KR920704417A - 다알링톤 트랜지스터 회로 - Google Patents

다알링톤 트랜지스터 회로

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KR920704417A
KR920704417A KR1019920700311A KR920700311A KR920704417A KR 920704417 A KR920704417 A KR 920704417A KR 1019920700311 A KR1019920700311 A KR 1019920700311A KR 920700311 A KR920700311 A KR 920700311A KR 920704417 A KR920704417 A KR 920704417A
Authority
KR
South Korea
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voltage
transistor
transistor circuit
collector
base
Prior art date
Application number
KR1019920700311A
Other languages
English (en)
Inventor
토프 라이너
Original Assignee
랄프 홀거 베렌스;위르겐 프리트만
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 랄프 홀거 베렌스;위르겐 프리트만, 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 랄프 홀거 베렌스;위르겐 프리트만
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/3432—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors
    • H03F3/3435—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors using Darlington amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

다알링톤 트랜지스터 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 상기 콜렉터-에미터 항복 전압을 셋팅하기 위한 일반적인 조정 원리의 전기 회로.

Claims (4)

  1. 파워 트랜지스터(T1)와 상기 파워 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 콜렉터를 가진 구동기 트랜지스터를 포함하며, 상기 파워 트랜지스터 및 상기구동기 트랜지스터는 평면 테크놀러지 칩의 상기 두 트랜지스터(T1,T2)이 콜렉터 영역을 형성하는 공통 기판내에 일체적으로 집적되며, 베이스 블리드 저항기(R12)를 포함하며, 베이스와 콜렉터간의 칩 상부측상의 pn-접합의 영역에 구성되는 공간-전하 영역(RLZ)를 지나 확장되는 실리콘 산화물 층(17)에 의해 전기적으로 절연되게 만들어진 커버링 전극 금속화(18)를 포함하며, 상기 커버링 전극 금속화(18)에 전압 분할기(R1/R2)의 픽-오프가 연결된 상기 전압 분할기(저항기 R1및 R2)를 포함하며, 트랜지스터 항복 전압(콜렉터-에미터 항복 전압(UCE)이 상기 커버링 전극 금속화(18)의 전위에 의하여 조정 가능하고, 상기 전위가 상기 전압 분할기(R1/R2)의 셋팅에 의해 결정되어지는 다일링톤 트랜지스터 회로에 있어서, 상기 전위와 그로 인한 상기 항복 전압(UCE)은 부가적인 기준 전압에 의하여 조정되는 것을 특징으로 하는 다알링톤 트랜지스터 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할기(R1,R2)의 적어도 한 저항기는 제어 가능한 저항기(R1")로서 설계되는 것을 특징으로 하는 다알링톤 트랜지스터 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전압 분할기의 저항기(R1,R2)는 제어가능한 전류/전압원에 의하여 상기 파워 트랜지스터(T1)의 베이스(B1)와 공통 콜렉터(C)에 각기 접속되는 것을 특징으로 하는 다알링톤 트랜지스터 회로.
  4. 제3항에 있어서, 제너 다이오드(ZD1, ZD3)를 구동시키는 베이스를 가진 트랜지스터 회로(T3,T4,T5)로 구성된 상기 전류/전압원이 설치되는데, 상기 제너 다이오드는 항복 모드에서 동작되고, 상기 제너 다이오드의 항복 전압은 상기 제어된 전류/전압원의 기준 전압과 또 다른 전압 분할기(R3및 R4; R9및 R10)에 의하여 완전히 분할된 항복전압(UCE)이 비교될시에 다운스트림 저항기(R6, R8)와 트랜지스터(T3,T5)의 베이스-에미터 접합을 통한 전압과 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 다알링톤 트랜지스터 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920700311A 1989-08-16 1990-07-27 다알링톤 트랜지스터 회로 KR920704417A (ko)

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