KR920007165A - Cmos소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (3)
- N웰 P웰 형성공정을 게이트 형성공정 이전에 진행하지 않고 게이트 형성을 위한 에치후 틸트방식의 이온주입 기술을 이용하여 P웰과 N웰 이온주입을 각각 실시한 다음 소오드/드레인 형성을 위한 이온주입및 어닐링을 각각 실시하므로써 소오드/드레인 영역형성시 N웰 P웰이 함께 형성되도록 함을 특징으로 하는 CMOS소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 틸트방식의 이온주입 조건을 조정하여 게이트 밑의 채널영역과 소오드/드레인 영역간의 웰의 농도가 서로 다르게 제어할 수 있음을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 틸트방식을 이용한 이온주입시 웰 이온주입은 약 100Kev의 고에너지 상태로하고 소오스/드레인 이온주입은 약 40Kev의 저에너지 상태로 실시함을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014486A KR930008877B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Cmos 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014486A KR930008877B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Cmos 소자 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920007165A true KR920007165A (ko) | 1992-04-28 |
| KR930008877B1 KR930008877B1 (ko) | 1993-09-16 |
Family
ID=19303561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900014486A KR930008877B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Cmos 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930008877B1 (ko) |
-
1990
- 1990-09-13 KR KR1019900014486A patent/KR930008877B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930008877B1 (ko) | 1993-09-16 |
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