KR920018875A - 열 처리 장치 - Google Patents

열 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920018875A
KR920018875A KR1019920003785A KR920003785A KR920018875A KR 920018875 A KR920018875 A KR 920018875A KR 1019920003785 A KR1019920003785 A KR 1019920003785A KR 920003785 A KR920003785 A KR 920003785A KR 920018875 A KR920018875 A KR 920018875A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat treatment
treatment apparatus
reaction tube
component
junction
Prior art date
Application number
KR1019920003785A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100238851B1 (ko
Inventor
아끼히또 야사모또
나오히꼬 야스히사
노리요시 마시모
마사하루 아베
신고 와따나베
Original Assignee
이노우에 다케시
도꾜 일렉트론 사가미 가부시끼가이샤
아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP10489891A external-priority patent/JP3159726B2/ja
Priority claimed from JP3104899A external-priority patent/JPH04280420A/ja
Application filed by 이노우에 다케시, 도꾜 일렉트론 사가미 가부시끼가이샤, 아오이 죠이찌, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 이노우에 다케시
Publication of KR920018875A publication Critical patent/KR920018875A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100238851B1 publication Critical patent/KR100238851B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016Chamber type furnaces
    • F27B17/0025Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45578Elongated nozzles, tubes with holes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591Fixed means, e.g. wings, baffles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D7/00Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
    • F27D7/02Supplying steam, vapour, gases, or liquids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

열 처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 열처리 장치를 제2도의 A-A선에 따라 파단한 종단면도.
제2도는 제1도의 B-B선을 따라 판단한 횡단면도.
제3도는 제1도에 도시한 버퍼판의 평면도.

Claims (20)

  1. 내부에 복수의 피처리체(18)를 수납하는 반응관(10)과, 적어도 상기 반응관(10)의 일부를 둘러싸서 형성된 가열 수단(24)을 가지는 열처리장치에 있어서, 상기 반응관(10)은 적어도 일부가 상기 가열수단(24)에 둘러싸여진 제1구성부(10a)와, 적어도 일부가 상기 가열수단(24)에서 돌출한 제2구성부(10b)로 구성되고, 상기 제1구성부(10a)는 상기 제2구성부(10b)보다 내열온도가 높고, 양호한 열전도성을 가지는 부재로 형성되어 있는 것을 특징으로하는 열 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 구성부(10a)와 제2 구성부(10b)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스를 외부로 배치하기 위한 배기시일 수다(34,36)을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 배기시일 수단(34,36)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(34)과, 이 환상공간에 연통하는 배기관(36)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되고, 상기 제2 구성부(10b)는 석영(SiO2)으로 형성되어 있는 것을 특징으로하는 열 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)는 SiC의 내면 코팅이 시행되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2 구성부(10b)는 하면 개구를 가지고, 이 하면 개구를 개폐하는 저부덮개(38)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2구성부(10b)와 상기 저부덮개(38)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스와 외부로부터 침입하는 외기를 외부로 배기하기 위한 제2배기시일 수단(40,42)을 가지고, 이 제2배기시일 수단(40,42)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(40)과, 이 환성공간(40)에 연통하는 제2 배기관(42)을 포함하는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반응관(10)에 열처리용의 프로세스가스를 보내기 위한 가스도입수단(12)을 가지고, 이 가스도입 수단(12)은 상기 반응관(10)의 하부를 관통하여 반응관(10)내에 돌출한 선단부를 가지는 관통부(12a)와, 이 관통부(12a)의 선단부에 분리 가능하게 부착되고, 상기 반응관(10)의 상부까지 신장하는 신장부(12b)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 관통부(12a)는 석영(SiO2)으로 형성되고, 상기 신장부(12b)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 신장부(12b)는 길이방향을 따라 형성된 복수의 가스도입구멍(12c)을 가지는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  11. 내부에 복수의 피처리체(18)를 수납하는 반응관(10)과, 상기 반응관(10)을 둘러싸서 형성된 가열수단(24)과, 상기 반응관(10)내에 열처리용의 프로세스가스를 보내기 위한 가스도입수단(12)을 가지는 열처리장치에 있어서, 상기 가스도입 수단은 상기 반응관(10)의 하부를 관통하여 반응관(10)내에 돌출한 선단부를 가지는 관통부(12a)와, 이 관통부(12a)의 선단부에 분리 가능하게 부착되고, 상기 반응관(10)의 상부까지 신장하는 신장부(12b)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 관통부(12a)는 석영(SiO2)으로 형성되고, 상기 신장부(12b)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 신장부(12b)는 길이방향을 따라 형성된 복수의 가스도입구멍(12c)을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 반응관(10)은 적어도 일부가 상기 가열수단(24)에 둘러싸여진 제1구성부(10a)와, 적어도 일부가 상가 가열수단(24)에서 돌출한 제2구성부(10b)로 구성되고, 상기 제1구성부(10a)는 상기 제2 구성부(10b)보다 내열온도가 높고, 양호한 열전도성을 가지는 부재로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)와 제2구성부(10b)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스를 외부로 배기하기 위한 배기시일수단(34,36)를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 배기시일수단(34,36)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(34)과, 이 환상공간(34)에 연통하는 배기관(36)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  17. 제11항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되고, 상기 제1 구성부(10b)는 석영(SiO2)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1 구성부재(10a)는 SiC의 내면 코팅이 시행되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  19. 제11항에 있어서, 상게 제2구성부(10b)는 하면 개구를 가지고, 이 하면 개구를 개폐하는 저부덮개(38)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제2구성부(10b)와 상기 저부덮개(38)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스와 외부에서 칩입하는 외기를 외부로 배기하기 위한 제2 배기 시일수단(40,42)을 가지고, 이 제2 배기시일수단(40,42)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(40)과, 이 환상공간(40)에 연통하는 제2배기관(42)를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920003785A 1991-03-07 1992-03-07 열 처리 장치 KR100238851B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-104898 1991-03-07
JP10489891A JP3159726B2 (ja) 1991-03-07 1991-03-07 熱処理装置
JP3104899A JPH04280420A (ja) 1991-03-07 1991-03-07 熱処理装置
JP91-104899 1991-03-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920018875A true KR920018875A (ko) 1992-10-22
KR100238851B1 KR100238851B1 (ko) 2000-01-15

Family

ID=26445270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920003785A KR100238851B1 (ko) 1991-03-07 1992-03-07 열 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5318633A (ko)
KR (1) KR100238851B1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125199B2 (ja) * 1993-03-18 2001-01-15 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5497727A (en) * 1993-09-07 1996-03-12 Lsi Logic Corporation Cooling element for a semiconductor fabrication chamber
JP3971810B2 (ja) * 1995-11-30 2007-09-05 三星電子株式会社 縦型拡散炉
JPH11193458A (ja) * 1998-01-05 1999-07-21 Sony Corp スパッタ装置
US6027569A (en) * 1998-06-03 2000-02-22 Seh America, Inc. Gas injection systems for a LPCVD furnace
JP3472482B2 (ja) * 1998-06-30 2003-12-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
US6217937B1 (en) 1998-07-15 2001-04-17 Cornell Research Foundation, Inc. High throughput OMVPE apparatus
US6302963B1 (en) * 1999-12-21 2001-10-16 Axcelis Technologies, Inc. Bell jar having integral gas distribution channeling
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
CN1405863A (zh) * 2001-08-20 2003-03-26 Asml美国公司 在反应室中隔离密封件的方法和装置
KR100481874B1 (ko) * 2003-02-05 2005-04-11 삼성전자주식회사 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법
US20090035463A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Tokyo Electron Limited Thermal processing system and method for forming an oxide layer on substrates
JP5237133B2 (ja) * 2008-02-20 2013-07-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5802672B2 (ja) * 2009-09-25 2015-10-28 フェローテック(ユーエスエー)コーポレイション ハイブリッドガスインジェクタ
TW201200628A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating apparatus
KR101867364B1 (ko) * 2012-01-03 2018-06-15 삼성전자주식회사 배치 타입 반도체 장치
CN104520975B (zh) * 2012-07-30 2018-07-31 株式会社日立国际电气 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
JP6320325B2 (ja) * 2015-03-05 2018-05-09 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法
JP6706901B2 (ja) * 2015-11-13 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4253417A (en) * 1980-02-21 1981-03-03 Thermco Products Corporation Closure for thermal reactor
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
JP2654996B2 (ja) * 1988-08-17 1997-09-17 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5318633A (en) 1994-06-07
KR100238851B1 (ko) 2000-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920018875A (ko) 열 처리 장치
KR960002523A (ko) 기상성장기구 및 열처리기구에 있어서의 가열장치
KR910001345A (ko) 열 처리 장치
KR950004451A (ko) 열처리방법 및 그의 장치
KR850000901A (ko) 마이크로파 프라즈마 처리방법 및 그 장치
IN161303B (ko)
KR950034542A (ko) 열처리장치
DE3660157D1 (en) Composite tube for heating gases
US4282183A (en) Combustion system
KR920003424A (ko) 표면처리 장치, 표면처리방법 및 반도체장치의 제조방법
KR20010049342A (ko) 적어도 하나의 증기물질을 진공실 외벽을 통과하여 다른진공실로 이송시키는 방법 및 그 방법의 실시를 위한장치와 그의 이용
KR840005384A (ko) 재료의 열 처리 장치
KR880005430A (ko) 고온 진공로
DE3065727D1 (en) Porous refractory element and its manufacturing method
US4309961A (en) Apparatus for thermal treatment of semiconductors
SE8900897L (sv) Inblaasningssten
TW358224B (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR900005572A (ko) 처리 방법
RU2000132524A (ru) Защитное устройство трубного листа и труб и способ его изготовления
KR890008929A (ko) 열처리 장치
JPS57179589A (en) Manufacture of heat pipe
EP1285977A3 (en) Apparatus and method for insulating a seal in a process chamber
KR950704659A (ko) 처리가스용 가스가열기(gas heater for processing gases)
KR840009176A (ko) 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버
KR930019859A (ko) 화학기상 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101012

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee