KR920022941A - 프레플럭스의 사용방법 및 프린트 배선판과 그 제조방법 - Google Patents

프레플럭스의 사용방법 및 프린트 배선판과 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

프레플럭스의 사용방법 및 프린트 배선판과 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 프린트 배선판에 전자부품을 실장해서 이루어지는 실장 프린트 배선판 일부의 측면도.
제2도는 본 발명에 의한 프린트 배선판의 제조공정의 흐름도.
제12도(a)는 동 또는 동합금 관통공 및 동 또는 동합금 패턴을 구비한 프린트 배선판 일부의 단면도.
제12도(b)는 동일한 프린트 배선판을 프레플럭스 처리한 후의 설명도.
제12도(c)는 프레플럭스 처리한 프린트 배선판을 산화 처리한 후의 설명도.

Claims (26)

  1. 하기 일반식(1) 또는 (2)로 표시되는 이미다졸계 화합물을 유효 성분으로서 함유하는 프레플럭스를 금속표면에 도포한 다음, 산화처리를 하는 것을 특징으로 하는 프레플레스의 제조방법.
    (단, R1은 H 또는 탄소수 3∼17의 알킬기, R2는 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, n은 0∼3)
    (단, R3은 H 또는 탄소수 1-6의 알킬기, R4는 H 또는 탄소수 1-6의 알킬기, R5는 탄소수 0-7의 알킬기, n은 0-3)
  2. 제1항에 있어서, 상기 이미다졸계 화합물이 하기 일반식(3) 또는 (4)로 표시되는 화합물인 프레플럭스의 사용방법.
    (단, R은 H 또는 탄소수 1∼17의 알킬기, R'는 H 또는 탄소수 1∼3의 알킬기)
    (단, R"는 H 또는 탄소수 0∼3의 알킬기)
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화처리는 가열처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프레플럭스의 사용방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화처리는 약액 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프레플럭스의 사용 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화처리는 노출 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프레플럭스의 사용 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화처리는 자외선 조사 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프레플럭스의 사용방법.
  7. 회로 형성후의 프린트 배선판에 하기 일반식(1) 또는 (2)로 표시되는 프레플럭스를 도포한 후, 산화 처리를 하고, 프린트 배선판의 실장면의 금속표면에 벤즈이미다졸 동착체 피막을 형성한 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
    (단, R1은 H 또는 탄소수 3∼17의 알킬기, R2는 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, n은 0∼3)
    (단, R3은 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R4는 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R5는 탄소수 0∼7의 알킬기, n은 0∼3)
  8. 제7항에 있어서, 회로 형성후의 프린트 배선판에 도포되는 이미다졸게 화합물이 하기 일반식(3) 또는 (4)로 표시되는 화합물인 프린트 배선판.
    (단, R은 H 또는 탄소수 1∼17의 알킬기, R'는 H 또는 탄소수 1∼3의 알킬기)
    (단, R"는 H 또는 탄소수 0∼3의 알킬기)
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 산화처리는 가열 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서, 산화처리는 약액 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서, 산화처리는 노출 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
  12. 제7항 또는 제8항에 있어서, 산화처리는 자외선 조사 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
  13. 회로 형성후의 프린트 배선판에 하기 일반식(1) 또는 (2)로 표시되는 프레플럭스를 도포한 다음, 산화 처리를 하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판 제조방법.
    (단, R1은 H 또는 탄소수 3∼17의 알킬기, R2는 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, n은 0∼3)
    (단, R3은 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R4는 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R5는 탄소수 0∼7의 알킬기, n은 0∼3)
  14. 제13항에 있어서, 회로 형성후의 프린트 배선판에 도포되는 이미다졸게 화합물이 하기 일반식(3) 또는 (4)로 표시되는 프린트 배선판의 제조방법.
    (단, R은 H 또는 탄소수 1∼17의 알킬기, R'는 H또는 탄소수 1-3의 알킬기)
    (단, R"는 H 또는 탄소수 0∼3의 알킬기)
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 산화처리는 가열처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  16. 제13항 또는 제14항에 있어서, 산화처리는 약액처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  17. 제13항 또는 제14항에 있어서, 산화처리는 노출처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  18. 제13항 또는 제14항에 있어서, 산화처리는 자외선 조사 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  19. 회로 형성후의 프린트 배선판에 하기 일반식(1) 또는 (3)로 표시되는 프레플럭스를 도포한 다음, 공기중 또는 산소 분위기 중에서 가열하는 리플로 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
    (단, R1은 H 또는 탄소수 3∼17의 알킬기, R2는 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, n은 0∼3)
    (단, R3은 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R4는 H 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, R5는 탄소수 0∼7의 알킬기, n은 0∼3)
  20. 제19항에 있어서, 회로 형성후의 프린트 배선판에 도포되는 이미다졸게 화합물이 하기 일반식(3) 또는 (4)로 표시되는 프린트 배선판의 제조방법.
    (단, R은 H 또는 탄소수 1~17의 알킬기, R'는 H 또는 탄소수 1∼3의 알킬기)
    (단, R"는 H 또는 탄소수 0~3의 알킬기)
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 리플로 처리는 최소한 제일 처음에 원적외선 리플로 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  22. 벤즈이미다졸기의 유도체 물질을 유효 성분으로서 함유하는 프레플럭스를 프린트 배선판에 도포한 다음, 산화 처리를 하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 산화처리는 가열 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  24. 제22항에 있어서, 산화처리는 약액 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  25. 제22항에 있어서, 산화처리는 노출 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  26. 제22항에 있어서, 산화처리는 적외선 조사 처리에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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