure kpo00015
    로 표시되는 구조를 측쇄에 가지는 중합체와 조사에 의해 프로톤산을 발생할 수 있는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
    단, 상기 식에서 R1, R2및 R3는 각각 알킬기 또는 페닐기를 표시하고, R4및 R5는 각각 수소원자, 알킬기, 페닐기 또는
    Figure kpo00016
    이다.
  3. 제1항에 있어서, 레지스트가 다음 구조식(2)
    Figure kpo00017
    으로 표시되는 구조를 측쇄에 가지는 중합체와 조사에 의해 프로톤산을 발생시킬 수 있는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
    단, 상기 식에서 R1, R2및 R3는 각각 알킬기 또는 페닐기를 표시하고 R4및 R5는 각각 수소원자, 알킬기, 페닐기 또는
    Figure kpo00018
    를 표시한다.
  4. 제1항에 있어서, 프로톤산을 발생하는 물질이 다음식
    Figure kpo00019
    으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택된 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
    단, 상기 식에서 X
    Figure kpo00020
    는 PF6
    Figure kpo00021
    , BF4
    Figure kpo00022
    , SbF6
    Figure kpo00023
    , AsF6
    Figure kpo00024
    , SbF5(OH)
    Figure kpo00025
    를 표시한다.
  5. 기판위에 유기질 물질로 구성된 편광층을 형성하고, 평광층 위에 중합체 막을 형성하고, 패턴을 형성하는 것으로 이루어지며 여기서 광노출은 조사에 의해 산촉매를 발생하는 물질과 중합체로서 산촉매에 의해 제거될 수 있는 Si-함유기를 가지는 중합체로 구성된 레지스트를 사용하여 수행되며, 상층 및 하층은 산소 반응성 이온에칭, ECR에칭 및 반응성이온 비임에칭중의 어느 하나에 의해 동시에 패턴화되는 것을 특징으로 하는 두-층 레지스트 방법에 따른 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 레지스트가 다음 구조식(1)
    Figure kpo00026
    으로 표시되는 구조를 측쇄에 가지는 중합체와 조사에 의해 프로톤산을 발생할 수 있는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
    단, 상기 식에서 R1, R2및 R3는 각가 알킬기 또는 페닐기를 표시하고, R4및 R5는 각각 수소원자, 알킬기, 페닐기 또는
    Figure kpo00027
    이다.
  7. 제5항에 있어서, 레지스트가 다음 구조식(2)
    Figure kpo00028
    으로 표시되는 구조를 측쇄에 가지는 중합체와 조사에 의해 프로톤산을 발생할 수 있는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
    단, 상기 식에서 R1, R2및 R3는 각가 알킬기 또는 페닐기를 표시하고 R4및 R5는 각각 수소원자, 알킬기, 페닐기 또는를 표시한다.
  8. 제5항에 있어서, 프로톤산을 발생하는 물질이 다음식
    Figure kpo00030
    으로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
    단, 상기 식에서 X
    Figure kpo00031
    는 PF6
    Figure kpo00032
    , BF4
    Figure kpo00033
    , SbF6
    Figure kpo00034
    , AsF6
    Figure kpo00035
    , SbF5(OH)
    Figure kpo00036
    이다.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2685075B2 (ja) * 1988-11-29 1997-12-03 富士通株式会社 二層構造ポジ型レジストの上層レジスト
JPH0442229A (ja) * 1990-06-08 1992-02-12 Fujitsu Ltd レジスト材料およびパターンの形成方法
JPH06332196A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Nippon Paint Co Ltd レジストパターンの形成方法
JP2980149B2 (ja) * 1993-09-24 1999-11-22 富士通株式会社 レジスト材料およびパターン形成方法
KR0156316B1 (ko) * 1995-09-13 1998-12-01 김광호 반도체장치의 패턴 형성방법
US5767017A (en) * 1995-12-21 1998-06-16 International Business Machines Corporation Selective removal of vertical portions of a film
US6139647A (en) * 1995-12-21 2000-10-31 International Business Machines Corporation Selective removal of vertical portions of a film
US5985524A (en) * 1997-03-28 1999-11-16 International Business Machines Incorporated Process for using bilayer photoresist
US6444408B1 (en) * 2000-02-28 2002-09-03 International Business Machines Corporation High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists
JP2020095068A (ja) * 2017-03-31 2020-06-18 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
WO2020171006A1 (ja) * 2019-02-22 2020-08-27 Jsr株式会社 半導体基板の製造方法及び組成物
KR102418907B1 (ko) * 2020-06-30 2022-07-08 현대제철 주식회사 냉연 강판의 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4551417A (en) * 1982-06-08 1985-11-05 Nec Corporation Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices
US4481049A (en) * 1984-03-02 1984-11-06 At&T Bell Laboratories Bilevel resist
US4770977A (en) * 1984-09-21 1988-09-13 Commissariat A L'energie Atomique Silicon-containing polymer and its use as a masking resin in a lithography process
FR2570844B1 (fr) * 1984-09-21 1986-11-14 Commissariat Energie Atomique Film photosensible a base de polymere silicie et son utilisation comme resine de masquage dans un procede de lithographie
JPH067263B2 (ja) * 1985-08-19 1994-01-26 富士写真フイルム株式会社 光可溶化組成物
US4665006A (en) * 1985-12-09 1987-05-12 International Business Machines Corporation Positive resist system having high resistance to oxygen reactive ion etching

Also Published As

Publication number Publication date
US5068169A (en) 1991-11-26
JPH02115853A (ja) 1990-04-27
KR900007072A (ko) 1990-05-09
EP0366460A3 (en) 1990-08-29
EP0366460A2 (en) 1990-05-02

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