KR920018875A - 열 처리 장치 - Google Patents
열 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920018875A KR920018875A KR1019920003785A KR920003785A KR920018875A KR 920018875 A KR920018875 A KR 920018875A KR 1019920003785 A KR1019920003785 A KR 1019920003785A KR 920003785 A KR920003785 A KR 920003785A KR 920018875 A KR920018875 A KR 920018875A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat treatment
- treatment apparatus
- reaction tube
- component
- junction
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 27
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D7/00—Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
- F27D7/02—Supplying steam, vapour, gases, or liquids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 열처리 장치를 제2도의 A-A선에 따라 파단한 종단면도.
제2도는 제1도의 B-B선을 따라 판단한 횡단면도.
제3도는 제1도에 도시한 버퍼판의 평면도.
Claims (20)
- 내부에 복수의 피처리체(18)를 수납하는 반응관(10)과, 적어도 상기 반응관(10)의 일부를 둘러싸서 형성된 가열 수단(24)을 가지는 열처리장치에 있어서, 상기 반응관(10)은 적어도 일부가 상기 가열수단(24)에 둘러싸여진 제1구성부(10a)와, 적어도 일부가 상기 가열수단(24)에서 돌출한 제2구성부(10b)로 구성되고, 상기 제1구성부(10a)는 상기 제2구성부(10b)보다 내열온도가 높고, 양호한 열전도성을 가지는 부재로 형성되어 있는 것을 특징으로하는 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 구성부(10a)와 제2 구성부(10b)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스를 외부로 배치하기 위한 배기시일 수다(34,36)을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 배기시일 수단(34,36)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(34)과, 이 환상공간에 연통하는 배기관(36)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되고, 상기 제2 구성부(10b)는 석영(SiO2)으로 형성되어 있는 것을 특징으로하는 열 처리장치.
- 제4항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)는 SiC의 내면 코팅이 시행되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 구성부(10b)는 하면 개구를 가지고, 이 하면 개구를 개폐하는 저부덮개(38)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제2구성부(10b)와 상기 저부덮개(38)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스와 외부로부터 침입하는 외기를 외부로 배기하기 위한 제2배기시일 수단(40,42)을 가지고, 이 제2배기시일 수단(40,42)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(40)과, 이 환성공간(40)에 연통하는 제2 배기관(42)을 포함하는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반응관(10)에 열처리용의 프로세스가스를 보내기 위한 가스도입수단(12)을 가지고, 이 가스도입 수단(12)은 상기 반응관(10)의 하부를 관통하여 반응관(10)내에 돌출한 선단부를 가지는 관통부(12a)와, 이 관통부(12a)의 선단부에 분리 가능하게 부착되고, 상기 반응관(10)의 상부까지 신장하는 신장부(12b)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 관통부(12a)는 석영(SiO2)으로 형성되고, 상기 신장부(12b)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 신장부(12b)는 길이방향을 따라 형성된 복수의 가스도입구멍(12c)을 가지는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 내부에 복수의 피처리체(18)를 수납하는 반응관(10)과, 상기 반응관(10)을 둘러싸서 형성된 가열수단(24)과, 상기 반응관(10)내에 열처리용의 프로세스가스를 보내기 위한 가스도입수단(12)을 가지는 열처리장치에 있어서, 상기 가스도입 수단은 상기 반응관(10)의 하부를 관통하여 반응관(10)내에 돌출한 선단부를 가지는 관통부(12a)와, 이 관통부(12a)의 선단부에 분리 가능하게 부착되고, 상기 반응관(10)의 상부까지 신장하는 신장부(12b)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 관통부(12a)는 석영(SiO2)으로 형성되고, 상기 신장부(12b)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 가스도입수단(12)의 신장부(12b)는 길이방향을 따라 형성된 복수의 가스도입구멍(12c)을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 반응관(10)은 적어도 일부가 상기 가열수단(24)에 둘러싸여진 제1구성부(10a)와, 적어도 일부가 상가 가열수단(24)에서 돌출한 제2구성부(10b)로 구성되고, 상기 제1구성부(10a)는 상기 제2 구성부(10b)보다 내열온도가 높고, 양호한 열전도성을 가지는 부재로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)와 제2구성부(10b)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스를 외부로 배기하기 위한 배기시일수단(34,36)를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 배기시일수단(34,36)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(34)과, 이 환상공간(34)에 연통하는 배기관(36)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1구성부(10a)는 탄화실리콘(SiC)으로 형성되고, 상기 제1 구성부(10b)는 석영(SiO2)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 제1 구성부재(10a)는 SiC의 내면 코팅이 시행되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제11항에 있어서, 상게 제2구성부(10b)는 하면 개구를 가지고, 이 하면 개구를 개폐하는 저부덮개(38)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열 처리 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 제2구성부(10b)와 상기 저부덮개(38)와의 접합부를 감압하고, 이 접합부에 침입하는 가스와 외부에서 칩입하는 외기를 외부로 배기하기 위한 제2 배기 시일수단(40,42)을 가지고, 이 제2 배기시일수단(40,42)은 상기 접합부에 형성된 환상공간(40)과, 이 환상공간(40)에 연통하는 제2배기관(42)를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP91-104898 | 1991-03-07 | ||
JP10489891A JP3159726B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 熱処理装置 |
JP3104899A JPH04280420A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 熱処理装置 |
JP91-104899 | 1991-03-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920018875A true KR920018875A (ko) | 1992-10-22 |
KR100238851B1 KR100238851B1 (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=26445270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920003785A KR100238851B1 (ko) | 1991-03-07 | 1992-03-07 | 열 처리 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5318633A (ko) |
KR (1) | KR100238851B1 (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3125199B2 (ja) * | 1993-03-18 | 2001-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
US5497727A (en) * | 1993-09-07 | 1996-03-12 | Lsi Logic Corporation | Cooling element for a semiconductor fabrication chamber |
JP3971810B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2007-09-05 | 三星電子株式会社 | 縦型拡散炉 |
JPH11193458A (ja) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Sony Corp | スパッタ装置 |
US6027569A (en) * | 1998-06-03 | 2000-02-22 | Seh America, Inc. | Gas injection systems for a LPCVD furnace |
JP3472482B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2003-12-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
US6217937B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-04-17 | Cornell Research Foundation, Inc. | High throughput OMVPE apparatus |
US6302963B1 (en) * | 1999-12-21 | 2001-10-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Bell jar having integral gas distribution channeling |
US6451692B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Preheating of chemical vapor deposition precursors |
CN1405863A (zh) * | 2001-08-20 | 2003-03-26 | Asml美国公司 | 在反应室中隔离密封件的方法和装置 |
KR100481874B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법 |
US20090035463A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system and method for forming an oxide layer on substrates |
JP5237133B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2013-07-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
JP5802672B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2015-10-28 | フェローテック(ユーエスエー)コーポレイション | ハイブリッドガスインジェクタ |
TW201200628A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Coating apparatus |
KR101867364B1 (ko) * | 2012-01-03 | 2018-06-15 | 삼성전자주식회사 | 배치 타입 반도체 장치 |
CN104520975B (zh) * | 2012-07-30 | 2018-07-31 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
JP6320325B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2018-05-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP6706901B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2020-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4253417A (en) * | 1980-02-21 | 1981-03-03 | Thermco Products Corporation | Closure for thermal reactor |
JPS61191015A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体の気相成長方法及びその装置 |
JPH0642474B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
JP2654996B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
-
1992
- 1992-03-06 US US07/846,948 patent/US5318633A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-07 KR KR1019920003785A patent/KR100238851B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5318633A (en) | 1994-06-07 |
KR100238851B1 (ko) | 2000-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920018875A (ko) | 열 처리 장치 | |
KR960002523A (ko) | 기상성장기구 및 열처리기구에 있어서의 가열장치 | |
KR910001345A (ko) | 열 처리 장치 | |
KR950004451A (ko) | 열처리방법 및 그의 장치 | |
KR850000901A (ko) | 마이크로파 프라즈마 처리방법 및 그 장치 | |
IN161303B (ko) | ||
KR950034542A (ko) | 열처리장치 | |
DE3660157D1 (en) | Composite tube for heating gases | |
US4282183A (en) | Combustion system | |
KR920003424A (ko) | 표면처리 장치, 표면처리방법 및 반도체장치의 제조방법 | |
KR20010049342A (ko) | 적어도 하나의 증기물질을 진공실 외벽을 통과하여 다른진공실로 이송시키는 방법 및 그 방법의 실시를 위한장치와 그의 이용 | |
KR840005384A (ko) | 재료의 열 처리 장치 | |
KR880005430A (ko) | 고온 진공로 | |
DE3065727D1 (en) | Porous refractory element and its manufacturing method | |
US4309961A (en) | Apparatus for thermal treatment of semiconductors | |
SE8900897L (sv) | Inblaasningssten | |
TW358224B (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
KR900005572A (ko) | 처리 방법 | |
RU2000132524A (ru) | Защитное устройство трубного листа и труб и способ его изготовления | |
KR890008929A (ko) | 열처리 장치 | |
JPS57179589A (en) | Manufacture of heat pipe | |
EP1285977A3 (en) | Apparatus and method for insulating a seal in a process chamber | |
KR950704659A (ko) | 처리가스용 가스가열기(gas heater for processing gases) | |
KR840009176A (ko) | 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버 | |
KR930019859A (ko) | 화학기상 증착장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20101012 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |