KR101918457B1 - 마스크 어셈블리 - Google Patents

마스크 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR101918457B1
KR101918457B1 KR1020160177487A KR20160177487A KR101918457B1 KR 101918457 B1 KR101918457 B1 KR 101918457B1 KR 1020160177487 A KR1020160177487 A KR 1020160177487A KR 20160177487 A KR20160177487 A KR 20160177487A KR 101918457 B1 KR101918457 B1 KR 101918457B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
frame
shadow
shadow frame
gas supply
Prior art date
Application number
KR1020160177487A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180073937A (ko
Inventor
김재환
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020160177487A priority Critical patent/KR101918457B1/ko
Priority to CN201711399616.0A priority patent/CN108239765B/zh
Publication of KR20180073937A publication Critical patent/KR20180073937A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101918457B1 publication Critical patent/KR101918457B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/0455—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
    • H01L21/046—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation
    • H01L21/0465—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크 어셈블리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마스크 어셈블리는 기판 상부에 위치하며 소정의 패턴이 형성된 마스크, 상기 마스크를 지지하고 상기 마스크의 가장자리에 고정되는 마스크 프레임 및 상기 마스크 프레임에 안착되며 상기 마스크 프레임의 상면과 동일 평면상 또는 상기 마스크 프레임의 상면보다 아래에 위치하는 쉐도우 마스크를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

마스크 어셈블리 {Mask assembly}
본 발명은 박막증착장치에 사용되는 마스크 어셈블리에 대한 것이다.
기판 상에 물질을 증착하기 위하여 다양한 화학공정이 이용될 수 있다. 예를 들어, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD), 원자층 증착(atomic layer deposition: ALD) 등의 방법을 들 수 있다.
이 경우, 종래 기술에 따른 박막증착장치는 챔버 내부에 기판이 안착되는 기판지지부, 기판을 향해 공정가스를 공급하는 가스공급부, 증착되는 물질을 소정의 패턴으로 증착하기 위하여 기판 상부에 위치하는 마스크를 사용할 수 있으며, 이러한 마스크는 마스크 프레임에 의해 고정된다.
도 5는 종래 기술에 따른 마스크(100)와 마스크 프레임(20)의 구조를 도시한다. 도 5에 도시된 바와 같이 마스크(100)는 소정의 패턴이 형성된 채로 그 가장자리가 마스크 프레임(20)에 고정된다.
따라서, 상부의 가스공급부(400)에서 공급된 공정가스는 마스크(100)를 거쳐 하부의 기판으로 공급된다. 이때, 쉐도우 프레임(30)이 마스크 프레임(20)의 상면의 가장자리에 안착되어 가스공급부(400)에서 공급된 공정 가스가 바로 배기되지 않고 기판의 가장자리 영역에서 오래 체류하도록 한다. 기판의 가장자리 영역에서 공정 가스의 흐름이 오래동안 지속됨에 따라 기판에 증착되는 막의 균일도가 향상된다.
그런데, 가스공급부(400)에 의해 공정가스를 공급하여 기판 상에 물질을 증착하는 경우에 가스공급부(400)와 마스크(100) 사이의 거리(d1)를 가깝게 할수록 공정마진을 크게 할 수 있게 되어 플라즈마 밀도를 향상시키고, 박막의 균일도 개선을 기대할 수 있다. 따라서, 증착 공정 중에는 가스공급부(400)와 마스크(100) 사이의 거리(d1)를 짧게 하는 것이 유리하다.
하지만, 도 5에 도시된 바와 같이 종래 구조에서는 쉐도우 프레임(30)이 마스크 프레임(20)의 상면에 안착되므로 쉐도우 프레임(30)의 자체 두께(t)로 인해 가스공급부(400)와 마스크(100) 사이의 거리(d1)를 쉐도우 프레임(30)의 두께(t) 이하로 줄이는 것이 곤란하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 가스공급부와 마스크 사이의 거리를 줄일 수 있는 마스크 어셈블리를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 기판 상부에 위치하며 소정의 패턴이 형성된 마스크, 상기 마스크를 지지하고, 상기 마스크의 가장자리에 고정되는 마스크 프레임 및 상기 마스크 프레임에 안착되며 상기 마스크 프레임의 상면과 동일 평면상 또는 상기 마스크 프레임의 상면보다 아래에 위치하는 쉐도우 프레임을 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 어셈블리에 의해 달성된다.
여기서, 상기 마스크 프레임은 상기 쉐도우 프레임이 안착되는 경사부를 구비할 수 있다.
또한, 상기 마스크 프레임은 상기 경사부에서 상부를 향해 소정 길이로 연장 형성되며 상기 쉐도우 프레임이 상기 경사부에 안착되는 경우에 가이드하는 가이드부를 더 구비할 수 있다.
나아가, 상기 쉐도우 프레임은 상기 경사부에 대응하는 경사면을 구비할 수 있다.
한편, 상기 쉐도우 프레임은 가장자리를 따라 상부를 향해 소정 길이로 연장 형성되어 가스공급부에서 공급되는 공정가스의 체류시간을 늘리는 연장부를 더 구비할 수 있다.
이때, 상기 연장부는 상기 가스공급부보다 외곽에 위치할 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 쉐도우 프레임을 상기 마스크 프레임의 상면과 동일면상 또는 상기 마스크 프레임의 상면보다 아래에 위치하도록 배치하여 가스공급부와 마스크 사이의 거리를 현저히 줄임으로써 종래에 비해 상대적으로 공정마진을 크게 할 수 있게 되어 플라즈마 밀도를 향상시키고 박막의 균일도를 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 분해 사시도,
도 2는 도 1의 측단면도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 측단면도,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 측단면도,
도 5는 종래 기술에 따른 마스크 어셈블리의 측단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 마스크 어셈블리에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리(1000)의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 측단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 마스크 어셈블리(1000)는 기판(미도시) 상부에 위치하며 소정의 패턴이 형성된 마스크(100), 상기 마스크(100)를 지지하고 상기 마스크(100)의 가장자리에 고정되는 마스크 프레임(200) 및 상기 마스크 프레임(200)에 안착되며 상기 마스크 프레임(200)의 상면과 동일 평면상 또는 상기 마스크 프레임(200)의 상면보다 아래에 위치하는 쉐도우 프레임(300)을 구비한다.
상기 마스크(100)는 상기 기판에 소정의 형상을 따라 증착물질을 증착하기 위하여 소정의 패턴을 가질 수 있다.
이러한 마스크(100)는 그 가장자리가 마스크 프레임(200)에 의해 지지되며, 상기 마스크(100)의 하부에 기판이 위치하게 된다.
이때, 상기 쉐도우 프레임(300)이 상기 마스크 프레임(200)에 안착되는데, 증착 공정 중에 가스공급부(400)와 상기 마스크(100) 사이의 거리(d2), 또는 상기 가스공급부(400)와 기판 사이의 거리를 최대한 줄일 수 있도록 위치한다.
구체적으로, 본 실시예에 따른 마스크 어셈블리에서 상기 쉐도우 프레임(300)은 도면에 도시된 바와 같이 상기 마스크 프레임(200)의 상면보다 아래에 위치하게 된다.
이 경우, 상기 마스크 프레임(200)은 상기 쉐도우 프레임(300)이 안착되는 경사부(210)를 구비하며 상기 쉐도우 프레임(300)은 상기 경사부(210)에 대응하는 경사면(310)을 구비한다. 상기 쉐도우 프레임(300)을 상기 마스크 프레임(200)의 상부에 안착시키는 경우에 상기 쉐도우 프레임(300)을 상기 마스크 프레임(200)을 향해 하강시키면 상기 쉐도우 프레임(300)의 경사면(310)이 상기 경사부(210)에 밀착하게 되여 상기 쉐도우 프레임(300)이 아래를 향해 더 이상 하강하지 않는다.
따라서, 상기 쉐도우 프레임(300)을 상기 마스크 프레임(200)의 상부에 안착시키는 경우에 상기 쉐도우 프레임(300)을 고정 또는 지지하기 위한 별도의 수단을 필요로 하지 않는다.
이때 상기 마스크 프레임(200)은 상기 경사부(210)에서 상부를 향해 소정 길이로 연장 형성되며 상기 쉐도우 프레임(300)이 상기 경사부(210)에 안착되는 경우에 가이드하는 가이드부(220)를 더 구비할 수 있다.
상기 가이드부(220)는 상기 경사부(210)에서 상부를 향해 소정 길이로 연장 형성되어 상기 쉐도우 프레임(300)을 상기 마스크 프레임(200)에 안착시키는 경우에 상기 쉐도우 프레임(300)에 상기 가이드부(220)를 삽입하여 용이하게 안착시킬 수 있다. 이때, 상기 쉐도우 프레임(300)의 상면과 상기 마스크 프레임(200)의 상면 사이의 거리(d3)는 상기 가이드부(220)의 연장된 길이에 해당하게 된다.
전술한 구조를 가지는 마스크 어셈블리(1000)에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이 증착 공정 중에 가스공급부(400)와 상기 마스크(100) 사이의 거리(d2)를 최대한 줄일 수 있게 되어 종래 기술에 비해 상대적으로 공정마진을 크게 하여 플라즈마 밀도를 향상시키고 박막의 균일도를 개선할 수 있다.
한편, 도 3은 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리(2000)의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 쉐도우 프레임(300)이 상기 마스크 프레임(1200)에 안착되는 경우에 상기 쉐도우 프레임(300)의 상면과 상기 마스크 프레임(1200)의 상면이 동일 평면상에 위치하게 된다.
구체적으로, 본 실시예에 따른 마스크 프레임(1200)의 전술한 실시예와 비교하여 가이드부가 생략된 구조를 가지게 된다. 즉, 상기 마스크 프레임(1200)은 상면에서 경사부(1210)가 아래를 향해 형성된다. 따라서, 상기 쉐도우 프레임(300)이 상기 마스크 프레임(1200)에 안착되는 경우에 도면에 도시된 바와 같이 상기 쉐도우 프레임(300)의 상면과 상기 마스크 프레임(1200)의 상면이 동일 면상에 위치하게 된다.
한편, 도 4는 또 다른 실시예에 따른 마스크 어셈블리(3000)의 구조를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 쉐도우 프레임(1300)은 가장자리를 따라 상부를 향해 소정 길이로 연장 형성되어 가스공급부(400)에서 공급되는 공정가스가 기판 또는 마스크 프레임(1200)의 가장자리 영역에서 체류하는 시간을 늘리는 연장부(1330)를 더 구비한다.
상기 연장부(1330)는 상기 쉐도우 프레임(1300)의 가장자리를 따라 형성되어 상기 가스공급부(400)에서 기판을 향해 공급되는 공정가스가 외곽을 향해 분산되지 않고 기판의 가장자리 영역에서의 체류시간을 늘리도록 하여 박막의 균일도를 향상시키게 된다.
그런데, 상기 연장부(1330)가 평면상에서 상기 가스공급부(400)와 중첩되게 배치된다면 상기 연장부(1330)의 돌출 높이로 인해 상기 가스공급부(400)와 상기 마스크(100) 사이의 거리를 전술한 실시예처럼 줄이는 것이 곤란할 수 있다.
따라서, 상기 연장부(1330)는 도 4에 도시된 바와 같이 상기 가스공급부(400)보다 외곽에 위치할 수 있다. 이러한 구조에 따르면 상기 연장부(1330)에 의해 상기 가스공급부(400)에서 공급되는 공정가스의 체류시간을 늘릴 수 있으며, 나아가 상기 가스공급부(400)와 상기 마스크(100) 사이의 거리가 줄어드는 경우에도 상기 가스공급부(400)와 상기 연장부(1330)의 간섭을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
100..마스크
200, 1200..마스크 프레임
300, 1300..쉐도우 프레임
400..가스공급부

Claims (6)

  1. 기판 상부에 위치하며 소정의 패턴이 형성된 마스크;
    상기 마스크를 지지하고, 상기 마스크의 가장자리에 고정되는 마스크 프레임; 및
    상기 마스크 프레임의 상부 가장자리에 안착되며 상기 마스크 프레임의 상면과 동일 평면상 또는 상기 마스크 프레임의 상면보다 아래에 위치하는 쉐도우 프레임;을 구비하고,
    상기 마스크 프레임은 상기 쉐도우 프레임이 안착되는 경사부를 구비하고, 상기 쉐도우 프레임은 상기 경사부에 대응하는 경사면을 구비하여, 상기 쉐도우 프레임을 상기 마스크 프레임의 상부에 안착시키는 경우에 상기 쉐도우 프레임을 상기 마스크 프레임을 향해 하강시키면 상기 쉐도우 프레임의 경사면이 상기 경사부에 밀착하게 되여 고정되는 것을 특징으로 하는 마스크 어셈블리.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 프레임은
    상기 경사부에서 상부를 향해 소정 길이로 연장 형성되며 상기 쉐도우 프레임이 상기 경사부에 안착되는 경우에 가이드하는 가이드부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 어셈블리.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 쉐도우 프레임은
    가장자리를 따라 상부를 향해 소정 길이로 연장 형성되어 가스공급부에서 공급되는 공정가스의 체류시간을 늘리는 연장부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 어셈블리.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 연장부는
    상기 가스공급부보다 외곽에 위치하는 것을 특징으로 하는 마스크 어셈블리.
KR1020160177487A 2016-12-23 2016-12-23 마스크 어셈블리 KR101918457B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160177487A KR101918457B1 (ko) 2016-12-23 2016-12-23 마스크 어셈블리
CN201711399616.0A CN108239765B (zh) 2016-12-23 2017-12-21 屏蔽组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160177487A KR101918457B1 (ko) 2016-12-23 2016-12-23 마스크 어셈블리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180073937A KR20180073937A (ko) 2018-07-03
KR101918457B1 true KR101918457B1 (ko) 2018-11-14

Family

ID=62700653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160177487A KR101918457B1 (ko) 2016-12-23 2016-12-23 마스크 어셈블리

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101918457B1 (ko)
CN (1) CN108239765B (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002130239A (ja) * 2000-10-30 2002-05-09 Hitachi Ltd テーパコマ、テーパコマを用いるねじ締結構造、テーパコマを用いる液体容器
KR100853544B1 (ko) * 2007-04-05 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를이용한 증착장비
JP5064217B2 (ja) * 2004-07-16 2012-10-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マスクパネルを備えたシャドーフレーム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN200996043Y (zh) * 2004-07-16 2007-12-26 应用材料公司 一种屏蔽框架组件
CN1937907A (zh) * 2005-09-19 2007-03-28 华硕电脑股份有限公司 屏蔽组件及其应用的电子装置
KR101397124B1 (ko) * 2007-02-28 2014-05-19 주성엔지니어링(주) 기판지지프레임 및 이를 포함하는 기판처리장치, 이를이용한 기판의 로딩 및 언로딩 방법
WO2013133983A1 (en) * 2012-03-05 2013-09-12 Applied Materials, Inc. Substrate support with ceramic insulation
KR20140118551A (ko) * 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002130239A (ja) * 2000-10-30 2002-05-09 Hitachi Ltd テーパコマ、テーパコマを用いるねじ締結構造、テーパコマを用いる液体容器
JP5064217B2 (ja) * 2004-07-16 2012-10-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マスクパネルを備えたシャドーフレーム
KR100853544B1 (ko) * 2007-04-05 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를이용한 증착장비

Also Published As

Publication number Publication date
CN108239765A (zh) 2018-07-03
KR20180073937A (ko) 2018-07-03
CN108239765B (zh) 2020-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102546317B1 (ko) 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20190104880A (ko) 기판 처리용 반도체 처리 장치 및 방법
KR20200051105A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101405299B1 (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
CN106463453A (zh) 在化学气相沉积反应器中的基座的设计
US20170369994A1 (en) Apparatus for processing a wafer and method of depositing a thin film using the same
KR102404061B1 (ko) 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치
KR20100006115A (ko) 가스분배판 및 이를 포함하는 기판처리장치
JP2009062617A (ja) Ｐｅｃｖｄシステムにおけるソースガス流路の制御によるチャンバ内部での副生成物の膜堆積制御
KR101937692B1 (ko) 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치
KR100840897B1 (ko) 기판 지지 어셈블리와 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20150122177A1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101918457B1 (ko) 마스크 어셈블리
KR101411385B1 (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
KR102171175B1 (ko) 기판처리장치
JPH06120146A (ja) 成膜処理方法及びその装置
KR102291236B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101855655B1 (ko) 기판처리장치
KR20160018169A (ko) 박막 증착용 섀도우 프레임 및 이를 이용한 증착 방법
KR101780395B1 (ko) 기판 지지용 트레이 및 이를 구비한 기판처리장치
KR102154479B1 (ko) 정전척
KR100581860B1 (ko) 박막 증착장치
KR102046034B1 (ko) 유도결합 플라즈마 처리장치
KR102318811B1 (ko) 플라즈마 원자층 증착 장치
KR102287656B1 (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant