KR920013781A - Ccd형 이미지 센서의 제조방법 및 그 구조 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4 도는 본 발명에 따른 단면도
Claims (8)
- 수직 및 수평 전송부로 이루어지는 신호전송부를 구비하는 CCD형 이미지 센서의 제조방법에 있어서, 제2도전형의 매몰형 전하결합 소자층을 구비하는 제1도전형의 반도체기판(42)상에 제1게이트용 절연막(44)과 제1도전층(46)을 순차적으로 형성한후 제1게이트의 유효길이(m)로 부터 소정의 길이(b)만큼 신장되도록 패턴형성하는 제1공정과, 노출된 제1도전층(46)을 이방성 식각에 의해 제거하여 제1게이트(46a)를 형성하는 제2공정과, 상기 기판(42)상면의 제1게이트용 절연막(44)을 등방성으로 식각하여 상기 제1게이트(46a)의 측면이 제1게이트용 절연막의 측면으로 부터 소정의 폭으로 돌출되도록 하는 제3공정과, 상기 기판(42)상면에 제2게이트용 절연막(50)을 형성하는 제4공정과, 상기 기판(42)상면에 제2도전층(54)을 도포한 후 패턴을 형성하여 상기 제1게이트(46a)의 이웃하는 측면사이에 걸치는 제2게이트(54a)를 형성하는 제5공정을 구비함을 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트용 절연막(44,50)이 실리콘 산화막임을 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2게이트용 절연막(50)이 건식 산화공정에 의해 형성됨을 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1공정의 패턴 형성시 제1게이트(46a)의 유효길이(m)로 부터 신장된 길이(b)와, 상기 제3공정에서 제1게이트용 절연막(44)의 측면으로 부터 돌출된 제1게이트(46a)의 폭(f)이 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1게이트(46a)의 유효길이(m)로 부터 신장된 길이(b)와 제1게이트용 절연막(44)의 측면으로부터 돌출된 제1게이트(46a)의 폭(f)이 각각 이온주입된 불순물이 열처리에 의해 측면방향으로 확산되는 폭임을 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2도전층(46,54)이 다결정 실리콘임을 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서의 제조방법.
- 수직 및 수평 전송부로 이루어지는 신호전송부를 구비하는 CCD형 이미지 센서에 있어서 상기 신호 전송부가 제1도전형의 반도체 기판(42)과, 상기 기판(42)상에 형성된 제2도전형의 매몰형 전하결합층(40)과, 상기 기판(42)상면에 소정거리 이격되어 형성된 제1게이트용 산화막(44)과, 상기 제1게이트용 산화막(44)의 측면으로 부터 소정의 폭만큼 돌출되어 그 상면에 형성된 제1게이트(46a)와 상기 기판(42)전면에 건식산화공정에 의해 형성된 제2게이트용 산화막(50)과, 상기 제1게이트(46a)의 이웃하는 측면상에 걸쳐 형성된 제2게이트(54a)와, 상기 제1게이트용 산화막(44)의 측면과 측면사이의 기판 하면의 매몰형 전하결합층(40)내에 형성된 불순물 확산 영역(52)으로 구성됨을 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서.
- 제7항에 있어서, 상기 제1게이트용 산화막(44)의 측면으로부터 돌출된 제1게이트 (46a)의 폭이, 이온주입된 불순물이 열처리에 의해 측면방향으로 확산되는 폭임을 특징으로 하는 CCD형 이미지 센서.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019900020898A KR930012126B1 (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Ccd형 이미지 센서의 제조방법 및 그 구조 |
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| KR1019900020898A KR930012126B1 (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Ccd형 이미지 센서의 제조방법 및 그 구조 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR920013781A true KR920013781A (ko) | 1992-07-29 |
| KR930012126B1 KR930012126B1 (ko) | 1993-12-24 |
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ID=19307751
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| KR1019900020898A KR930012126B1 (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Ccd형 이미지 센서의 제조방법 및 그 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930012126B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7227597B2 (en) | 1997-12-31 | 2007-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having a source electrode and a metal pattern for a storage capacitor formed on an insulating substrate |
-
1990
- 1990-12-18 KR KR1019900020898A patent/KR930012126B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7227597B2 (en) | 1997-12-31 | 2007-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having a source electrode and a metal pattern for a storage capacitor formed on an insulating substrate |
| US7271857B2 (en) | 1997-12-31 | 2007-09-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930012126B1 (ko) | 1993-12-24 |
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