KR20190009754A

KR20190009754A - 플라즈마 조절을 위한 요소를 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 시스템

Info

Publication number: KR20190009754A
Application number: KR1020187033563A
Authority: KR
Inventors: 이레네 아멘트; 디르크 하인리히 에헴; 슈테판 볼프강 슈미트; 모리츠 벡커; 슈테판 비즈너; 디아나 포겔
Original assignee: 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
Priority date: 2016-05-23
Filing date: 2017-04-19
Publication date: 2019-01-29
Also published as: DE102016208850A1; WO2017202545A1; KR102467257B1; US20190243258A1; US10712677B2

Abstract

본 발명은 주위로부터 폐쇄되어 있는 적어도 하나의 서브-체적(4)을 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 시스템(400)에 관한 것이고, 상기 서브-체적(4)은 그로부터 플라즈마가 발생될 수 있는 가스를 포함한다. 플라즈마를 조절하기 위한, 특히 중성화하기 위한 조절 요소(20, 21, 22, 23, 24, 25)는 상기 서브-체적(4) 내에 제공된다. 본 발명은 또한 투영 노광 시스템(400)을 동작하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

플라즈마 조절을 위한 요소를 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 시스템

본 출원은 그 내용이 본 명세서에 참조로서 합체되어 있는 독일 특허 출원 DE 10 2016 208 850.5호의 우선권을 주장한다.

본 발명은 플라즈마 조절을 위한 적어도 하나의 요소를 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치에 관한 것이다.

현대식 투영 노광 장치에서, 극단파장 범위의 전자기 방사선, 소위 EUV 방사선이 반도체 웨이퍼 상에 매우 미세한 구조를 생성하기 위해 사용된다. 통상적으로, 이 방사선은 플라즈마 소스에 의해 생성되고, 이후에 조명 시스템에 의해 조절되고, 초기에 마스크, 소위 레티클을 조명하기 위해 사용되고, 레티클 상의 구조는 투영 광학 유닛에 의해 반도체 기판, 소위 웨이퍼 상에 일반적으로 축소 방식으로 이미징된다. 예를 들어, 렌즈 요소와 같은 통상의 투과 또는 굴절 광학 요소는 전술된 극단파장 방사선에 대해 불투명하고, 따라서 반사 요소, 소위 다층 미러가 일반적으로 조명 시스템 내의 방사선을 조절하기 위해 그리고 웨이퍼 상에 레티클을 이미징하기 위해 사용된다. 이들 다층 미러는 종종 캡슐화된 부분 체적, 소위 미니-환경에서 장착된다. 일반적으로 전술된 미니-환경에 고진공이 존재하는데, 상기 고진공은 오염물을 감소하기 위해 퍼지 가스로서 수소에 의해 영역에서 퍼지된다. 그러나, 시스템 내에 존재하는 기체 수소 상에 이미징 목적으로 사용되는 EUV 방사선의 작용은 부분적으로 원하지 않는 부작용을 유도한다. EUV 방사선은 그 고에너지에 기인하여, 수소에 이온화 영향을 미치고, 따라서 수소 이온 또는 고도로 희석된 플라즈마가 퍼지 가스 상의 상기 EUV 방사선의 작용에 기인하여 발생한다. 여기서, 플라즈마의 존재는 미니-환경에 위치된 광학 요소에, 특히 다층 미러의 표면에 상이한 영향을 미친다. 첫째로, 플라즈마는 모든 수단에 의해 원하는 특정 세정 효과를 나타내고, 따라서 이용된 미러면의 상당히 높은 반사율이 플라즈마의 존재의 결과로서 유지된다. 그러나, 다른 한편으로, 예를 들어, 발생할 수도 있는 효과는, 발생하는 수소 이온이 이용된 미러의 반사층 내로 침투하고, 거기서 재조합되어 H₂를 형성하고, 기포의 형성 또는 증가된 체적 요구에 기인하여 미러의 코팅의 국부적 분할을 유도한다는 것이다.

따라서, 첫째로, 플라즈마의 손상 효과가 감소되고, 둘째로, 플라즈마의 세정 효과가 최적화되는 이러한 방식으로 EUV 투영 노광 장치의 동작 중에 미니-환경에서 동시에 발생하는 플라즈마에 영향을 미치는 것이 바람직하다. 예로서, 독일 특허 출원 공개 DE 10 2013 209 442 A1호는 EUV 투영 노광 장치의 광학 또는 전자 구성요소로부터 플라즈마 성분을 편향하기 위한 개념을 개시하고 있다.

본 발명의 목적은 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치에서, 특히 EUV 투영 노광 장치에서 동시에 발생하는 플라즈마를 더 제어가능하게 하는 것이다.

이 목적은 독립 청구항에 지정된 특징을 갖는 장치 및 방법에 의해 성취된다. 종속 청구항은 본 발명의 유리한 실시예 및 변형예에 관련한다.

반도체 리소그래피용 본 발명에 따른 투영 노광 장치는 주위로부터 폐쇄되어 있는 적어도 하나의 부분 체적 또는 미니-환경을 포함하고, 상기 부분 체적은 그로부터 플라즈마가 생성될 수 있는 퍼지 가스를 포함한다. 일반적으로, 다른 요소, 특히 광학 요소가 전술된 부분 체적 내에 배열될 것이다. 또한, 부분 체적 내의 플라즈마를 조절하기 위한 조절 요소가 존재한다. 미니 환경 내에 존재하는 가스는 특히 수소일 수 있고, 상기 수소는 EUV 방사선의 작용 하에서 매우 희박한 플라즈마를 동시에 형성한다. 본 발명에 따르면, 조절 요소는 플라즈마의 적어도 부분적인 중성화를 위해 적합하다.

예로서, 이는 플라즈마 농도를 감소시키기 위해 가스를 국부적으로 도입하는 것이 가능한 상기 조절 요소에 의해 성취될 수 있다. 따라서 처리된 공간 영역을 더 양호하게 경계한정하는 것을 가능하게 하기 위해, 미니-환경 내에 국부적인 서브-체적을 생성하는 것이 가능하고, 상기 가스가 바람직하게는 단지 이 영역에서 플라즈마 상에만 작용하도록 상기 국부적인 서브-체적 내로 중성화 가스를 도입하는 것이 가능하다.

예로서, 국부적인 압력 증가는 가스를 계량 도입(metering-in)함으로써 성취될 수 있는데, 이는 예를 들어, 도입된 가스로서 질소를 사용할 때 NH-화합물의 증가된 형성을 유도하고, 그 결과 수소 플라즈마가 최종적으로 중성화될 수 있다.

플라즈마를 중성화하거나 플라즈마 농도를 감소시키기 위해, 예를 들어, 전자 건에 의해 전자를 국부적으로 도입하는 것이 적절할 수도 있는데, 이 전자는 수소 이온에 의해 포착될 수 있고, 이는 이어서 H₂로의 플라즈마 성분의 재조합을 유도할 수 있다.

그러나, 국부적인 플라즈마 농도는 또한 퍼지 가스의 국부적인 분압에 영향을 미치기 위해 적합한 조절 요소에 의해 적응될 수 있다. 여기서, 예를 들어, 조절 요소가 적합하게 위치설정된 가스 입구를 구비하는 것이 고려가능하고, 이에 의해 퍼지 가스는 미니-환경의 내부 내로 반송된다. 특히, 특정 제어 효과가 이동가능하도록 구체화된 전술된 가스 입구에 의해 성취될 수 있다. 여기서, 순수하게 퍼지 가스의 도입의 장소를 선택하는 것은, 반드시 플라즈마의 부분 중성화를 유도하는 퍼지 가스의 국부적인 분압의 변화 없이, 플라즈마 농도에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 플라즈마는 또한 중성화 없이 조절될 수 있다.

전술된 수단의 대안으로서 또는 추가하여, 예를 들어, 미러 등과 같은 부분 체적 내에 배열된 요소의 전위가 그에 의해 영향을 받을 수 있는 조절 요소가 존재할 수도 있고; 이를 위해, 특히 조절 요소는 전술된 요소로의 전기 접속을 갖는 전압 소스로서 실현될 수 있다. 따라서, 예를 들어 다층 미러로의 양전위의 인가가 성취될 수 있는 것은, 특히 전술된 불리한 효과(기포 형성 및 H₂ 재조합에 기인하는 분할)를 회피하기 위해, 양으로 하전된 수소 이온이 장치의 동작 중에 이 미러로부터 배출되는 것이다. 마찬가지로, 이온이 예를 들어 세정 목적으로 상기 미러에 의해 끌어당겨지도록 플라즈마를 미러 표면과 접촉하게 유도하는 것이 바람직한 경우에 음전위가 미러에 인가될 수도 있다. 따라서, 전체적으로, 조정가능한 전위가 광학 요소를 위해 유리하다. 이 경우에도, 플라즈마는 중성화 없이 조절된다.

전술된 수단에 추가하여 또는 대안으로서, 지향된 이온빔을 생성하기 위해 적합한 조절 요소가 또한 존재할 수도 있고, 상기 이온빔은 이어서 타겟화된 방식으로 장치 내의 요소의 특정 영역을 처리, 특히 세정하는 것이 가능하다. 여기서, 유리하게는 특히 각각의 요소에 할당된 부분 체적의 디자인이 사용될 수 있다. 특정 요소, 특히 광학 요소에 대해, 전술된 부분 체적은 전술된 "미니-환경"으로서 구체화되고, 상기 미니 환경은 하우징에 의해 그 기하학적 포위체 내에서 광학 요소 상에 입사되는 방사선을 둘러싼다. 전위가 이 하우징에 인가되면, 상기 전위의 부호는 이온빔 내의 이온의 것에 대응하고, 하우징은 음극선관으로부터 공지된 베넬트 실린더(Wehnelt cylinder)의 스타일로 작용하고 따라서 미니-환경의 중앙 영역에서 이온의 더 치밀한 영역을 생성하고, 이온은 상기에 이미 언급된 요소의 전위에 의해, 예를 들어 미니-환경을 향해 가속화된다. 이 변형예에서, 임의의 경우에 미리 존재하는 장치의 구성부는 유리한 이중 효과를 갖고 조절 요소로서 작용한다.

마찬가지로, 전술된 수단에 추가하여 또는 대안으로서, 개별 조절 요소는 이들이 특정 공간 영역에서 이들의 존재에 의해 대응 부분 체적 내에서 플라즈마를 조향하는 것이 가능하도록 조정가능한 전위를 제공받을 수도 있다.

마찬가지로, 전술된 수단에 추가하여 또는 대안으로서, 이들이 자기장을 생성하기 위해 적합한 이러한 방식으로 조절 요소가 선택되게 하는 것이 고려가능하다. 예를 들어, 전자와 같은, 이동하는 전기적으로 하전된 수소 이온 또는 플라즈마의 성분이 이어서 로렌츠힘에 의해 각각의 원하는 방향으로 조향된다.

본 발명의 유리한 변형예에서, 플라즈마의 조절, 특히 중성화는 플라즈마의 조절 수단의 결과로서 이미징 품질이 거의 배제될 수 있도록 노광이 존재하지 않는 이들 시간에 발생할 수도 있다.

본 발명의 예시적인 실시예 및 변형예가 도면을 참조하여 이하에 더 상세히 설명된다. 도면에서:
도 1은, 그 부분적인 도 1a 및 도 1b에서, 본 발명의 제1 실시예를 도시하고 있다.
도 2는 가동 조절 요소가 사용되는 본 발명의 변형예를 도시하고 있다.
도 3은 가동 가스 노즐이 사용되는 실시예를 도시하고 있다.
도 4는 플라즈마의 완전한 또는 부분 타겟화된 중성화가 착수되는 변형예를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명이 사용되는 반도체 리소그래피용 투영 노광 장치를 도시하고 있다.
도 6은 조절 요소를 작동하기 위한 수단의 일시적 디자인의 도식적 설명을 도시하고 있다.

그 부분적인 도 1a 및 도 1b에서, 도 1은 본 발명의 제1 실시예를 도시하고 있고, 여기서 예시적인 방식으로, 부분 체적으로서 미니-환경(4) 내에 배열된 EUV 반도체 리소그래피용 광학 요소(1), 이 경우에 다층 미러에 전위가 인가될 수 있다. 이를 위해, 광학 요소에 연결된 제어가능한 전압 소스(20)가 조절 요소로서 사용되고, 상기 전압 소스는 다층 미러(1)에 양전위를 인가하여 - 도 1a에 도시된 바와 같이 -, 도면에 도시된 것과 마찬가지로, 양으로 하전된 이온이 상기 미러로부터 이격하여 편향되게 된다. 특히, 도시된 예에서, 양으로 하전된 이온이 미니-환경(4)의 하우징(3)에 끌어당겨지고, 음전위가 상기 하우징에 인가되어 있다.

대조적으로, 부분 도 1b는 미니-환경(4)의 하우징(3)이 양전위에 있고, 반면에 대조적으로 다층 미러(1)가 음전위에 있는 이러한 방식으로 제어가능한 전압 소스가 동작되는 경우를 도시하고 있다. 이 경우에, 양으로 하전된 수소 이온이 다층 미러 상에 안내되고, 여기서 예를 들어 세정 프로세스를 위해 사용될 수 있다. 이 경우에 양전위에서의 하우징(3)은 부가적으로 전술된 바와 같이, 미니-환경의 중앙 영역에서 이온을 집중하여, 그 결과 집중된 지향된 이온빔이 발생하게 하는 역할을 한다.

일반적으로, 2개의 예시된 경우에, 인가된 전위의 극성, 뿐만 아니라 절대값 및 선택적으로 그 시간 프로파일을 제어하거나 조절하는 것이 가능하다.

도 2는 양전위에 있는 가동 조절 요소(21), 본 경우에 피벗가능한 전기 도전성 핑거(21)가 사용되는 본 발명의 변형예를 도시하고 있다. 도시된 예에서, 서로 대향하여 놓인 2개의 핑거(21x)는 활성이다. 본 예에서, "활성"은 핑거(21x)가 예를 들어, 다층 미러와 같은 광학 요소(1)의 표면의 영역에, 또는 그 표면 바로 위에 배열되어, 양으로 하전된 수소 이온이 EUV 방사선에 의해 충돌되는 광학 요소(1)의 마찬가지로 플롯팅된 조사된 영역(5) 내로 안내되게 하는 동작 상태를 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이들이 플라즈마 성분의 편향에 어떠한 기여도 하지 않도록 다층 미러(1)의 표면으로부터 이격하여 피벗되어 있는 2개의 비활성 핑거(21z)가 또한 도시되어 있다. 조명광의 선택된 공간 분포에 따라, 즉 선택된 조명 세팅에 따라, 이들의 국부적인 강도에 관하여 플라즈마 성분의 원하는 세정 효과를 적응시키기 위해 핑거를 내부 또는 외부로 피벗하는 것이 가능하다.

일반적으로, 정전식으로 하전가능한 핑거(21x 또는 21z)를 사용하는 대신에, 하전된 이동 플라즈마 성분이 로렌츠힘에 의해 원하는 방향으로 조향되도록 자기장을 생성하는 피벗가능한 코일을 사용하는 것이 또한 고려가능하다. 이 경우에, 전하 상에 작용하는 편향력은 또한, 적용가능하면 이들의 속도에 따라 그리고 따라서 대응 표면과의 이들의 상호작용의 정도에 따라, 플라즈마 성분을 선택하기 위해, 자기 플럭스 밀도에 대한 의존성에 추가하여 이동 플라즈마 성분의 속도에 또한 의존한다.

도 3은 이동가능하게 구체화된 조절 요소(22), 도시된 예에서 가동 가스 노즐이 가스의 분압에 국부적으로 영향을 미치기 위해 사용되는 실시예를 도시하고 있다. 도시된 예에서, 가동 가스 노즐(22)은, 균질화 방식으로 또는 세정될 광학 요소(1)의 표면 상에 예측된 또는 측정된 오염물 프로파일에 의존하여 반응성 종(reactive species), 즉 이온 및 래디칼을 분배한다. 여기서, 플라즈마 효율은 이 방식으로 착수된 퍼지 가스 분압의 증가에 의해 영향을 받을 수 있다. 플라즈마 성분이 전술된 반응성 종에 의해 중성화되는 것이 또한 고려가능하다.

대안으로서, 투영 노광 장치 내에 임의의 경우에 종종 존재하는 세정 헤드는 또한 이러한 탄력적인 위치설정을 수용할 수도 있다. 이 결과로서, 세정 효과가 균질화될 수 있고 또는 불균질하게 성장된 오염물이 타겟화된 방식으로 제거될 수 있다.

도 4는 플라즈마의 완전한 또는 부분 타겟화된 중성화가 임계 위치에서 착수되는 본 발명의 변형예를 도시하고 있다. 본 실시예에서, 조절 요소는 가스 공급부(23), 가스 자체 및 펌프 커넥터(24) 및 부분 하우징에 의해 미니-환경(4) 내에 형성된 국부적인 서브-체적(6)을 포함하고, 이 서브-체적에서, 큰 산란 단면을 갖는 가스가 가스 공급부(23)를 경유하여 서브-체적(6) 내로 도입된다. 도면에 개별적으로 도시되지 않은 펌프에 의해, 이 영역에 요구되지 않은 가스 및 따라서 플라즈마 성분은 펌프 커넥터(24)를 경유하여 양호하게 펌핑 이격될 수 있다. 마찬가지로, 도시된 가스 공급부(23)를 경유하여 퍼지 가스 - 일반적으로, H₂ - 의 국부 압력 증가가 존재할 수 있고, 그 결과 플라즈마 성분의 자유 부분 길이가 감소되고 가스 상태로의 재조합이 더 가능해진다.

더욱이, 도면은 조절 요소로서 전자 건(25)을 도시하고 있고, 전자 건은 전자 충격에 의한 플라즈마의 부분 중성화의 역할을 한다. 여기서, 전자의 에너지는 중성 입자를 형성하기 위한 재조합이 가장 가능한 이러한 방식으로 선택되어야 한다. 동시에, 전자 해리 및 이온화와 같은 기생 효과가 가능한 한 낮게 유지되어야 한다. 전자빔은 고정 또는 가동 빔으로서, 커튼으로서 또는 체적의 조사로서 구체화될 수 있다.

도 5는 본 발명이 마찬가지로 사용될 수 있는 마이크로리소그래픽 EUV 투영 노광 장치(400)의 기본 구성을 예로서 도시하고 있다. 광원(402)에 추가하여, 투영 노광 장치(400)의 조명 시스템(401)은 대물 평면(405) 내의 대물 필드(404)를 조명하기 위한 조명 광학 유닛(403)을 포함하고; 여기서, 광원(402)은 특히 5 nm 내지 30 nm의 범위, 즉 극자외선(EUV) 스펙트럼 범위에서 사용된 광학 방사선을 방출할 수 있다.

광원(402)에 의해 생성된 EUV 방사선(406)은, 상기 방사선이 제1 미러(408) 상에 입사되기 전에 중간 초점 평면(407)의 영역에서 중간 초점을 통과하는 이러한 방식으로, 광원(402) 내에 집적되는 수집기(도면에 도시되어 있지 않음)에 의해 정렬된다. 다른 미러(409)를 통과한 후에, EUV 방사선이 파셋 미러(410) 상에 입사되고, 이 파셋 미러에 의해, 이용된 방사선의 원하는 공간 강도 분포, 즉 원하는 세팅을 설정하는 것이 가능하다. 미러(411, 412, 413)에서의 추가의 반사 후에, 준비된 방사선은 따라서 대물 필드(404) 내에 배열되고 레티클 홀더(415)에 의해 유지된 레티클(414)에 도달하는데, 이는 개략적으로 도시되어 있다.

투영 광학 유닛(416)이 이미지 평면(418) 내의 이미지 필드(417) 내에 대물 필드(404)를 이미징하는 기능을 한다. 레티클(414) 상의 구조는 마찬가지로 부분적으로 도시되어 있는 웨이퍼 홀더(420)에 의해 유지된 웨이퍼(419)의 감광층 상에 이미징되고, 상기 웨이퍼는 이미지 평면(418) 내의 이미지 필드(417)의 영역에 배열되어 있다.

여기서, 투영 광학 유닛(416)은 소위 다층 미러로서 일반적으로 구체화되고 웨이퍼 상에 레티클의 이미지를 생성하는 기능을 하는 미러(421 내지 426)를 포함한다.

여기서, 하우징(3.5)에 의해 둘러싸인 미니-환경(4.5)은 미러(421, 422) 사이에 예시적인 방식으로 도시되어 있고, 상기 미니-환경은 도면에 플롯팅되어 있지 않은 전압 소스와 함께, 미러(421) 상에 그리고/또는 미러(422) 상에 지향된 이온빔을 생성하는 기능을 할 수 있다. 상기 도면에 설명된 조절 요소는 도면에 도시된 다수의 요소에 위치될 수 있는 것은 말할 나위가 없다. 통상의 기술자는 각각의 요구에 따라 각각의 조절 요소의 유형, 디자인 및 장소를 선택할 수 있을 것이다.

도 6은 어떻게 EUV 데드 타임(dead time)이 플라즈마를 조정하기 위한 수단을 위해 이용되는지를 설명하고 있다. EUV 데드 타임은 그 동안에 어떠한 웨이퍼 조명도 존재하지 않는 시간으로 이해된다. 이러한 시간은 특히 광학 요소의 오프라인 세정을 위해 사용될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 웨이퍼 교체들 사이의 규칙적으로 발생하는 데드 타임이 사용될 수 있다. 도 6은 횡축 상에 플롯팅된 시간 경과에 따른 좌표 상의 EUV 방사선의 강도를 도시하고 있다. 그 동안에 EUV 노광이 존재하는 시간은 빗금으로 나타낸다. 세정을 위해 이용가능한 시간은 빗금쳐 있지 않다.

1: 광학 요소 3: 하우징
4: 미니-환경 5: EUV 방사선에 의해 조사된 영역
6: 서브-체적 20: 전압 소스
21: 피벗가능한 핑거 22: 가스 노즐
23: 가스 공급부 24: 펌프 커넥터
25: 전자 건 400: EUV 투영 노광 장치
401: 조명 시스템 402: 광원
403: 조명 광학 유닛 404: 대물 필드
405: 대물 평면 406: EUV 방사선
407: 중간 초점 평면 408 내지 414: 미러
414: 레티클 415: 레티클 홀더
416: 투영 광학 유닛 417: 이미지 필드
418: 이미지 평면 419: 웨이퍼
420: 웨이퍼 홀더 421 내지 426: 다층 미러

Claims

반도체 리소그래피용 투영 노광 장치(400)이며,
- 주위로부터 폐쇄되어 있는 적어도 하나의 부분 체적(4)을 포함하고,
- 상기 부분 체적(4)은 그로부터 플라즈마가 생성될 수 있는 퍼지 가스를 포함하고, 플라즈마를 조절하기 위한 조절 요소(6, 20, 21, 22, 23, 24, 25)가 상기 부분 체적(4) 내에 존재하는, 투영 노광 장치(400)에 있어서,
상기 조절 요소(22, 23, 24, 25)는 플라즈마의 적어도 부분적인 중성화를 위해 적합한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항에 있어서,
상기 조절 요소(22, 23)는 플라즈마 농도를 감소시키기 위해 국부적으로 가스를 도입하기 위해 적합한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제2항에 있어서,
가스를 도입하기 위한 국부적인 서브-체적(6)이 존재하는 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조절 요소(22, 23)는 국부 압력 증가를 얻기 위해 적합한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항에 있어서,
상기 조절 요소(25)는 전자를 국부적으로 도입하기 위해 적합한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 요소(1)는 상기 부분 체적(4) 내에 배열되는 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
조절 요소(22, 23, 24)가 존재하고, 상기 조절 요소는 퍼지 가스의 분압에 국부적으로 영향을 미치기 위해 적합한 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
조절 요소(20)가 존재하고, 상기 조절 요소는 상기 부분 체적(4) 내에 배열된 요소의 전위에 영향을 미치기 위해 적합한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
조절 요소가 존재하고, 상기 조절 요소는 지향된 이온빔을 생성하기 위해 적합한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
조절 요소(20, 21)가 존재하고, 조정가능한 전위를 그에 인가하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
조절 요소가 존재하고, 상기 조절 요소는 자기장을 생성하기 위해 적합한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조절 요소(21, 22)는 이동가능하도록 구체화되는 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(400).
반도체 리소그래피용 투영 노광 장치(400)를 동작하기 위한 방법이며, 플라즈마가 주위로부터 폐쇄되어 있는 적어도 하나의 부분 체적(4) 내에서 생성되는, 방법에 있어서,
상기 플라즈마는 조절 요소(20, 21, 22, 23, 24, 25)에 의해 상기 부분 체적(4) 내에서 적어도 부분적으로 중성화되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제13항에 있어서,
상기 플라즈마는 퍼지 가스 상에 노광 목적으로 사용되는 전자기 방사선의 작용에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 플라즈마의 중성화는 노광이 존재하지 않는 이들 시간에 발생하는 것을 특징으로 하는, 방법.