KR930017101A - 진공 증착 장치 - Google Patents

진공 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930017101A
KR930017101A KR1019930000769A KR930000769A KR930017101A KR 930017101 A KR930017101 A KR 930017101A KR 1019930000769 A KR1019930000769 A KR 1019930000769A KR 930000769 A KR930000769 A KR 930000769A KR 930017101 A KR930017101 A KR 930017101A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
ring
shielding
workpiece
wafer
Prior art date
Application number
KR1019930000769A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100225703B1 (ko
Inventor
쳉 데이비드
창 메이
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR930017101A publication Critical patent/KR930017101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100225703B1 publication Critical patent/KR100225703B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519Inert gas curtains
    • C23C16/45521Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 CVD 프로세싱을 위한 진공증착 장치에 관한 것으로, 가스출구 또는 샤유어헤드 하부의 수직으로 이동이 가능한 축열기 상에 장착된 웨이퍼는 상승되어, 통상 챔버내의 링 지지부 상에 놓이는 차폐링과 접촉하게 된다. 상기 차폐링은 웨이퍼의 전면에지와 결합하며, 상기 축열기 및 웨이퍼(10)가 챔버내의 증착위치로 상승될 때 상기 차폐링을 그 지지로부터 상승시킨다. 상기 차폐링은 웨이퍼의 전면에지를 결합시키므로, 증착시키는 동안 웨이퍼의 단부 에지 및 후면을 물론이고, 웨이퍼의 상부 표면의 에지를 차폐시킨다. 상기 축기 및 차폐링사의 매칭하여 뾰족해진 에지는 축열기에 대해 차폐링의 정렬 및, 축열기 및 차폐링에 대해 웨이퍼의 정렬을 허용한다. 정렬수단은 상기 차폐링을 챔버내의 그 지지부에 회전하여 정렬하기 위해서 열린다. 다중-장치 차폐링은 더 넓은 링의 사용을 허용하며 처리중에 웨이퍼 주변의 온도차와 상기 웨이퍼로부터 발생되는 열응력으로 인한 차폐링의 박리를 방지한다. 이러한 차폐링은 서로에 대해서 링의 정렬을 보장하기 위해서 에지를 뾰족하게 할 수 있다.

Description

진공 증착 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 웨이퍼의 CVD 공정에서 사용되는 종래 기술 장치의 부분 수직 횡단면도, 제2도는 지지 수단위에 놓인 차폐 수단을 갖으며 하부, 비결합 위치에 도시된 반도체 웨이퍼를 장착하는 웨이퍼 지지부를 갖는 본 발명에 따라 구성된 CVD 공정 장치의 수직 횡단면도, 제3도는 제2도에 도시된 장치의 일부에 대한 확대 부분 수직 횡단면도로서, 웨이퍼 및 웨이퍼 지지대에 의해 차폐 수단의 비결합을 도시하며 차폐 지지 수단상에 놓인 차폐 수단을 도시하는 도면.

Claims (28)

  1. 프로세스 가스 혼합물 내에서 공작물의 전면을 처리하기 위한 프로세스 챔버에 있어서, a)에워싸인 프로세스 챔버와, b)프로세스 가스 혼합물을 챔버의 영역으로 공급하기 위한 가스입구수단과, c)공작물을 지지하여 공작물의 전면이 프로세스 가스에 노출되도록 하는 공작물 지지수단과, d) 공작물 보다 대체로 크며 열린 중앙부를 갖는 장벽 부재와, e)장벽 부재를 배치하여 개구중앙부를 밀폐하여 에워싸는 그 내부에지가 공작물의 전면에지에 인접하면서, 상기 장벽 부재가 공작물의 후방으로 프로세스 가스 혼합물이 접촉하지 않도록 하는 장벽부재 배치 수단을 구비하며, f) 상기 장벽 부재는 다수의 동심링을 구비하며, 상기 장벽 배치수단은 각각의 동심링을 배치시켜서 그 내부 및 외부 에지는 인접 동심링의 대응하는 에지와 밀폐되게 맞추어지며, 최내부 링의 내부에지는 공작물의 전측의 에지를 밀폐하여 접촉하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지수단에는, 더 큰 바닥표면으로부터 상부 표면으로 내부로 뾰족해지는 외부 에지가 제공되며, 상기 차폐 수단은 그 내부 에지상에 더 작은 테이퍼를 갖으며 처리되는 공작물의 전면 에지에 결합시키기 위해 내부로 연장되는 립을 갖는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  3. 제2항에 있어서, 상기 차폐 수단은 두개 또는 그 이상의 장치를 포함하는데, 내부장치는 상기 지지수단에 인접하며 내부 및 외부로 연장되는 립을 갖으며, 외부장치는 상기 내부장치의 외부에지와 함께 결합되는 내부에지를 갖는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  4. 제2항에 있어서, 상기 지지수단의 상기 뾰족해진 외부에지는 상기 차폐수단 및 같은 각의 상기 뾰족해진 내부에지보다 작은 규격을 갖으며, 그에 따라서 상기 차폐수단은, 상기 지지수단 및 상기 공작물이 상기 챔버내의 증착위치로 이동될때 상기 각각의 뾰족해진 에지 사이의 접촉에 의해 상기 지지수단과 정렬되도록 이동되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  5. 제4항에 있어서, 상기 지지수단은 원형이며 그것은 상기 공작물의 직경과 거의 같은 상부 표면을 갖으며, 그에 따라서 상기 차폐수단의 상기 뾰족해진 내부 에지는 상기 축열기 및 상기 공작물이 상기 챔버내 증착위치로 이동될때 상기 공작물의 단부에지부와 결합되며, 따라서 상기 공작물이 상기 지지수단에 대해 축방향으로 오정렬되면, 상기 차폐 수단의 뾰족해진 내부에는 상기 공작물이 상기 지지수단에 대해 정렬된 위치로 돌아가게 하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  6. 제4항에 있어서, 상기 지지수단의 상기 뾰족해진 외부 에지 및 상기 차폐 수단의 상기 뾰족해진 내부 에지는 각각 수직에 대해서 약 15°에서 약 60로 규정되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  7. 제2항에 있어서, 상기 차폐수단의 상기 립의 하부 표면은 상기 공작물의 표면에 평행하며 상기 립은 약 1.5 내지 약 6밀리미터 범위의 거리로 상기 공작물의 상기 전면 에지상에서 내부로 연장되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  8. 제1항에 있어서, 상기 차폐수단은 상기 챔버의 벽에 부착된 차폐수단에 의해 상기 챔버내에서 지지되어 상기 차폐수단은 그것이 상기 공작물과 결합되지 않을 때 지지되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  9. 제8항에 있어서, 정렬수단은, 상기 차폐수단을 상기 차폐지지수단에 정렬하기 위해서 상기 차폐수단 및 상기 차페 지지수단에 의해서 옮겨지는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  10. 제9항에 있어서, 상기 정렬수단은, 상기 차폐수단의 하부 표면 및 상기 차폐 지지수단의 상부 표면상에서 각각 이동되는 메이팅 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  11. 제10항에 있어서, 상기 메이팅 수단은, 상기 뾰족해진 핀을 받아들이기 위해 대응하여 뾰족해진 측벽을 갖는 상기 차폐수단의 상기 하부표면에서 방사방향으로 연장되는 슬롯과 뾰족해진 헤드를 갖는 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  12. 제8항에 있어서, 상기 차폐 수단은, 상기 차폐 지지수단 상의 뾰족해진 표면에 대응하는 외부로 뾰족해진 에지를 갖으며, 그에 따라서 상기 차폐수단이 상기 공작물을 처리하는 동단 상기 지지수단으로부터 해제될때, 상기 프로세스 가스가 상기 공작물의 하측에 접하지 않도록, 상기 프로세스 가스의 유도통로와 다른 통로가 벽으로 부터 유도가스를 상기 챔버로 퍼징시키도록 제공되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  13. 제12항에 있어서, 분할기가, 퍼지가스 입구와 통하는 상기 챔버의 그 부분을 진공 출구와 통하는 다른 챔버의 그 부분을 진공 출구와 통하는 다른 부분으로 부터 분리시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  14. 제3항에 있어서, 상기 차폐수단은 세라믹으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  15. 제3항에 있어서, 상기 차폐수단은 대부분의 챔버를 상기 챔버의 벽으로 외부로 연장되는 공작물로 부터 차폐시키는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  16. 제1항에 있어서, 퍼지가스 포트는, 프로세스 가스 포트를 갖는 벽과 다른 상기 챔버의 벽내에 있는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  17. 제3항에 있어서, 퍼지가스 포트는, 프로세스 가스 포트를 갖는 벽과 다른 상기 챔버의 벽내에 있는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  18. 제17항에 있어서, 퍼지가스는, 상기 내부링이 상기 웨이퍼에 의해서 결합될때, 상기 내부링과 상기 외부링 사이의 개구를 통해서 통과할 수 있는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버.
  19. 반도체 웨이퍼의 CVD 처리를 위한 진공 증착 챔버에 있어서, a) 진공증착 챔버와, b) 상기 웨이퍼와 거의 같은 크기를 갖는 상부 표면과 상기 웨이퍼 보다 큰 하부표면을 갖는 상기 챔버내의 원형 웨이퍼 지지수단과, 균일한 테이퍼를 갖는 표면사이의 벽과, c)프로세스 가스를 상기 챔버에 공급하기 위한 가스 입구 수단과, d) 상기 웨이퍼 지지수단을 상기 가스입구 수단으로 그리고 상기 입구 수단으로부터 수직으로 이동시키기 위한 수단과, e) 웨이퍼 지지수단의 벽의 각과 거의 같은 테이퍼 각을 갖는 뾰족해진 내부에지는 갖는 링을 포함하는 차폐수단을 구비하며, 상기 뾰족해진 내부에지는 상기 링의 바닥표면으로부터 립의 바닥표면으로 내부로 연장되는 상기 립은 상기 웨이퍼 및 웨이퍼 지지수단이 상기 가스입구 수단으로 이동되어 상기 처리가스로부터 상기 웨이퍼의 상기 전면에지를 차폐하고 그 위의 증착을 방지할때 상기 웨이퍼의 전면에지와 결합되도록 내부로 연장되는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  20. 제19항에 있어서, 상기 링 차폐는 내부링과 외부링을 구비하며, 상기 내부링은 처리중에 상기 웨이퍼상에서 내부로 연장되며 상기 외부링 상에서 외부로 연장되는 립을 갖는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  21. 제19항에 있어서, 상기 내부링의 에지는 상기 웨이퍼 지지수단의 벽의 테이퍼에 대응하는 테이퍼를 갖는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  22. 제19항에 있어서, 각각의 링의 외부 에지는 다음 인접링의 내부에지의 테이퍼에 대응하는 테이퍼를 갖는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  23. 제21항에 있어서, 최외곽 링은 상기 챔버의 벽에 부착된 차폐 지지수단에 의해서 지지되는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  24. 제19항에 있어서, 상기 차폐수단은, 상기 웨이퍼 지지수단이 수직으로 상향이동하여 상기 차폐수단 상의 상기 립의 하부표면과 결합될때, 상기 차폐수단의 상향이동을 허용하는 상기 챔버에 부착된 링 지지수단에 의해 상기 챔버내에서 지지되는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  25. 제19항에 있어서, 프로세스 가스입구와 다른 챔버벽내의 퍼지가스입구는 퍼지가스가 상기 챔버내로 통과하도록 하는 것을 특징으로 하는 진공증착 장치.
  26. 제24항에 있어서, 상기 차폐수단이, 상기 차폐수단상의 챔버부분으로 상기 퍼지가스가 통과하도록 상기 링 지지부로 부터 풀릴때, 개구는 상기 링 지지수단과 상기 차폐수단 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  27. 제19항에 있어서, 상기 내부링이, 상기 차폐 수단 상의 챔버 부분으로 퍼지가스가 통과하도록 상기 웨이퍼에 의해 결합될때, 개구는 내부링과 그 다음 인접 외부링 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 진공증착 챔버.
  28. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930000769A 1992-01-22 1993-01-21 전면 모서리 증착 배제 및 배면 증착 방지를 위한 cvd 웨이퍼 처리용 비활성 차폐 KR100225703B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/823,942 1992-01-22
US7/823,942 1992-01-22
US07/823,942 US5304248A (en) 1990-12-05 1992-01-22 Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930017101A true KR930017101A (ko) 1993-08-30
KR100225703B1 KR100225703B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=25240190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930000769A KR100225703B1 (ko) 1992-01-22 1993-01-21 전면 모서리 증착 배제 및 배면 증착 방지를 위한 cvd 웨이퍼 처리용 비활성 차폐

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5304248A (ko)
EP (1) EP0553691A1 (ko)
JP (1) JP2641373B2 (ko)
KR (1) KR100225703B1 (ko)

Families Citing this family (377)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
US5855687A (en) * 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
JP2888026B2 (ja) * 1992-04-30 1999-05-10 松下電器産業株式会社 プラズマcvd装置
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
US5433780A (en) * 1992-11-20 1995-07-18 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination
US5800686A (en) * 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
US6123864A (en) 1993-06-02 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Etch chamber
US5513594A (en) * 1993-10-20 1996-05-07 Mcclanahan; Adolphus E. Clamp with wafer release for semiconductor wafer processing equipment
US5437757A (en) * 1994-01-21 1995-08-01 Applied Materials, Inc. Clamp ring for domed pedestal in wafer processing chamber
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
US5766365A (en) * 1994-02-23 1998-06-16 Applied Materials, Inc. Removable ring for controlling edge deposition in substrate processing apparatus
US5888304A (en) * 1996-04-02 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Heater with shadow ring and purge above wafer surface
US5405491A (en) * 1994-03-04 1995-04-11 Motorola Inc. Plasma etching process
US5476548A (en) * 1994-06-20 1995-12-19 Applied Materials, Inc. Reducing backside deposition in a substrate processing apparatus through the use of a shadow ring
US5441568A (en) * 1994-07-15 1995-08-15 Applied Materials, Inc. Exhaust baffle for uniform gas flow pattern
US6365495B2 (en) 1994-11-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature
JP2701767B2 (ja) * 1995-01-27 1998-01-21 日本電気株式会社 気相成長装置
US5639334A (en) * 1995-03-07 1997-06-17 International Business Machines Corporation Uniform gas flow arrangements
US5902399A (en) * 1995-07-27 1999-05-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improved coating of a semiconductor wafer
JP3477953B2 (ja) * 1995-10-18 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR0183823B1 (ko) * 1996-02-22 1999-04-15 김광호 웨이퍼 로딩용 스테이지를 갖춘 반도체 제조 장치
US5895530A (en) * 1996-02-26 1999-04-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber
US5810937A (en) * 1996-03-13 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Using ceramic wafer to protect susceptor during cleaning of a processing chamber
US5863340A (en) * 1996-05-08 1999-01-26 Flanigan; Allen Deposition ring anti-rotation apparatus
US5948704A (en) * 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US5993916A (en) * 1996-07-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Method for substrate processing with improved throughput and yield
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6284093B1 (en) 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6120608A (en) * 1997-03-12 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Workpiece support platen for semiconductor process chamber
US6133152A (en) * 1997-05-16 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Co-rotating edge ring extension for use in a semiconductor processing chamber
US6186092B1 (en) * 1997-08-19 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for aligning and controlling edge deposition on a substrate
WO1999023691A2 (en) * 1997-11-03 1999-05-14 Asm America, Inc. Improved low mass wafer support system
US6296712B1 (en) 1997-12-02 2001-10-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hardware and process
US6210483B1 (en) 1997-12-02 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Anti-notch thinning heater
TW461923B (en) * 1998-02-17 2001-11-01 Sharp Kk Movable sputtering film forming apparatus
US6096135A (en) 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US6170429B1 (en) 1998-09-30 2001-01-09 Lam Research Corporation Chamber liner for semiconductor process chambers
US6159333A (en) * 1998-10-08 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Substrate processing system configurable for deposition or cleaning
US6379492B2 (en) * 1998-10-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant coating
JP4317608B2 (ja) * 1999-01-18 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2000286215A (ja) * 1999-02-09 2000-10-13 Applied Materials Inc 低減された温度で窒化チタンの金属有機化学気相堆積をする方法
US6159299A (en) * 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
US6173673B1 (en) * 1999-03-31 2001-01-16 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for insulating a high power RF electrode through which plasma discharge gases are injected into a processing chamber
FI118342B (fi) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6464795B1 (en) 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
US6277198B1 (en) * 1999-06-04 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Use of tapered shadow clamp ring to provide improved physical vapor deposition system
US6315833B1 (en) * 1999-07-01 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon carbide sleeve for substrate support assembly
JP2001053030A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US6375748B1 (en) * 1999-09-01 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for preventing edge deposition
US6291347B1 (en) 1999-10-08 2001-09-18 Texas Instruments Incorporated Method and system for constructing semiconductor devices
US6176931B1 (en) 1999-10-29 2001-01-23 International Business Machines Corporation Wafer clamp ring for use in an ionized physical vapor deposition apparatus
US6589352B1 (en) * 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
US6343905B1 (en) 1999-12-17 2002-02-05 Nanometrics Incorporated Edge gripped substrate lift mechanism
JP2001214277A (ja) * 2000-01-31 2001-08-07 Canon Inc 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法
JP4422295B2 (ja) 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Cvd装置
US6440219B1 (en) 2000-06-07 2002-08-27 Simplus Systems Corporation Replaceable shielding apparatus
US6221166B1 (en) * 2000-06-07 2001-04-24 Simplus Systems Corporation Multi-thermal zone shielding apparatus
DE10043601A1 (de) * 2000-09-01 2002-03-14 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
JP3393118B2 (ja) * 2000-12-21 2003-04-07 株式会社半導体先端テクノロジーズ プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法
US6620520B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-16 Lam Research Corporation Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
JP2002231645A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Ngk Insulators Ltd 窒化物半導体膜の製造方法
US6702900B2 (en) * 2001-03-22 2004-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer chuck for producing an inert gas blanket and method for using
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
US6830622B2 (en) * 2001-03-30 2004-12-14 Lam Research Corporation Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof
DE60106577T8 (de) * 2001-05-31 2006-04-27 Alcatel Abnehmbare Schirmvorrichtung für Plasmareaktoren
KR20030044205A (ko) * 2001-11-29 2003-06-09 동부전자 주식회사 반도체 제조 장치 및 방법
KR100453014B1 (ko) * 2001-12-26 2004-10-14 주성엔지니어링(주) Cvd 장치
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US6776849B2 (en) 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
US6861321B2 (en) 2002-04-05 2005-03-01 Asm America, Inc. Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock
DE10392996T5 (de) * 2002-08-08 2005-07-21 Trikon Technologies Limited, Newport Verbesserungen für Duschköpfe
US20040148048A1 (en) * 2002-11-11 2004-07-29 Farnworth Warren M. Methods for recognizing features as one or more objects are being fabricated by programmed material consolidation techniques
US7270713B2 (en) * 2003-01-07 2007-09-18 Applied Materials, Inc. Tunable gas distribution plate assembly
US6942753B2 (en) * 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
EP1629522A4 (en) * 2003-05-30 2008-07-23 Aviza Tech Inc GAS DISTRIBUTION SYSTEM
TW200508413A (en) * 2003-08-06 2005-03-01 Ulvac Inc Device and method for manufacturing thin films
KR101003699B1 (ko) * 2003-08-11 2010-12-23 주성엔지니어링(주) 섀도우 프레임을 포함하는 액정표시장치용 증착장치 및 그의 동작방법
KR100578129B1 (ko) * 2003-09-19 2006-05-10 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치
US6888104B1 (en) 2004-02-05 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Thermally matched support ring for substrate processing chamber
WO2005081283A2 (en) * 2004-02-13 2005-09-01 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
US20060021703A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP4845385B2 (ja) * 2004-08-13 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP4348542B2 (ja) * 2004-08-24 2009-10-21 信越半導体株式会社 石英治具及び半導体製造装置
US7238623B2 (en) * 2004-10-06 2007-07-03 Texas Instruments Incorporated Versatile system for self-aligning deposition equipment
GB0424371D0 (en) * 2004-11-04 2004-12-08 Trikon Technologies Ltd Shielding design for backside metal deposition
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
TW200745367A (en) * 2005-07-29 2007-12-16 Aviza Tech Inc Gas manifold valve cluster
US20070065597A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-22 Asm Japan K.K. Plasma CVD film formation apparatus provided with mask
KR100775960B1 (ko) * 2005-09-15 2007-11-16 삼성전자주식회사 마스크를 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 막 형성 장치
US20070113783A1 (en) * 2005-11-19 2007-05-24 Applied Materials, Inc. Band shield for substrate processing chamber
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
JP4945391B2 (ja) * 2007-09-19 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20090165721A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-02 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor with Support Bosses
US7754518B2 (en) * 2008-02-15 2010-07-13 Applied Materials, Inc. Millisecond annealing (DSA) edge protection
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
CN102112649A (zh) 2008-08-05 2011-06-29 东京毅力科创株式会社 载置台构造
EP2159302B1 (en) * 2008-08-25 2015-12-09 Applied Materials, Inc. Coating chamber with a moveable shield
CN104947061B (zh) * 2008-08-25 2017-08-29 应用材料公司 具有可移动屏蔽件的涂布室
KR101468599B1 (ko) * 2008-10-22 2014-12-04 주식회사 케이씨텍 플라즈마 처리장치
US8801857B2 (en) * 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
US20100122655A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Tiner Robin L Ball supported shadow frame
US8298629B2 (en) 2009-02-25 2012-10-30 Crystal Solar Incorporated High throughput multi-wafer epitaxial reactor
US8673081B2 (en) 2009-02-25 2014-03-18 Crystal Solar, Inc. High throughput multi-wafer epitaxial reactor
CN102666917A (zh) * 2009-11-30 2012-09-12 朗姆研究公司 一种带有成角度侧壁的静电卡盘
JP5562065B2 (ja) * 2010-02-25 2014-07-30 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
US8920564B2 (en) * 2010-07-02 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
KR101209003B1 (ko) * 2010-10-14 2012-12-06 주식회사 유진테크 3차원 구조의 메모리 소자를 제조하는 방법 및 장치
KR101175148B1 (ko) * 2010-10-14 2012-08-20 주식회사 유진테크 3차원 구조의 메모리 소자를 제조하는 방법 및 장치
DE102010052689A1 (de) * 2010-11-26 2012-05-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrathalter für die Oberflächenbehandlung von Substraten und Verwendung des Substrathalters
DE102011007632B3 (de) * 2011-04-18 2012-02-16 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe
JP5654939B2 (ja) * 2011-04-20 2015-01-14 株式会社アルバック 成膜装置
JP6097742B2 (ja) 2011-05-27 2017-03-15 クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド エピタキシャル堆積によるシリコンウェハ
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10276410B2 (en) * 2011-11-25 2019-04-30 Nhk Spring Co., Ltd. Substrate support device
CN204375716U (zh) * 2012-03-05 2015-06-03 应用材料公司 遮蔽框、基板支撑件以及等离子体增强型化学气相沉积设备
US9682398B2 (en) * 2012-03-30 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing system having susceptorless substrate support with enhanced substrate heating control
JP6014408B2 (ja) * 2012-08-07 2016-10-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6056403B2 (ja) * 2012-11-15 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10006121B2 (en) * 2013-03-14 2018-06-26 Eugene Technology Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing three-dimensional-structure memory device
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102401501B1 (ko) 2014-12-19 2022-05-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링
US10658222B2 (en) * 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
TW201641209A (zh) * 2015-05-21 2016-12-01 漢磊科技股份有限公司 工件夾持器
KR102531090B1 (ko) * 2015-05-27 2023-05-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 성장률 epi 챔버를 위한 열 차폐 링
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10446420B2 (en) 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
TWI671792B (zh) 2016-12-19 2019-09-11 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 基板處理設備
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP2018107433A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及び基板処理装置
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11404249B2 (en) * 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11591717B2 (en) * 2017-09-25 2023-02-28 National University Corporation Nagoya University Vapor phase epitaxial growth device
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102404061B1 (ko) 2017-11-16 2022-05-31 삼성전자주식회사 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치
KR102538177B1 (ko) 2017-11-16 2023-05-31 삼성전자주식회사 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200101833A (ko) * 2018-01-17 2020-08-28 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 와이드 갭 반도체 기판, 와이드 갭 반도체 기판의 제조 장치 및 와이드 갭 반도체 기판의 제조 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP6995008B2 (ja) 2018-04-27 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) * 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102601581B1 (ko) * 2018-10-31 2023-11-14 삼성전자주식회사 플라즈마 챔버의 가스 공급 장치 및 이를 적용한 플라즈마 처리 장치
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US10790466B2 (en) * 2018-12-11 2020-09-29 Feng-wen Yen In-line system for mass production of organic optoelectronic device and manufacturing method using the same system
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN111446185A (zh) 2019-01-17 2020-07-24 Asm Ip 控股有限公司 通风基座
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
KR20220065840A (ko) * 2019-09-26 2022-05-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱을 위한 방법들 및 지지 브래킷 장치
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) * 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
US20220199373A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Applied Materials, Inc. Methods to eliminate of deposition on wafer bevel and backside
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112853314B (zh) * 2020-12-23 2022-09-16 北京北方华创微电子装备有限公司 挡环组件、半导体腔室及其清理方法
US20220275500A1 (en) * 2021-02-26 2022-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structures and methods for processing a semiconductor substrate
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
WO2024091385A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Gas flow improvement for process chamber

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2196019A (en) * 1986-10-07 1988-04-20 Cambridge Instr Ltd Metalorganic chemical vapour deposition
US4842683A (en) * 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
KR970003885B1 (ko) * 1987-12-25 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 에칭 방법 및 그 장치
KR0129663B1 (ko) * 1988-01-20 1998-04-06 고다까 토시오 에칭 장치 및 방법
US5262029A (en) * 1988-05-23 1993-11-16 Lam Research Method and system for clamping semiconductor wafers
JP2701363B2 (ja) * 1988-09-12 1998-01-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及びそれに使用する薄膜形成装置
JP2731855B2 (ja) * 1989-02-14 1998-03-25 アネルバ株式会社 減圧気相成長装置
JP2675613B2 (ja) * 1989-04-11 1997-11-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JPH02268427A (ja) * 1989-04-11 1990-11-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US4932358A (en) * 1989-05-18 1990-06-12 Genus, Inc. Perimeter wafer seal
JPH0313577A (ja) * 1989-06-08 1991-01-22 Agency Of Ind Science & Technol スパッタ装置の基板ホルダ
US4963393A (en) * 1989-09-07 1990-10-16 Cvd Incorporated Method to prevent backside growth on substrates in a vapor deposition system
US4990374A (en) * 1989-11-28 1991-02-05 Cvd Incorporated Selective area chemical vapor deposition
US5013400A (en) * 1990-01-30 1991-05-07 General Signal Corporation Dry etch process for forming champagne profiles, and dry etch apparatus
DE69126724T2 (de) * 1990-03-19 1998-01-15 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
KR100243784B1 (ko) * 1990-12-05 2000-02-01 조셉 제이. 스위니 웨이퍼의 전방부 모서리와후방부에서의 증착을 방지하는 cvd웨이퍼 처리용 수동 실드
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
EP0606751B1 (en) * 1993-01-13 2002-03-06 Applied Materials, Inc. Method for depositing polysilicon films having improved uniformity and apparatus therefor
US5800686A (en) * 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07221024A (ja) 1995-08-18
EP0553691A1 (en) 1993-08-04
US5851299A (en) 1998-12-22
KR100225703B1 (ko) 1999-10-15
US5304248A (en) 1994-04-19
JP2641373B2 (ja) 1997-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930017101A (ko) 진공 증착 장치
KR100253957B1 (ko) 하방향 지향 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치 및 방법
KR920013620A (ko) 웨이퍼의 전방부 모서리와 후방부에서의 증착을 방지하는, cvd웨이퍼 처리용 수동 실드
US6328808B1 (en) Apparatus and method for aligning and controlling edge deposition on a substrate
US6146463A (en) Apparatus and method for aligning a substrate on a support member
JP4570699B2 (ja) 基板支持装置および堆積チャンバシールド組立体
US5860640A (en) Semiconductor wafer alignment member and clamp ring
US5947718A (en) Semiconductor processing furnace
US4854266A (en) Cross-flow diffusion furnace
KR100217351B1 (ko) 기판을 프로세싱하는 동안 가스를 기초로하여 기판의 이면을 보호하는 방법 및 장치
US5846073A (en) Semiconductor furnace processing vessel base
US5908292A (en) Semiconductor processing furnace outflow cooling system
KR20000035677A (ko) 섀도우 링과 챔버내에 섀도우 링을 지지하기 위한 가이드
KR20080033406A (ko) 반도체 처리용 증착 장치
CN106971932B (zh) 一种反应腔室和半导体设备
EP1015831B1 (en) Semiconductor processing furnace heating subassembly
TW202213623A (zh) 用於加工晶圓之裝置及方法
US5268067A (en) Wafer clamping method
US20050201854A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus of minienvironment system
JPH04243741A (ja) ウエファ−移送方法と装置
KR100364571B1 (ko) 박막증착용 반응용기
JPH02263984A (ja) Ccvd反応器システム
WO2019045340A1 (ko) 기판안치수단 및 기판처리장치
CN118053785A (zh) 一种等离子体处理腔、半导体处理系统及机械手
JPH06338474A (ja) 縦型カバーボート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020507

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee