Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사filedCritical김광호
Priority to KR1019900014907ApriorityCriticalpatent/KR920007086A/en
Publication of KR920007086ApublicationCriticalpatent/KR920007086A/en
Insulated Gate Type Field-Effect Transistor
(AREA)
Drying Of Semiconductors
(AREA)
Abstract
내용 없음No content
Description
측벽 스페이서 형성방법How to Form Sidewall Spacers
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.
제2도는 본 발명의 반도체 장치의 측벽 스페이서를 형성하는 제조공정도이다.2 is a manufacturing process chart for forming sidewall spacers of the semiconductor device of the present invention.
Claims (4)
반도체 장치의 측벽 스페이서를 형성하는 방법에 있어서, 필드산화막(22), 게이트산화막(23)이 형성되어 있는 기관(21)상에 게이트용 폴리실리콘막(24)과 질화막(25)을 순차증착시키는 공정과, 포토레지스트막(26)을 도포한 다음 사진식각하여 상기 질화막(26)과 폴리실리콘막(24)을 식각하여 게이트 폴리(24′)를 형성하는 공정과, 측벽스페이서용 산화막(27)을 형성하는 공정과, 소오스, 드레인 영역이 형성될 부위의 산화막(27)을 식각하는 공정과, 상기 질화막(25)을 제거하여 측벽 스페이서(28)을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 측벽 스페이서 형성방법.In the method for forming the sidewall spacers of the semiconductor device, the gate polysilicon film 24 and the nitride film 25 are sequentially deposited on the engine 21 on which the field oxide film 22 and the gate oxide film 23 are formed. Forming a gate poly (24 ') by coating the photoresist film (26) and then etching the photoresist to form a gate poly (24'), and an oxide film (27) for sidewall spacers. Forming the sidewall spacers; and etching the oxide film 27 at the portion where the source and drain regions are to be formed, and removing the nitride film 25 to form the sidewall spacers 28. Formation method.제1항에 있어서, 측벽 스페이서용 산화막(27)은 게이트 폴리(24′)를 열산화시켜 형성하는 것을 특징으로 하여 측벽 스페이서 형성방법.A method according to claim 1, wherein the oxide film (27) for the sidewall spacers is formed by thermally oxidizing the gate poly (24 ').제1항에 있어서, 게이트 폴리(24′)를 형성하기 위한 상기 질화막(25)과 폴리 실리콘막(24)의 식각 공정시 식각비를 조정하여 폴리실리콘막(24)이 언더컷되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 측벽 스페이서 형성방법.The polysilicon layer 24 is etched so that the polysilicon layer 24 is undercut by adjusting an etching ratio during the etching process of the nitride layer 25 and the polysilicon layer 24 to form the gate poly 24 '. A side wall spacer forming method.제1항에 있어서, 상기 소오스, 드레인 영역에 형성되어 있는 산화막(27)의 식각공정시 상기 질화막(25)을 에칭 스톱퍼로 이용하여 이방성 에칭법으로 식각하는 것을 특징으로하는 측벽 스페이서 형성방법.The method of forming a sidewall spacer according to claim 1, wherein the nitride film (25) is etched by an anisotropic etching method during the etching process of the oxide film (27) formed in the source and drain regions.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019900014907A1990-09-181990-09-18
How to Form Sidewall Spacers
KR920007086A
(en)