KR920015463A - 블록 마스크의 가열상태가 개선된 하전입자 비임 노광장치 - Google Patents

블록 마스크의 가열상태가 개선된 하전입자 비임 노광장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

블록 마스크의 가열상태가 개선된 하전입자 비임 노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 하전입자 빔 노광장치의 일실시예에서, 확대렌즈가 조작되지 않은 상태를 나타내는 도면. 제5도는 본 발명에 의한 하전입자 빔 노광장치의 일실시예에서, 확대렌즈가 조작된 상태를 나타내는 도면. 제6도는 제4도와 제5도에 도시된 확대렌즈의 소자방법의 일예를 나타내는 도면.

Claims (13)

  1. 블록마스크(57)상에, 형성된 복수의 블록패턴중에서 1 이상의 미세 블록패턴을 선택하고, 이 선택된 블록패턴에 의해 결정된 특정 단면 형상을 갖는 하전입자 빔을 처리되는 기판(100)표면상에 조사키 위한 하전입자 광 컬럼을 갖는 하전입자 빔 노광장치에 있어서, 하전입자 빔을 발생하는 빔 발생수단(3)과, 상기 빔 발생수단(3)과 블록마스크(57)간에 설치되어, 상기 빔 발생수단(3)에 의해 발생된 하전입자 빔을 편향시켜, 상기 블록마스크(57)상에 조사하는 제1빔 제어수단(4,6,11,55a,55b,56a)과 ; 상기 블록마스크(57)와 기판(100)간에 설치되어, 상기 특정 단면 형상의 하전입자 빔을 편향시켜, 상기 기판(100)표면상에 접속시키는 제2빔 제어수단(56b,55c,33,55d,14,34,24a,24b,21,23)과 ; 상기 빔 발생수단(3)과 상기 블록마스크(57)상에 균일하게 조사하는 제3빔 제어수단(10 ; 55a, 55b)을 구비한 것을 특징으로 하는 하전입자 빔 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3빔 제어수단이, 상기 빔 발생수단(3)과 블록마스크(57)간에 설치되어, 상기 대기기간중에, 상기블록마스크(57)의 복수의 블록패턴을 포함한 특정영역상에 하전입자 빔을 확대하여 조사하는 확대렌즈(10)를 구비한 것이특징인 하전입자 빔 노광장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제3빔 제어수단이 제어전원(300)을 더 구비하며, 이 제어전원이, 상기 확대렌즈(10)를 제어함으로써 이 렌즈가 노광기간중 동작하지 않도록 하고, 상기 확대렌즈(10)를 제어함으로써, 상기 대기기간중 상기 하전입자 빔을 상기 블록마스크(57)의 상기 특정영역상에 조사하도록 하는 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 확대렌즈(10)가 전자기렌즈이고, 상기 제어전원(300)은, 상기 노광기간중 상기 전자기렌즈에 전류를 공급하지 않으며, 상기 제어전원(300)은, 시간경과에 따라서 그 진폭이 점감하는 교류를, 상기 대기기간 종료시부터상기 노광시간 개시시까지 상기 전자기렌즈에 공급하는 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제3빔 제어수단이, 상기 빔 발생수단(3)과 블록마스크(57)간에 설치되어, 상기 대기기간중에, 상기블록마스크(57)의 복수의 블록패턴을 포함한 특정영역상에 상기 하전입자 빔을 주사 및 조사하는 편향수단(55a,55b)을 구비한 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 대기기간이, 노광데이타를 상기 하전입자 빔 노광장치에 입력하는 기간, 상기 입력데이타를 전달하는 기간, 또한 상기 기판(100)을 변경하는 기간인 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 빔 발생수단이, 전자 빔 총(3)으로 구성되고, 상기 하전입자 빔 노광장치가 전자 빔 노광장치인 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1빔 제어수단이 : 상기 빔 발생수단(3)으로부터 출사된 하전입자 빔의 단면 형상을 정형키 위한개구수단(6)과 ; 상기 정형된 하전입자 빔을 편향시켜, 상기 블록마스크(57)의 선택된 블록패턴을 선택적으로 통과하게하는 편향수단(55a,55b)과, 상기 개구수단(6)과 상기 편향수단(55a,55b)간에 설치되어 상기 하전입자 광 컬럼내의 하전입자의 화상형성 관계를 성립시키는 렌즈(11)를 구비한 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1빔 제어수단이 : 상기 빔 발생수단(3)과 상기 개구수단(6)간에 설치되어, 상기 빔 발생수단에서출사된 하전입자 빔을 조준된 빔으로 변환시키고, 상기 조준된 빔을 상기 개구수단(6)상에 조사하는 제1콜리메이터 렌즈(4)와 ; 상기 편향수단(55a,55b)과 상기 블록마스크(57)간에 설치되어, 상기 편향수단(55a,55b)을 통과한 하전입자 빔을조준된 빔으로 변환시키고, 이 조준된 빔을 상기 블록마스크(57)상에 조사하는 제2콜리메이터 렌즈(56a)를 더 구비한 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2빔 제어수단이 : 상기 블록마스크(57)에 의해서 정형된 하전입자 빔의 화상을 집속하는 집속렌즈(56b)와 ; 상기 블록마스크(57)를 통과한 하전입자 빔을 편향시켜, 상기 하전입자 광 컬럼의 광축으로 복귀시키는 제2편향수단(55c,55d)과 ; 상기 하전입자 빔을 조정하여 상기 기판(100)의 표면에서의 하전입자 빔의 전류밀도와 해상도를조화시키는 조리개 개구수단(34)과 ; 상기 블록마스크(57)와 상기 조리개 개구수단(34)간에 설치되어, 상기 블록마스크(57)를 통과한 하전입자 빔을 쉬프트시킴으로써, 상기 대기기간중 하전입자 빔이 상기 기판(100)의 표면상에 조사되지 않도록 하는 블랭킹수단(33)을 구비한 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2빔 제어수단이 : 상기 하전입자 빔을 특정 배율로 축소시키는 축소렌즈(14)와 ; 상기 조리개개구수단(34)과 상기 기판(100)간에 설치되어, 상기 조리개 개구수단(34)을 통과한 하전입자 빔을 상기 기판(100)의 표면상에 입사시키는 투사렌즈(24a,24b) 및 ; 상기 조리개 개구수단(34)과 상기 기판(100)간에 설치되어, 상기 조리개 개구수단(34)을 통과한 하전입자 빔을 편향시켜 상기 기판(100)의 상이한 위치들에 반복적으로 조사하는 제3편향부수단(21,23)을 더 구비한 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 블록마스크(57)가 실리콘 또는 금속으로 된 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 기판(100)이 반도체 웨이퍼인 것이 특징인 하전입자 빔 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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