KR920019220A - 정전기확산성 수지조성물 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

정전기확상성 수지조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에서 사용하는 ZnO위스커의 비직선성을 표시한 특성곡선도.
제3도는 본 발명의 배합량특성을 표시한 특성 국선도.

Claims (90)

  1. 수지에 적어도, 반도체필터가 분산되고, 적어도 일부의 상기 반도체필터끼리가, 적어도 전기적으로 접촉하므로서 도전통로를 형성한 수지조성물에 있어서, 상기 반도체끼리의 접촉에 의한 Ⅴ-i특성의 비직선성의 정도를 표시하는 α값은, 2∼150인 것을 특징으로 한 정전기확산성 수지조성물.
  2. 제1항에 있어서, 반도체필터의 체적저항률이 105∼1010Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반도체필터가, 아스펙트비 3이상의 반도체위스커인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  4. 제3항에 있어서, 반도체 위스커가, 산화아연의 위스커인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  5. 수지에 적어도, 아스팩트비가 3이상이고, 체적저항돌기 105∼1010Ω·㎝의 산화아연위스커가 분산되고, 적어도 일부의 상기 산화아연위스커 끼리가, 적어도 전기적으로 접촉하여, 도전통로를 형성한 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 산화아연위스커의 체적저항률이 106∼1010Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 산화아연위스커의 체적저항률이 107∼1010Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  8. 제5항에 있어서, 산화아연위스커의 전기적접촉에 의한 Ⅴ-i특성의 비직선성의 정도를 표시하는 α값이, 2∼150인 산화아연위스커를 사용한 것을 특징으로 하는 정전기 확산성수지조성물.
  9. 제5항에 있어서, α값이, 2∼100인 산화아연위스커를 사용한 것을 특징으로 하는 정전기 확산성 수지조성물.
  10. 제5항에 있어서, α값이 2.5∼40의 산화아연위스커를 사용한 것을 특징으로 하는 정전기 확산성 수지조성물.
  11. 제5항에 있어서, α값이 3∼15의 산화아연위스커를 사용한 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  12. 수지에 적어도, 아스팩트비가 3이상이고, 체적저항률이 105∼1010Ω·㎝이며 α값이 2∼150의 산화아연위스커와, 다른 적어도 1종류의 도전성 필터가 분산되고, 적어도 일부의 상기 산화아연위스커끼리, 또는 산화아연위스커와 도전성필터, 또는 도전성필터끼리가, 적어도 전기적으로 접촉하여, 도전통로를 형성한 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 도전성필터가, 금속, 카아본블랙 또는 그래파이트의 입자 또는 플레이크 또는 위스커 또는 섬유인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  14. 제12항에 있어서, 도전성필터가, 세라믹스의 입자, 위스커, 또는 섬유인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  15. 제12항에 있어서, 산화아연위스커와 다른 도전성필터를 합계한 배합량이, 수지조성물의 5∼80중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  16. 제12항에 있어서, 산화아연위스커와 다른 도전성필터의 중량비율이, 1:50과 50:1의 사이인 것을 특징으로 하는 정전기확산성수지조성물.
  17. 수지에 적어도, 아스팩트비가 3이상이고, 체적저항률이 105∼1010Ω·㎝이며, α값이 2∼150의 산화아연위스커와, 적어도 1종류의 고체윤활제가 분산되고, 적어도 일부의 상기 산화아연위스커끼리 적어도 전기적으로 접촉하여, 도전통로를 형성한 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  18. 제17항에 있어서, 고체윤활제가 폴리테트라플로루오에틸렌, 고밀도폴리에틸렌, 전체방향족 폴리아미드, 전체 방향족 폴리에스테르, 입자상 페놀 및 그 흑연화물, 흑연, 2황화 몰리브덴, 2황화텅스텐, WSe2, NoSe2, 질화붕소등의 분말체인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  19. 제17항에 있어서, 고체윤활제의 배합량이, 수지 조성물의 1∼30중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  20. 제17항에 있어서, 산화아연위스커의 배합량이, 20∼80중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  21. 수지에 적어도, Ⅰ아스팩트비가 3이상이고, 체적저항률이 105∼1010Ω·㎝이며, α값이 2∼150의 산화아연위스커와, Ⅱ다른 적어도 1종류의 도전성필터와, Ⅲ적어도 1종류의 고체윤활제가 분산되고, 적어도 일부의 상기 산화아연위스커끼리 또는, 산화아연위스커와 도전상필터, 또는 도전상필터끼리가 적어도 전기적으로 접촉하여, 도전통로를 형성한 것을 특징으로 하는 정전기 확산성수지조성물.
  22. 제21항에 있어서, 도전성 필터가, 금속, 카아본 도는 그래파이트의 입자 또는 플레이크 또는 위스커 또는 섬유인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  23. 제21항에 있어서, 도전성 필터가, 세라믹스의 입자, 위스커, 또는 섬유인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  24. 제21항에 있어서, 산화아연위스커와 다른 도전성필터를 합계한 배합량이, 수지조성물 전체의 5∼80중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  25. 제21항에 있어서, 산화아연위스커와 다른 도전성필터의 배합중량비율이, 1:50과 50:1의 사이인 것을 특징으로 하는 정전기확산성수지조성물.
  26. 제21항에 있어서, 고체윤활제가, 폴리테트라플로루오에틸렌, 고밀도폴리에틸렌, 전체 방향족 폴리아미드, 전체방향족폴리에스테르, 입자상 페놀 및 그 흑연화물, 흑연, 2황화몰리브덴, 2황화텅스텐,WSe2, NoSe2, 질화붕소등의 분말체에서 선택된 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  27. 제21항에 있어서, 고체윤활제의 전체 배합량이, 수지조성물 전체의 1∼30중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  28. 제21항에 있어서, 산화아연위스커의 배합량이, 수지조성물전체의 20∼80중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  29. 제1항에 있어서, 반도체필터의 배합량이, 수지조성물 전체의 20∼80중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  30. 제1항에 있어서, 반도체 필터가, 산화아연, 또는 탄화규소, 실리콘, ImP, 셀렌, 티탄산바륨중에서 선택된 적어도 1종류의 입자나 플레이크, 위스키, 섬유인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  31. 제1항에 있어서, 반도체 필터가, 금속산화물 반도체의 입자나 플레이크, 위스커, 섬유인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  32. 제31항에 있어서, 금속산화물 반도체가, SnO2, TiO2, GeO2,CuO2, Ag2O, In2O3, Tl2O3, SrTiO3, LaCrO3, WO3, EuO, Al2O3, PbCrO4에서 선택된 적어도 1종류의 반도체인 것을 특징으로 하는 정전기 확산성 수지조성물.
  33. 제31항에 있어서, 금속산화물 반도체가, 산화주석인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  34. 제31항에 있어서, 금속산화물 반도체가, 산화인듐인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  35. 제31항에 있어서, 금속산화물 반도체가, 산화티탄인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  36. 제12항 또는 제21항에 있어서, 도전성 필터의 체적저항률이 105Ω·㎝미만인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  37. 제12항 또는 제21항에 있어서, 도전ㅇ 필터가 티탄산 칼륨의 도전위스커인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  38. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 최대 길이가 0.01㎛∼10㎛인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  39. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 최대 길이가 0.1㎛∼300㎛인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  40. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 최대 길이가 3㎛∼300㎛인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  41. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 최대 길이가 10㎛∼500㎛인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  42. 제4항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 산화아연위스커의 기부에서부터 선단부까지의 길이가 3㎛∼30㎛인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  43. 제42항에 있어서, 산화아연위스커의 기부에서부터 선단부까지의 길이가, 10㎛∼200㎛인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  44. 제42항에 있어서, 산화아연위스커의 기부에서부터 선단부까지의 길이가, 10㎛∼50㎛인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  45. 제1항에 있어서, 반도체필터의 형상이, 아스팩트비가 3∼10,000의 위스커나 섬유나 플레이크인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  46. 제1항에 있어서, 반도체필터의 형상이, 아스팩트비가 5∼50의 위스커나 섬유나 플레이크인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  47. 제4항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 산화아연위스커의 아스팩트비가 3∼1000인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  48. 제47항에 있어서, 아스팩트비가, 5∼50인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  49. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 α값이 2.5∼40인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  50. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 α값이 3∼15인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  51. 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 산화아연위스커의 α값이 2∼100인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  52. 제51항에 있어서, 산화아연위스커의 α값이 2.5∼40인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  53. 제51항에 있어서, 산화아연위스커의 α값이 3∼15인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  54. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 체적저항률이 108∼1010Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  55. 제1항에 있어서, 반도체 필터의 체적저항률이 107∼109Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  56. 제12항, 제17항 또는 21항에 있어서, 산화아연 위스커의 체적저항률이 106∼1010Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  57. 제56항에 있어서, 산화아연위스커의 체적저항률이 107∼1010Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  58. 제4항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 산화아연위스커가, 테트라포트형상인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  59. 제58항에 있어서, 용탕법에 의해 제조된 테트라포트형상의 산화아연 위스커인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  60. 제4항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 알루미늄나 인듐등의Ⅲ족원소 또는 구리나 리튬 혹은 크롬을 도우프한 산화아연위스커인 것을 특징으로 하는 정전기 확산성 수지조성물.
  61. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지가 열가소성수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  62. 제61항에 있어서, 열가소성 수지의 멜트플로우레이트가 1gr/10min이상인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  63. 제61항에 있어서, 열가소성 수지가 결정성 수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  64. 제63항에 있어서, 결정성 수지가 폴리프로필렌 수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  65. 제63항에 있어서, 결정성 수지가 폴리부틸렌 테레프탈레이트 수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  66. 제63항에 있어서, 결정성 수지가 폴리페닐렌 설파이드수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  67. 제63항에 있어서, 결정성 수지가 폴리아세타르수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  68. 제63항에 있어서, 결정성 수지가 폴리아미드 수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  69. 제61항에 있어서, 열가소성 수지의 멜트플로우레이트가 10∼100gr/10min 이상인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  70. 제61항에 있어서, 열가소성 수지가, 폴리스티렌수지, ABS수지, 변성PPE수지등의 비결정성 수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  71. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지가 열경화성수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  72. 제71항에 있어서, 열경화성 수지가 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  73. 제71항에 있어서, 열경화성 수지가 불포화폴리에스테르수지 또는, 실리콘수지, 우레탄수지, 페놀수지, 멜타민수지, 요소수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  74. 제63항에 있어서, 결정성 수지가 폴리에틸렌수지 또는 롤리에틸렌레프탈레이트수지, 폴리에테르에테르케톤 수지나, 전체방향족 액정폴리에스테르나 반방향족 액정폴리에스테르등의 액정폴리머수지등인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  75. 제63항에 있어서, 결정성 수지가 폴리염화비닐수지나 폴리염화비닐리덴수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  76. 제61항에 있어서, 열가소성수지가, 폴리에테르이미드수지, 폴리에테르설파이드수지, 폴리알릴레이트수지, 폴리술폰수지, 폴리아세트산비닐수지, 폴리카아보네이트수지, 폴리메틸타크릴레이트수지, 폴리부타디엔수지, 폴리아크릴니트릴수지 등의 비결정성수지인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  77. 제1항에 있어서, 반도체필터의 배합량이, 수지조성물전체의 20∼80중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  78. 제1항에 있어서, 반도체필터의 배합량이, 수지조성물전체의 30∼70중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  79. 제5항에 있어서, 산화아연위스커의 배합량이, 수지조성물 전체의 20∼80중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  80. 제5항에 있어서, 산화아연위스커의 배합량이, 수지조성물 전체의 30∼70중량%인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  81. 제5항에 있어서, 산화아연위스커의 배합량이 70중량%를 초과하고, 70중량%이하인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  82. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물의 도전도가 105∼1012Ω/ㅁ인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  83. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물의 도전도가 105∼109Ω/ㅁ인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  84. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물이 성형된 성형물의 형태인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  85. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물이 성형용 원료의 펠렛 또는 분말의 형태인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  86. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물이 성형된 판이나 시이트, 혹은 필름의 형태인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  87. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물이, 도료 또는 도막인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  88. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물이, 퍼리 또는 페이스트의 형태인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지조성물.
  89. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물의 도전도가 106∼109Ω/ㅁ인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
  90. 제1항, 제5항, 제12항, 제17항 또는 제21항에 있어서, 수지조성물의 도전도가 107∼109Ω/ㅁ인 것을 특징으로 하는 정전기확산성 수지 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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