KR920007100A - 엔모오스 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A)~(E)는 본 발명에 따른 에모오스 제조공정도,
제3도는 본 발명에 따른 실시예시도.
Claims (3)
- 게이트를 형성한 후에 VTN이온을 깊게 주입시킴으로서 VTN이온이 채널영역에는 표면에 도우핑되게 하고 소오스 드레인 영역에는 깊게 도우핑되게 하여 소오스 드레인 펀처 드루우를 막아줄 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 엔모오스 제조방법.
- 제1항에 있어서, VTN이온을 깊게 주입한 후에 N+소오스 드레인 이온을 주입하여 VTN도우스가 N+소오스 드레인 영역을 감싸주도록 하는 것을 특징으로하는 엔모오스 제조방법.
- 제1항에 있어서, 게이틀 형성하기 위해 비정질 폴리실리콘을 도우핑하는 것을 특징으로 엔모오스 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014507A KR930010676B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 앤모오스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920007100A true KR920007100A (ko) | 1992-04-28 |
| KR930010676B1 KR930010676B1 (ko) | 1993-11-05 |
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ID=19303584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019900014507A KR930010676B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 앤모오스 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR930010676B1 (ko) |
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1990
- 1990-09-13 KR KR1019900014507A patent/KR930010676B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR930010676B1 (ko) | 1993-11-05 |
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