JPS5914355A - ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路

Info

Publication number
JPS5914355A
JPS5914355A JP57121931A JP12193182A JPS5914355A JP S5914355 A JPS5914355 A JP S5914355A JP 57121931 A JP57121931 A JP 57121931A JP 12193182 A JP12193182 A JP 12193182A JP S5914355 A JPS5914355 A JP S5914355A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
gto
thyristor
turn
drive circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57121931A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Tomita
富田 滋男
Takashi Kobayashi
隆 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57121931A priority Critical patent/JPS5914355A/ja
Publication of JPS5914355A publication Critical patent/JPS5914355A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/06Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はゲートターンオフサイリスタ(GTO)の駆動
回路に係シ、特にその回路構成を簡単にしたGTOの、
駆動回路に関する。
GTOは、通常のサイリスタと同様にそのゲートに正の
ゲート電流が与えられることによってターンオンし、通
常のサイリスタと違ってそのゲートから負のゲート電流
が引き抜かれることによってターンオフする。そのため
従来のターンオフ回路は、専用のオフゲート電源(コン
デンサの場合もある)を備え、それによってGTOのカ
ソードからゲートに負のゲート電流を流してGTOをタ
ーンオフするという方法をとっていた。しかしこの方法
では、専用のオフゲート電源が必要であり、GTOの駆
動回路が複雑となる欠点があった。
従って本発明の目的は、G ’1’ 0の駆動回路の構
成を簡単とするところにある。
本発明の要点は、GTOのカソード側に電流制限素子(
ダイオード又は抵抗器)を設け、オフゲート電源を備え
ることなく、GTOを確実にターンオフし得る回路構成
としたものである。その原理を第1図にそって説明する
第1図は本発明の原理説明図であυ、トランジスタ1,
2はGTOの等価回路を示す。図においてGTOのアノ
ードAは負荷3を介して負荷電源E、に接続され、その
カソードには電流制限素子4を介して接地(Gnd)さ
れる。一方GTOのゲートGは、抵抗素子5(抵抗器又
はダイオード)を介してオンゲート電源E、に接続され
、またスイッチ素子6を介して接地(Gnd)される。
この回路でGTOをターンオンさせるには、スイッチ素
子6を開路する。すると正のゲート電流1aが[E、 
−5−G−GTO−に−4−GndJの経路を流れ、G
TOがターンオンする(ターンオンの原理は通常のサイ
リスタと同様なので説明は省く)。GTOのオン状態で
は、アノード電流1ム (カソード電流it)が[E、
−3−A−GTO−に−4−Gn dJ (7)経路を
Rれている。
次にGTOをターンオフさせるには、スイッチ素子6を
閉路する。すると負のゲート電流−1,がrE+   
3  A  OTOG  6  GndJの経路を流れ
、GTOがターンオフする。その原理は、次のとおりで
ある。即ちGTOの等価回路において、スイッチ素子6
が閉路されると、トランジスタ1のコレクタ電流icI
は、トランジスタ2のペース電流iIと負のゲート電流
−ioとに分流する。−1oが流れると、iBはスイッ
チ素子6が開路していた場合と比べて減少し、従ってト
ランジスタ2のコレクタ電流lc、も減少する。tc。
が減少すれは、’CIも減少し、さらに五1が減少する
。この繰り返しによってGTOはターンオフするのであ
るが、スイッチ素子6の閉路時のインピーダンスZ−が
GTOのゲート・カソード間のインピーダンスZaに関
係する値よシも大きいと十分大きな−IQを引き抜くこ
とができず、GTOがターンオフできない場合がある。
そこでGTOのカソード側に電流制限素子4を設け、Z
aに関係する値を等制約KZIよルも大きくする。これ
によって十分大きな−IGを引き抜くことができ、GT
Oを確実にターンオフできる。電流制限素子4の値は、
オンすべきアノード電流iムの値に基づいて定められる
。その定め方は第2図の説明から明らかとなろう。
第2図は電流制限素子4をダイオードとした場合の試験
結果を示す。図において横軸はダイオード順方向電圧降
下VF(V)、縦軸はアノード電流1ム (A)である
。4点はダイオードなしの場合でオフ可能なアノード電
流Lムは0.6A、8点はVyが0.9vのダイオード
1個を接続した場合で1ムは2.OA、C点は上記ダイ
オード2個を直列接続した場合でiムは3.5A、D点
は上記ダイオード3個を直列接続した場合で1^は5.
5^であった。このようにダイオードの直列数を増して
電流制限素子4の値を大きくすれば、それだけ大きなア
ノード電流をオフすることができる。もちろんVFの大
きなダイオードを使用すれば、直列数は少なくてすむ。
また電流制限素子4として抵抗器を使用する場合は、そ
の抵抗値を変えればよい。可変抵抗器を使用すれば、ア
ノード電流iムの値によって適当な抵抗値を手軽に選択
できる。
第3図は電流制限素子としてダイオード41を用いた場
合の実施例である。図のようKGTOのアノードはラン
プ31(負荷)を介して負荷電源E、の正極に接続され
、そのカソードはダイオード41を介してElの負極に
接続される。一方、オフゲート電源E、の正極は抵抗素
子5を介してGTOのゲートに接続され、その負極はダ
イオード41のカソードに接続される。またトランジス
タ61(スイッチ素子)は、GToのゲートとダイオー
ド410カソード間に接続される。本例でランプ31を
点灯させるには、トランジスタ61を非導通にする。す
るとGTOのゲートに正のゲート電流がrE、 −5−
GTO41EtJの経路を流れ、GTOがターンオンす
る。これによシ負荷電流がrE+   31 0T0 
41  EtJの経路を流れ、ランプ31が点灯する。
ランプ31を消灯させるKは、トランジスタ61を導通
させる。するとGTOのゲートから負のゲート電流がr
El−31−GTO−61−EI Jの経路を流れ、G
TOがターンオフする。これにより上記負荷電流の流れ
る経路がしゃ断され、ランプ31が消灯する。
第4図は電流制限素子として抵抗器42を用いた実施例
である。本図は、第3図のダイオード41に代えて抵抗
器42を設けたものであシ、その動作は第3図の動作と
同じである。従ってその説明は省略する。
第3図及び第4図では、負荷としてランプを例にとった
が、本発明がこれに限定されるわけではない。ただラン
プの点灯消灯時にはサージ電流が発生するが、GTOは
サージ電流に強いの、で、ランプ点灯回路はトランジス
タよりもGTOで構成した方が故障が少なくなり、信頼
性が向上する。
また抵抗素子5は、狛のゲート電流の流入を阻止するも
ので、抵抗器でもダイオードでもよい。
以上のように本発明によれば、オフゲート電源を備える
ことなく、GTOを確実にターンオフできるので、GT
Oの駆動回路の構成を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、第2図はダイオード順電
圧降下とアノード電流との関係図、第3図は本発明の一
実施例、第4図は本発明の他の実施例である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 負荷がアノード側に接続されるゲートターンオフ
    サイリスタの駆動回路において、上記ゲニオターンオフ
    サイリスタのカンード側に接続されるダイオード、上記
    ゲートターンオフサイリスタのゲートに抵抗素子を介し
    て正極が接続され上記ダイオードのカンードに負極が接
    続されるオンゲート電源、上記ゲートターンオフサイリ
    スタのゲートと上記ダイオードのカソード間に接続され
    るスイッチ素子を備えたことを特徴とするゲートターン
    オフサイリスタの駆動回路。 2、特許請求の範囲第1項において、前記負荷はランプ
    であることを特徴とするゲートター/オフサイリスタの
    駆動回路。 1 負荷が7ノード側に接続されるゲートターンオアサ
    イリスタの駆動回路において、上記ゲートターンオフサ
    イリスタのカンード側に接続される抵抗′器、上記ゲー
    トターンオフサイリスタのゲートに抵抗素子を介して正
    極が接続され上記抵抗器の一端に負荷が接続されるオン
    ゲート電源、上記ゲートターンオフサイリスタのゲート
    と上記抵抗器の一端間に接続されるスイッチ素子を備え
    たことを、特徴とするゲートターンオフサイリスタの駆
    動回路。 4、特許請求の範囲第3項において、前記負荷はランプ
    であることを特徴とするゲートターンオフサイリスクの
    駆動回路。
JP57121931A 1982-07-13 1982-07-13 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路 Pending JPS5914355A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57121931A JPS5914355A (ja) 1982-07-13 1982-07-13 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57121931A JPS5914355A (ja) 1982-07-13 1982-07-13 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5914355A true JPS5914355A (ja) 1984-01-25

Family

ID=14823469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57121931A Pending JPS5914355A (ja) 1982-07-13 1982-07-13 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5914355A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758942A (en) * 1986-10-08 1988-07-19 Hitachi Ltd. Turn-off control circuit for a gate turn-off thyristor
DE3810536A1 (de) * 1987-03-28 1988-10-13 Hitachi Ltd Halbleiterschaltkreis

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5527794A (en) * 1978-08-11 1980-02-28 Gen Motors Corp Control circuit for controlling opening and closing of gate controlled switch

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5527794A (en) * 1978-08-11 1980-02-28 Gen Motors Corp Control circuit for controlling opening and closing of gate controlled switch

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758942A (en) * 1986-10-08 1988-07-19 Hitachi Ltd. Turn-off control circuit for a gate turn-off thyristor
DE3810536A1 (de) * 1987-03-28 1988-10-13 Hitachi Ltd Halbleiterschaltkreis
US4833587A (en) * 1987-03-28 1989-05-23 Hitachi Ltd. and Hitachi Haramachi Semi-Conductor Ltd. Semiconductor switching circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0412631B2 (ja)
CN100449929C (zh) 反相器电路
US4547686A (en) Hybrid power semiconductor switch
US4899088A (en) Power control circuit for inductive loads
US4276486A (en) Two terminal power control switch with triac current powered control means
JPS5914355A (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路
JPH06177418A (ja) ホトカプラ装置
JPS59172B2 (ja) 電界効果トランジスタの駆動回路
JP2007088599A (ja) 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
US4322637A (en) Solid state switch
US5027020A (en) Zero voltage switching AC relay circuit
JP2003133926A (ja) 突入電流抑止回路
JPS6053488B2 (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
JP3258050B2 (ja) 誘導性負荷用mosfetを備えた回路装置
JPH0327575A (ja) 半導体素子駆動回路
JPH0256856B2 (ja)
JPH07112150B2 (ja) 光トリガースイッチング回路
JPS60107915A (ja) 電子制御回路
JPH0818417A (ja) パワー素子駆動保護回路及びmosfet駆動保護回路
US5045724A (en) Circuit for limiting the short circuit output current
WO2020059244A1 (ja) 点灯制御回路
JP2006332304A (ja) 半導体リレー装置
JPS58222775A (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
SU1547054A2 (ru) Транзисторный ключ
JPS5910165A (ja) ゲートターンオフサイリスタのスイッチング回路