KR920015587A - 고체촬상장치 - Google Patents

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KR920015587A
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요지 다까무라
가즈야 요네모도
나오끼 니시
마나부 이시바시
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Abstract

내용 없음

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 고체촬상장치의 일실시예를 나타내는 블록도, 제6도는 본 발명에 의한 고체촬상장치에 사용되는 클록전압 øH1및 øH2의 타이밍 관계 나타내는 파형도, 제7도는 본 발명에 의한 고체촬상장치에서 전하가 이송될때의 수평이송 유니트의 전위도, 제8도는 본 발명에 의한 고체촬상장치에 사용되는 클록전압 øH1및øH2의 타이밍 관계의 또 다른 예를 나타내는 파형도, 제9도는 본 발명에 의한 고체촬상장치의 또 다른 실시예를 나타내는 블록도.

Claims (5)

  1. 수평 및 수직방향으로 2차원적으로 화소의 유니트내에 배열된 복수의 감지유니트와 매 수직열에서 수직방향으로 상기 감지유니트로 부터 독출된 전하를 이송하기 위한 수직이송유니트로 구성된 촬상장치유니트와, 제1클럭 전압은 최종 비트의 전하이송유니트를 포함하는 하나걸러의 비트에서 제1전하이송유니트군에 인가되고, 제2클록 전압은 나머지 비트의 하나 걸러의 비트에서 제2전하이송유니트군에 인가되어서 수평방향으로 상기 촬상장치유니트로부터 공급되는 전하를 이송하는 복수의 비트의 전하이송유니트로 형성된 수평이송유니트와, 상기 제1클록 전압의 선단과 상기 제2클록전압의 후단과의 교점을 상기 제1 및 제2클록전압의 피크치들간의 중간레벨보다 더 높은 레벨이 되도록 설정하기 위한 수단으로 이루어지는 고체촬상장치.
  2. 제1클럭전압이 공급되고 최종 비트를 포함하는 제1전하이송전극군과, 상기 제1클록전압과 역위상의 제2클록전압이 공급되는 제2전하이송군으로 구성되어 수평방향으로 신호전하를 이송하는 수평이송유니트와, 상기 제1및 제2클럭전압을 발생하기 위한 클록발생기와, 상기 수평이송유니트의 최종 비트내에 저장된 전하가 수평출력 게이트를 통하여 이송되는 부동확산유니트로 이루어지고, 상기 제1클록전압의 선단과 상기 제2클럭전압의 후단과의 교점이 상기 제1및 제2클록전압의 피크치들 사이의 중간레벨보다 더 높은 레벨이 되도록 설정하는 고체촬상장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 클록발생기는 상기 제1및 제2클록전압 간의 듀티비를 변화시키는 수단을 포함하고, 상기 듀티비를 회전시킴으로써 상기 교점을 소정치로 설정하는 고체촬상장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 듀티비변환수단은 메모리로 형성되고, 상기 교점은 상기 메모리에 가입된 데이타를 변화시킴으로써 상기 소정치로 설정되는 고체촬상장치.
  5. 제2항에 있어서, 또한 상기 클록발생기의 출력에 결합된 위상 시프트회로를 더 구비하며, 상기 교점은 상기 위상시프트회로의 위상조정작용에 의하여 상기 소정치로 설정되는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920000666A 1991-01-18 1992-01-18 고체촬상장치 KR100246056B1 (ko)

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