KR920013620A - 웨이퍼의 전방부 모서리와 후방부에서의 증착을 방지하는, cvd웨이퍼 처리용 수동 실드 - Google Patents

웨이퍼의 전방부 모서리와 후방부에서의 증착을 방지하는, cvd웨이퍼 처리용 수동 실드 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

웨이퍼의 전방부 모서리와 후방부에서의 증착을 방지하는, CVD웨이퍼 처리용 수동 실드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따르는 하부에 맞물리지 않은 위치에 나타낸 서셉터 및 이 서셉터상의 반도체 웨이퍼와, 지지수단상에 놓이는 실드링을 포함하여 구성된 CVD처리장치의 수직 단면도, 제3도는 실드링이 웨이퍼 및 서셉터와 맞물리지 않은 상태와, 지지수단상에 놓이는 실드링을 나타내는, 제2도에 나타낸 장치의 일부를 도시한 수직 단면도, 제4도는 슬로트에 있는 지지부재상의 배열핀과 회전 배열 슬로트를 나타낸, 본 발명의 실드링의 저면도, 제4A도는 배열 슬로트와 배열 슬로트내의 핀을 나타낸, 제4도의 실드링의 확대도, 제5도는 지지수단에 상승된 실드링과 상승위치에서 맞물린 웨이퍼와 서셉터를 갖는, 제2도의 CVD처리장치를 나타낸 수직 단면도, 제6도는 웨이퍼와 서셉터에 대한 실드링의 맞물림과, 지지수단으로 상승한 실드링을 나타낸, 제5도에 도시된 장치의 일부의 확대된 수직 단면도, 제7도는 웨이퍼를 배열위치로 틀어박기 위해 실드링의 테이퍼진 모서리와 맞물리고 옵셋 또는 비스듬한 위치에 있는 웨이퍼를 갖는, 제2도의 장치의 일부를 도시한 확대된 수직 단면도.

Claims (22)

  1. 반도체 웨이퍼를 CVD처리하기 위한 진공 중착장치에 있어서, (a) 진공 중착 챔버; (b)상기 챔버내에 서셉터를 갖는 웨이퍼 지지수단; (c)상기 서셉터상의 원형 반도체 웨이퍼; (d)상기 챔버내 처리가스 유입수단; (e)상기 챔버내에서 상기 서셉터와 상기 서셉터상의 웨이퍼를 상향 및 하향으로 수직 이동시키는 수단; 및 (f)CVD처리 중에 상기 웨이퍼의 전방 모서리상에 중착에 발생하는 것을 막기 위해 상기 웨이퍼 및 서셉터를 상기 웨이퍼의 전방 모서리에 상향으로 수직이동시킬때, 상기 웨이퍼의 전방 모서리와 맞물릴 수 있는 상기 챔버내의 실드수단을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 서셉터는 원형이고, 큰 하부면으로부터 상기 웨이퍼의 직경과 거의 같은 직경을 갖는 상부면쪽으로 내향으로 테이퍼진 외부 모서리에 의해 제공되고; 상기 실드수단은 상기 실드링의 하부면으로부터 기 웨이퍼의 전방 모서리와 맞물리도록 내향으로 뻗어있는 상기 실드링상의 립의 하부면쪽으로 뻗어있는 테이퍼진 원형 내부 모서리를 갖는 원형 실드링을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리가 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리보다 더 작은 치수이고, 상기 서셉터 외부 모서리의 테이퍼 각각 상기 실드링 내부 모서리의 테이퍼각이 거의 같으며; 이것에 의해 상기 서셉터 및 서셉터상의 웨이퍼가 상기 실드링과 맞물리도록 상승할 때, 상기 실드링은 상기 각각의 테이퍼진 모서리 사이의 접촉에 의해 상기 서셉터와 부합되도록 측면으로 이동됨을 특징으로 하는 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 원형 서셉터의 상부면의 직경이 상기 웨이퍼의 직경과 거의 같으며, 이것에 의해 상기 서셉터 및 상기 서셉터상의 웨이퍼가 상승하는 동안에 상기 웨이퍼가 상기 서셉터에 대해 측방향으로 잘못배열되면, 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리는 상기 웨이퍼의 단부 모서리부와 맞물리고, 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리는 상기 서셉터에 대해 적당히 배열된 위치로 틀어 박히게 됨을 특징으로 하는 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리와 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리는 각각 수직에 대해 약 15° 내지 60°범위의 각을 형성함을 특징으로 하는 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 실드링의 내부립의 하부면은 상기 웨이퍼 표면에 평행하고, 상기 내부립은 약 1.5내지 6㎜ 범위의 거리에서 상기 웨이퍼의 전방 모서리위에 뻗어있음을 특징으로 하는 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 서셉터 및 상기 서셉터상의 웨이퍼가 상기 실드링의 립의 하부면과 맞물리도록 상향으로 수직이동할 때, 상기 실드링이 상기 링지지수단에 상향으로 수직이동 할 수 있도록 하는 상기 챔버에 작동적으로 부착된 실드링 지지수단에 의해 상기 실드링이 상기 챔버내에 지지됨을 특징으로 하는 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 배열수단은 상기 실드링을 상기 링 지지수단에 원형으로 배열하기 위해 상기 실드링 및 상기 링 지지수단에 의해 이동됨을 특징으로 하는 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 배열수단이 각각 상기 실드링의 하부면과 상기 링 지지수단의 상부면상으로 이동되는 메이팅 수단을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 메이팅 수단은 테이퍼진 핀을 수용하는 상기 실드링의 하부면과 대응하는 테이퍼진 측벽상에 방사형으로 뻗어있는 슬로트 및 테이퍼진 헤드를 갖는 핀을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 실드링이 상기 서셉터와 웨이퍼에 의해 상기 링 지지수단에 올려질때, 상기 실드링은 퍼어즈 가스통로를 제공하기 위해 링 지지수단상의 테이퍼진 표면과 메이팅하는 테이퍼진 외부 모서리를 가지며, 이것에 의해 상기 웨이퍼 아래 챔버에 유입된 퍼어즈 가스가 상기 퍼어즈 가스 통로를 통해 상기 챔버의 하부를 통과하도록 함을 특징으로 하는 장치.
  12. 제11항에 있어서, 스커트는 상기 실드링 지지수단 아래에서의 챔버의 부분을 퍼어즈 가스 유입구와 연통하는 내부와, 진공 배출구와 연통하는 외부를 분리하기 위해, 상기 실드링 지지수단으로부터 상기 챔버의 하부벽으로 하향으로 뻗어있음을 특징으로 하는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 실드링 지지수단에 있는 개구부가 처리가스 및 퍼어즈 가스가 상기 챔버의 외부로 흐르고 상기 챔버로부터 진공 배출구를 통해 배출되도록 함을 특징으로 하는 장치.
  14. 반도체 웨이퍼를 CVD처리하기 위한 진공 중착장치에 있어서, (a) 진공 중착 챔버, (b)상기 챔버내 원형 반도체 웨이퍼, (c)더 큰 하부면으로부터 상기 웨이퍼와 거의 같은 직경을 갖는 하부 표면으로 내향으로 테이퍼진 외부 모서리를 갖는 원형 서셉터를 가진, 상기 챔버내의 웨이퍼 지지수단; (d)상기 서셉터상 웨이퍼위의 처리가스 유입수단; (e)상기 서셉터 및 상기 서셉터상의 웨이퍼를 상기 가스 유입수단쪽으로 밑으로부터 수직 이동시키기 위한 수단; 및 (f)상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리 각과 거의 같은 테이퍼각을 갖는 원형의 테이퍼진 내부모서리를 가진 원형 실드링을 포함하고, CVD처리 중에 상기 웨이퍼의 전방 모서리상에 중착되는 것을 방지하기 위해 상기 웨이퍼의 전방 모서리가 실드되도록 상기 웨이퍼 및 서셉터를 상기 처리가스 유입수단쪽으로 이동시킬 때, 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리가 상기 링의 하부면으로부터 상기 웨이퍼의 전방 모서리와 맞물리도록 내향으로 뻗어있는 상기 실드링상 립의 하부면으로 내향으로 뻗어 있도록 된, 상기 챔버내의 실드수단을 포함하고, 상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리 및 상기 실드링의 내부 모서리는 조합하여 상기 서셉터에 대한 상기 실드의 배열과 상기 서셉터 및 실드링에서 상기 서셉터상의 웨이퍼의 배열을 제공하도록 함을 특징으로 하는 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리는 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리보다 작은 치수이며, 이것에 의해 상기 서셉터 및 상기 서셉터상의 웨이퍼가 상기 실드링과 맞물리도록 상승할때, 상기 실드링은 상기 각각의 테이퍼진 모서리 사이의 접촉에 의해 상기 서셉터에 부합되도록 측면 이동됨을 특징으로 하는 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리와 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리는 각각 수직에 대해 약 15° 내지 60°범위의 각을 형성함을 특징으로 하는 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 실드링의 내부립의 하부면은 상기 웨이퍼 표면에 평행하고, 상기 내부립은 약 1.5내지 6㎜ 범위의 거리에서 상기 웨이퍼의 전방 모서리위에 내향으로 뻗어있음을 특징으로 하는 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 서셉터 및 상기 서셉터상의 웨이퍼가 상기 실드링상립의 하부면과 맞물리도록 상향으로 수직이동할 때, 상기 실드링은 상기 실드링이 상기 링 지지수단에 상향으로 수직이동하도록 하는, 상기 챔버에 동작으로 부착된 링 지지수단에 의해 상기 챔버내에 지지됨을 특징으로 하는 장치.
  19. 제18항에 있어서, 메이팅 수단을 포함한 배열수단은 상기 실드링을 상기 링 지지수단에 원형으로 배열하기 위해 상기 실드링의 하부면과 상기 링 지지수단의 상부면상에 각각 이동됨을 특징으로 하는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 메이팅수단은 테이퍼진 핀을 수용하기 위해 테이퍼진 헤드를 갖는 핀과 대응 테이퍼진 슬로트를 포함함을 특징으로 하는 장치.
  21. 제18항에 있어서, 상기 실드링이 상기 서셉터 및 웨이퍼에 의해 상기 링 지지수단으로 상승할 때, 상기 실드링은 퍼어즈 가스통로를 제공하기 위해 상기 링 지지수단상의 테이퍼진 표면과 메이팅하는 테이퍼진 외부 모서리를 가지며, 이것에 의해 상기 웨이퍼 아래 챔버내로 유입된 퍼어즈 가스가 상기 퍼어즈 가스통로를 통해 상기 챔버의 상부로 통과함을 특징으로 하는 장치.
  22. 반도체 웨이퍼를 CVD처리하기 위한 진공 중착장치에 있어서, (a) 진공 중착 챔버; (b)상기 챔버내의 원형 반도체 웨이퍼; (c)상기 서셉터의 평면에서 더큰 하부면으로부터 상기 웨이퍼와 거의 같은 직경을 가진 상부면까지 약 15° 내지 60°범위의 각을 형성하도록 내향으로 테이퍼진 모서리를 갖는 원형 서셉터를 가진, 상기 웨이퍼의 웨이퍼 지지수단; (d)상기 서셉터상 상기 웨이퍼위의 처리가스 유입수단; (e)상기 서셉터 및 상기 서셉상의 웨이퍼를 상기 가스유입 수단쪽으로 밑으로부터 수직시키기 위한 수단; (f)상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리보다 약간 더 큰 치수의 테이퍼진 원형 내부 모서리를 갖는 원형 실드링을 포함하고, 상기 서셉터의 내부 모서리의 테이퍼각이 상기 서셉터에 대한 상기 실드링의 배열과 상기 실드링 및 서셉터에 대한 배열을 가능하도록 하는 매칭 테이퍼를 제공하기 위해서 상기 서셉터의 테이퍼진 외부 모서리각과 거의 같고, CVD 처리중에 상기 웨이퍼의 전방 모서리, 단부 모서리, 후방부에 중착되는 것을 방지하기 위해 상기 웨이퍼의 전방 모서리를 실드링하도록 상기 서셉터 및 웨이퍼를 상기 처리가스 유입수단쪽으로 수직 이동시킬때, 상기 실드링의 테이퍼진 내부 모서리는 상기 실드링의 하부면으로부터 약 1.5 내지 6㎜의 상기 웨이퍼의 전방 모서리와 맞물리도록 내향으로 뻗어있는 상기 실드링상의 립의 하부면까지 내향으로 뻗어있도록 된, 상기 챔버내의 실드수단; (g)상기 서셉터 및 상기 서셉터상의 웨이퍼가 상기 실드링상 립의 하부면과 맞물리도록 상향으로 수직 이동할 때, 상기 실드링을 지지하고 상기 실드링을 상기 링 지지수단에 상향으로 수직이동시키기 위해서 상기 챔버에 작동으로 부착된 실드링 지지수단; 및 (h)상기 실드링을 상기 링 지지수단에 원형으로 배열하기 위해 상기 실드링의 하부면과 상기 링 지지수단의 상부면상에 각각 이동된 메이팅 수단을 갖는 배열수단을 포함함을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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