KR920007439A - 고체 촬상관 장치 - Google Patents

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KR920007439A
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유키오 가마타니
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

내용 없음

Description

고체 촬상관 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도 본 발명의 제1의 실시예에 따른 고체 촬상관 장치의 배열을 도시한 개략도,
제10도 제9도에 도시된 화소 신호처리 유니트의 일예를 도시한 회로도,
제11도 A는 제9도에 도시된 화소 유니트를 도시한 도면,
제11도 B는 제11도 A에서 선 11B-11B에 따라 전달된 단면도,
제12도 화소 유니트에서 전위 왜곡을 도시한 도면,
제13도 화소 유니트에서 전위 왜곡을 도시한 도면,
제14도 광량과 신호 차지와의 관계를 도시한 그래프.

Claims (15)

  1. 반도체 기판상에 매트릭스 형으로 발열되고, 광전변환에 의해 발생된 신호 차지를 저장하는 신호차지 저장 유니트, 상기 신호차지 저장 유니트에서 신호차지를 리드하는 신호차지 리드 유니트, 상기 신호차지 저장 유니트의 매트릭스를 분할해서 얻어진 각각의 다수의 블럭내에 마련되고, 휘도에 대응하는 제어 신호를 출력하기 위해서 휘도를 검출하는 화소신호 처리 유니트와, 각각의 상기 신호차지 저장 유니트에 인접해서 마련되고, 블럭의 상기 신호차지 저장 유니트에서 초과신호 차지를 추출하기 위해서 대응하는 블럭에서 얻어진 제어 신호에 의해 제어되는 신호차지 추출유니트를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  2. 제1항에 있어서, 인접한 상기 화소신호 처리 유니트중의 어느 하나는 결합 소자를 거쳐서 접소되는 고체촬상관 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 신호차지 저장 유니트, 상기 신호차지 리드 유니트 및 상기 신화지 추출 유니트는 일체로 형성된 화소 유니트를 구성하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 신호 처리 유니트 및 상기 화소 유니트 및 상기 화소 유니트는 다른 웰내에 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 신호 처리 유니트 및 상기 화소 유니트는 다른 첩상에 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  6. 반도체 기판상에 매트릭스 형으로 발열되고, 광전변환에 의해 발생된 신호 차지를 저장하는 신호차지 저장 유니트, 상기 신호차지 저장 유니트에서 신호차지를 리드하는 신호차지 리드 유니트, 상기 신호차지 저장 유니트의 매트릭스를 분할해서 얻어진 각각의 다수의 블럭내에 마련되고, 휘도에 대응하는 제어신호를 출력하기 위해서 휘도를 검출하는 화소신호 처리 유니트와, 각각의 상기 신호차지 저장 유니트에 인접해서 마련되고, 블럭의 상기 신호차지 저장 유니트에서 초과 신호차지를 추출하기 위해서 대응하는 블럭에서 얻어진 제어 신호에 의해 제어되는 신호 차지 추출 유니트와, 인접한 화소 신호 처리 유니트에 접속하는 결합소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 결합 소자는 비선형 저항 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 비선형 저항 회로는 제1의 단자에 접속된 드레인 및 제2의 단자에 접속된 소오스를 갖는 제1의 MOS트랜지스터, 상기 제1의 MOS 트랜지터의 게이트와 드레인 사이에 접속된 제1의 저항소자, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 접속된 제2의 저항소자, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속된 드레인, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 드레인, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 소오스 및 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소오스에 접속된 게이트를 갖는 제2의 MOS트랜지스터와, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소오스에 접속된 소오스, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 저항 소자는 상봉형 MOS 트랜지스터로 구성된 저항 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1및 제2의 저항소자는 상보형 MNOS 트랜지스터로 구성된 저항 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제2및 제3의 MOS 트랜지스터는 인헨스먼트형 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 비선형 저항 회로는 제1의 단자에 접속된 드레인 및 제2의 단자에 접속된 소오스를 갖는 제1의 MOS트랜지스터, 상기 제1의 MOS 트랜지터의 게이트와 드레인 사이에 접속된 제1의 저항소자, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 접속된 제2의 저항소자, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속된 드레인, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 드레인, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소오스에 접속된 게이트를 갖는 제2의 MOS 트랜지스터, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소오스에 접속된소오스, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 드레인 및 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속된게이트를 갖는 제3의 MOS 트랜지스터, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소오스에 접속된 입력단자 및 상기 제2의MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 출력단자를 갖는 제1의 레벨 시프트 회로와, 상기 제1의 MOS 트랜지스터의드레인에 접속된 입력단자 및 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 출력단자를 갖는 제2의 레벨 시프트 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1및 제2의 저항소자는 상보형 MOS 트랜지스터로 구성된 저항 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1및 제2의 정항 소자는 상보형 NMOS 트랜지스터로 구성된 저항 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제2 및 제3의 MOS 트랜지스터는 인헨스먼트 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체 촬상관 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910015930A 1990-03-04 1991-09-11 고체 촬상관 장치 KR950013447B1 (ko)

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JP??03-037482 1990-03-04
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JP??02-238885 1990-09-11
JP90-238885 1990-09-11
JP3037482A JPH04275785A (ja) 1991-03-04 1991-03-04 固体撮像装置
JP91-037482 1991-03-04

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KR950013447B1 KR950013447B1 (ko) 1995-11-08

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