Claims (3)
반도체장치의 제조방법에 있어서, 실리콘 반도체기판(10)상에 제1산화막층In the method of manufacturing a semiconductor device, a first oxide film layer on a silicon semiconductor substrate 10
(11), 제1질화막층(12), 폴리실리콘층(13)을 순차적으로 형성하고 포트레지스트(11), the first nitride film layer 12 and the polysilicon layer 13 are sequentially formed, and the photoresist
(14)을 형성한후 폴리실콘층(13)을 에칭하여 창(15a)을 형성하는 제1공정과, 상기 포트레지스트(14)를 제거하고 폴리실콘층(13)을 산화시켜 제2산화막층(16)을 형성하는 제2공정과, 상기 제2산화막층(16)을 마스크로하여 제1질화막층(12), 제1산화막층(11)과 소정길이의 기판(10)을 에칭하여 제1트렌치(17)를 형성하는 제3공정과, 상기 제1트렌치(17)내부에 얇은 제3산화막(18)을 성장시키는 제4공정과, 반도체 기판 전면에 제2질화막(19)을 침적시키고 에치백하는 제5공정과, 별도의 마스크 없이 반도체기판을 에칭하여 제2트렌치(20)를 형성하는 제6공정과, 상기 제2산화막Forming the window 15a by etching the polysilicon layer 13 after forming the layer 14, and removing the photoresist 14 and oxidizing the polysilicon layer 13 to oxidize the second oxide film layer. (2) forming the first nitride film layer 12, the first oxide film layer 11 and the substrate 10 having a predetermined length by etching the second oxide film layer 16 as a mask. A third process of forming one trench 17, a fourth process of growing a thin third oxide film 18 inside the first trench 17, and depositing a second nitride film 19 on the entire surface of the semiconductor substrate. A fifth process of etching back, a sixth process of etching the semiconductor substrate without a mask to form a second trench 20, and the second oxide film
(16)을 에칭하는 제7공정과, 산화공정으로 상기 제2트렌치(20) 내부에 제4산화막층A fourth oxide film layer inside the second trench 20 by a seventh step of etching the 16 and an oxidation step
(21)을 형성하는 제8공정과, 기판 상부의 모든 질화막(12)(19)을 제거하는 제9공정과, 기판상부의 제1산화막층(11)을 제거하는 제10공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 소자 분리방법.An eighth step of forming 21, a ninth step of removing all the nitride films 12, 19 on the substrate, and a tenth step of removing the first oxide layer 11 on the substrate. A semiconductor device element separation method.
반도체장치의 제조방법에 있어서, 실리콘 반도체기판(10)상에 제1산화막층In the method of manufacturing a semiconductor device, a first oxide film layer on a silicon semiconductor substrate 10
(11), 제1질화막층(12), 폴리실리콘층(13)을 순차적으로 형성하고 포트레지스트 패턴(14)를 형성한후 폴리실콘층(13)을 에칭하여 창(15a)을 형성하는 제1공정과, 상기 포트레지스트(14)를 제거하고 폴리실콘층(13)을 산화시켜 제2산화막층(16)을 형성하는 제2공정과, 상기 제2산화막층(16)을 마스크로하여 제1질화막층(12), 제1산화막층(11)과 소정깊이의 기판(10)을 에칭하여 제1트렌치를 형성하는 제3공정과, 상기 제1트렌치 내부에 얇은 제3산화막(18)을 성장시키는 제4공정과, 반도체기판 전면에 폴리실콘(22)을 침적시키고 별도의 마스크 없이 반도체기판을 에칭하여 제2트렌치(23)를 형성하는 제5공정과, 상기 제2산화막(16)을 에칭한 제6공정과, 산화공정으로 상기 제2트렌치(23) 내부에 제4산화막층(24)을 형성하는 제7공정과, 기판상부의 제1질화막(12)을 제거하는 제8공정과, 기판상부의 제1산화막층(11)을 제거하는 제9공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치의 소자 분리방법.(11), the first nitride film layer 12 and the polysilicon layer 13 are sequentially formed, and the photoresist pattern 14 is formed, and then the polysilicon layer 13 is etched to form the window 15a. A second step of forming the second oxide film layer 16 by removing the pot resist 14 and oxidizing the polysilicon layer 13, and using the second oxide film layer 16 as a mask. A third process of etching the first nitride film layer 12, the first oxide film layer 11 and the substrate 10 having a predetermined depth to form a first trench, and a thin third oxide film 18 inside the first trench. A fourth step of growing the second substrate; and a fifth step of forming the second trenches 23 by depositing the polysilicon 22 on the entire surface of the semiconductor substrate and etching the semiconductor substrate without a separate mask, and the second oxide film 16. A sixth step of etching, a seventh step of forming a fourth oxide film layer 24 inside the second trench 23 by an oxidation process, and an eighth hole of removing the first nitride film 12 on the substrate And a device isolation method for a semiconductor device, characterized by constituted by any ninth step of removing the first oxide layer 11 of the upper substrate.
제2항에 있어서, 제1공정에서 제5공정, 제7공정의 연속공정에 의해 소자 분리영역을 형성하고 상기 소자 분리영역 제조공정중에 반도체 기판상에 형성된 산화막층을 트렌치 에칭공정시 마스크층으로 사용함을 특징으로 하는 반도체장치의 소자 분리방법.The method of claim 2, wherein the device isolation region is formed by a continuous process of the first to fifth processes, and the oxide layer formed on the semiconductor substrate during the manufacturing process of the device isolation region as a mask layer during the trench etching process. Device separation method of a semiconductor device, characterized in that the use.
※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.