KR920010834A - 커플링 커패시턴스가 적은 셀 어레이 구조 - Google Patents

커플링 커패시턴스가 적은 셀 어레이 구조 Download PDF

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KR920010834A
KR920010834A KR1019900018347A KR900018347A KR920010834A KR 920010834 A KR920010834 A KR 920010834A KR 1019900018347 A KR1019900018347 A KR 1019900018347A KR 900018347 A KR900018347 A KR 900018347A KR 920010834 A KR920010834 A KR 920010834A
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KR
South Korea
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cell array
array structure
coupling capacitance
low coupling
bit line
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Application number
KR1019900018347A
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English (en)
Inventor
안승한
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/48Data lines or contacts therefor
    • H10B12/485Bit line contacts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/48Data lines or contacts therefor
    • H10B12/482Bit lines

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  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

커플링 캐패시턴스가 적은 셀 어레이 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 셀 어레이 구조도, 제4도는 본 발명에 따른 셀 어레이 구조도, 제6도는 본 발명에 따른 셀 어레이의 회로도.

Claims (2)

  1. 2개의 메모리 셀 사이에 비트선 콘택트가 위치하여 하나의 셀의 쌍을 이루고 이 셀의 쌍2개 사이에 비트선이 위치하여 비트선 간격을 최대로한 한 셀 어레이를 홀디드 감지증폭기의 입력단으로하여 구성된 것을 특징으로 하는 커플링 캐패시턴스가 작은 셀 어레이 구조.
  2. 상기 제1항에 있어서, 2개의 메모리셀 사이에 위한 비트선 콘택에서 비트선이 웨이브 형태로 연결되어 구성된 것을 특징으로 하는 커플링 캐패시턴스가 작은 셀 어레이 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019900018347A 1990-11-13 1990-11-13 커플링 커패시턴스가 적은 셀 어레이 구조 KR920010834A (ko)

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