KR880012007A - 반도체 스위칭 회로 - Google Patents

반도체 스위칭 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR880012007A
KR880012007A KR1019880003242A KR880003242A KR880012007A KR 880012007 A KR880012007 A KR 880012007A KR 1019880003242 A KR1019880003242 A KR 1019880003242A KR 880003242 A KR880003242 A KR 880003242A KR 880012007 A KR880012007 A KR 880012007A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
transistor
switching
semiconductor layer
switching device
Prior art date
Application number
KR1019880003242A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950008424B1 (ko
Inventor
시게루 스가야마
다아아끼 가리야
다쯔오 시무라
시게오 도미따
Original Assignee
원본미기재
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
히다찌 하라마찌 한도오따이 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 원본미기재, 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼, 히다찌 하라마찌 한도오따이 가부시기가이샤 filed Critical 원본미기재
Publication of KR880012007A publication Critical patent/KR880012007A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950008424B1 publication Critical patent/KR950008424B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
    • H03K17/292—Modifications for introducing a time delay before switching in thyristor, unijunction transistor or programmable unijunction transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
    • H03K17/732—Measures for enabling turn-off
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 스위칭 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 스위칭 회로도.
제2도는 제1도의 회로의 일부를 실현한 집적회로(IC)의 단면도.
제3도는 (a) 내지 (c)는 제1도의 회로의 동작 설명도.

Claims (9)

  1. 턴온 및 턴오프 신호에 의하여 제어되는 반도체 스위칭 회로에 있어서, 도전형이 서로 다른 네 개의 반도체 층을 나란히 배열하여서 된 스위칭 장치와, 상기 스위칭 장치에 있어서, 최외측 반도체 층의 하나에 연결된 1차단자, 다른 최외측 반도체층에 연결된 2차단자 및 중간 반도체층의 하나에 연결된 3차단자와, 상기 스위칭 장치를 턴온하기 위하여 상기 3차단자에 인가되는 온 제어신호의 발생장치와, 상기 스위칭 장치를 턴오프하는 오프 제어신호 발생장치와, 상기 중간 반도체층의 하나와 상기 2차단자에 각각 콜렉터와 에미터가 연결된 제1트랜지스터와, 상기 스위칭 장치의 중간 반도체층의 다른 하나와 상기 1차단자와 각각 베이스와 에미터가 연결되고 상기 스위칭 장치를 흐르는 전류의 일부가 상기 전류의 크기의 의존하여 베이스-에미터간에 바이페스 되는 제2트랜지스터와, 상기오프 제어신호에 따라 제2트랜지스터의 콜렉터를 제1트랜지스터의 베이스에 연결함으로써 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 전류를 상기 제1트랜지스터의 베이스 전류로 사용하고, 상기 스위칭 장치의 중간 반도체 층의 하나와 상기 2차 단자 사이에 흐르는 전류의 일부를 제1트랜지스터의 콜렉터-에미터 사이로 바이페스하여 상기 스위칭 장치를 턴오프 시키도록 하는 스위칭 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 콜렉터가 제2트랜지스터의 콜렉터에 연결되고, 에미터가 제1트랜지스터의 베이스에 연결되며, 베이스에는 상기 턴오프 신호가 인가되는 제트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제3트랜지스터는 MOSFET인 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 4개의 반도체층은 P.N.P.N. 반도체층이 이 순서대로 배열되어 구성되고, 여기에서 최외측 반도체층의 하나는 P 반도체층이고 다른 최외측 반도체층은 N 반도체층이며, 상기 제1 및 제3트랜지스터는 NPN 트랜지스터이고 상기 제2트랜지스터는 PNP 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 네 개의 반도체층은 P.N.P.N. 반도체층이 이 순서대로 배열되어 구성되고, 여기에서 최외측 반도체층이 하나는 N 반도체층이고 다른 최외측 반도체층은 P 반도체층이며, 상기 제1 및 제3트랜지스터는 PNP 트랜지스터이고 상기 제2트랜지스터는 NPN트랜지터인 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  6. 턴온 및 턴오프 신호에 의하여 제어되는 반도체 스위칭 회로에 있어서, 도전형이 서로 다른 네 개의 반도체층이 나란히 배열되어 구성된 스위칭 장치와, 상기 스위칭 장치에 있어서 최외측 반도체층의 하나에 연결된 1차단자, 다른 최외측 반도체층에 연결된 2차단자 및 중간 반도체 층으 하나에 연결된 3차단자와, 상기 스위칭 장치를 턴온하기 위해 상기 3차단자에 인가될 온 제어신호 발생장치와, 상기 스위칭 장치를 턴오프 하기 위한 오프 제어신호 발생장치와, 상기 중간 반도체층의 하나와 그에 인접한 최외측 반도체층을 흐르는 전류의 일부를 바이페스 하기 위한 1차 스위칭 수단과, 상기 스위칭 장치를 흐르는 전류의 크기에 의존하여 그 일부를 바이페싱하기 위한 2차 스위칭 수단과, 상기 오프 제어신호에 따라서 상기 2차 스위칭 수단에 의해 바이페스된 전류를 상기 1차 스위칭 수단에 공급하여 상기 1차 스위칭 수단에 의하여 바이페스된 전류의 크기를 조절하기 위한 3차 스위칭 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 2차 스위칭 수단에 의하여 바이페스된 전류의 크기는 다른 중간 반도체층과 그에 인접한 최외측 반도체층간의 전위차에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 2차 스위칭 회로에 의하여 바이페스되는 전류의 크기는 상기 1차단자에 연결된 저항기간의 전위차에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
  9. 제6항에 있어서, 상기 턴오프 신호는 상기 스위칭 장치가 턴오프를 유지하는 동안 계속 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880003242A 1987-03-28 1988-03-25 반도체 스위칭 회로 KR950008424B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62072988A JPS63242022A (ja) 1987-03-28 1987-03-28 半導体スイツチング回路
JP62-72988 1987-03-28
JP87-72988 1987-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880012007A true KR880012007A (ko) 1988-10-31
KR950008424B1 KR950008424B1 (ko) 1995-07-28

Family

ID=13505285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880003242A KR950008424B1 (ko) 1987-03-28 1988-03-25 반도체 스위칭 회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4833587A (ko)
JP (1) JPS63242022A (ko)
KR (1) KR950008424B1 (ko)
DE (1) DE3810536A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5030862A (en) * 1990-01-31 1991-07-09 Harris Corporation Turn-off circuit for gate turn off SCR
US5086242A (en) * 1990-10-16 1992-02-04 Harris Corporation Fast turn-off of thyristor structure
DE4118148C2 (de) * 1991-06-03 1994-01-13 Franz Jerfy Schalteranordnung mit Transistoren
US5561393A (en) * 1992-02-03 1996-10-01 Fuji Electric Co., Ltd. Control device of semiconductor power device
FR2726398B1 (fr) * 1994-10-28 1997-01-17 Sgs Thomson Microelectronics Thyristor commandable par des niveaux logiques

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5346588A (en) * 1976-10-08 1978-04-26 Omron Tateisi Electronics Co Conveying body induction method
US4117350A (en) * 1977-03-31 1978-09-26 Rca Corporation Switching circuit
CA1126812A (en) * 1977-08-10 1982-06-29 Yasuo Matsuda Power conversion apparatus
EP0027888B1 (en) * 1979-09-21 1986-04-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor switch
JPS5914355A (ja) * 1982-07-13 1984-01-25 Hitachi Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路
US4581542A (en) * 1983-11-14 1986-04-08 General Electric Company Driver circuits for emitter switch gate turn-off SCR devices
US4526677A (en) * 1984-06-04 1985-07-02 Rockwell International Corporation Removal of polyhalogenated biphenyls from organic liquids
JPS61219216A (ja) * 1985-03-25 1986-09-29 Hitachi Ltd 半導体スイツチ回路
US4641231A (en) * 1985-12-06 1987-02-03 General Electric Company Apparatus and method for failure testing of a control turn-off semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63242022A (ja) 1988-10-07
DE3810536A1 (de) 1988-10-13
US4833587A (en) 1989-05-23
KR950008424B1 (ko) 1995-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880010575A (ko) 논리회로
KR870009542A (ko) Mosfet의 소오스가 부하에 연결되는 mosfet를 동작시키기 위한 회로배열
KR890013890A (ko) 스위칭 파우워 mos 트랜지스터용 게이트 제어회로
KR900003711A (ko) 전압- 전류 변환기
KR860007750A (ko) 반도체 장치
KR860009424A (ko) 반도체 집적 회로
KR890013878A (ko) 집적된 저역통과 필터 장치
KR880012007A (ko) 반도체 스위칭 회로
KR900013714A (ko) 피보호 다알링턴 트랜지스터 회로 장치
KR840007325A (ko) 스위치 회로
KR860006870A (ko) 전류미러회로
KR900017164A (ko) 반도체장치
KR910016075A (ko) 공급 전원에서 공급되는 집적 회로의 입력을 과전압으로 부터 보호하기 위한 회로 장치
KR970077390A (ko) 패드를 이용한 반도체 장치
KR900002467A (ko) 입력보호회로
JPS5493376A (en) Semiconductor integrated circuit device
US4284911A (en) Switching network
KR900015308A (ko) 정전 보호회로
DE69227106T2 (de) Struktur zur Vermeidung des Durchschaltens einer parasitären Diode, die sich in einer epitaktischen Wanne von integrierten Schaltungen befindet
KR850006276A (ko) 논리 회로(logic circuit)
KR880005752A (ko) 게이트, 터언, 오프 다이리스터의 터언오프제어회로
KR880008528A (ko) 일체로 집적할 수 있는 극단전류 펄스 발생회로
KR840008218A (ko) 반도체 장치
KR890009093A (ko) 집적 논리회로
JPH02136563A (ja) 半導体スイッチング回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee