KR920012259A - 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법 - Google Patents

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법 Download PDF

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KR920012259A
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 에폭시 수지와 충진제를 주성분으로 하고 페놀수지를 경화제로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제조하는 데 있어서, (a) 3∼30nm의 평균입경을 가진 흄 실리카를 형성하고, (b) 상기 흄 실리카를 사용하고자하는 에폭시 수지 및/또는 페놀수지에 용융함침시켜 실리카 함유 수지를 제조한 다음, (c) 상기 실리카 함유수지에 나머지 에폭시 수지, 페놀수지, 충진제 및 기타 첨가제를 첨가하는 것으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, (b) 공정시 각 수지에 100중량부에 대해 흄 실리카가 5∼20vol% 사용되는 것을 특징으로하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, (b) 공정시 사용되는 수지의 연화점에 따라 용융함침 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, (b) 공정의 에폭시 수지가 에폭시 당량 160-240이고, 연화점이 55∼90℃이며, 페놀수지가 OH값이 90∼120, 연화점 70∼120℃인 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서, (b)공정의 용융함침온도가 120∼230℃인 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조방법.
    ※ 참고사항 ： 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150102946A (ko) * 2013-01-10 2015-09-09 가부시키가이샤 티케이엑스 레진 본드 와이어 쏘

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