KR920006799A - 반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법 - Google Patents

반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리를 설명하는 모식도, 제2도(a)~제2도(d)는 본 발명의 1실시예에 따라 반사형 마스크를 제조하는 공정을 도시하는 구조 단면도, 제3도는 본 발명에 따른 마스크를 사용하는 반사 축소 투영 노출 시스템의 개략도.

Claims (32)

  1. 패턴을 광학적으로 형성하기 위해 사용하는 반사형 마스크로서, 파장이인 X선과 자외선중 적어도 하나를 반사하는 여러개의 광학 반사면을 포함하며, 상기 반사면은 단차를 가지며, 상기 단차의 반사면에 의해 각각 반사된 광선 사이의 위상 관계가 변화되는 반사형 마스크.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반사면의 단차는 서로 평행하고 인접하는 광선을 각각 반사하고, 상기 반사면은 서로 인접하는 반사면의 높이가 (2n-1)xλ/(4cosθ) (여기서, n=1, 2, 3 ...이고, 각 θ는 상기 반사면의 법선과 자외선과 X선중의 적어도 하나의 입사 방향이 이루는 각이다)만큼 다르도록 반사패턴을 가진 반사형 마스크.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 각각의 반사면은 다층 미러로 이루어진 반사형 마스크.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 각각의 반사면은 다층 미러로 이루어진 반사형 마스크
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반사면은 서로 평행하고, 평탄하며 인접하는 반사형 마스크.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 서로 인접하는 상기 반사면은 단차를 마련하고 인접하는 반사면에 의해 각각 반사된 자외선 또는 X선중의 하나의 위상을 반전시키도록 충분히 떨어져 있는 반사형 마스크.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 반사면의 각각은 단차 방햐으로 4Å이하의 높이 변동을 가진 반사형 마스크.
  8. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 반사면의 인접하는 것 사이의 단차는 다층 미러의 다층주기의 1/2에 상당하는 반사형 마스크.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 반사면의 각각의 다층 미러의 층수는 반사율을 균일하게 하기 위해 서로 동일한 반사형 마스크.
  10. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또, 인접하는 반사면 사이의 광선 흡수체를 포함하는 반사형 마스크.
  11. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 반사면은 서로 평행하고, 평탄하며, 인접하고, 상기 서로 인접하는 반사면은 단차를 마련하고, 인접하는 반사면에 의해 각각 반사된 자외선과 X선중의 적어도 하나의 위상을 반전시키도록 충분히 떨어져 있고, 상기 반사면의 각각은 4A이하의 높이 변동을 갖고, 상기 반사면의 인접하는 것 사이의 단차는 다층 미러의 다층주기의 1/2에 상당하며, 반사미러의 각각의 다층 미러의 층수는 반사율을 균일하게 하기 위해 서로 동일한 반사형 마스크.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 또 인접하는 반사면 사이의 광선 흡수체를 포함하는 반사형 마스크.
  13. 특허청구의 범위 제1항의 반사형 마스크 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 파장이 5nm~200nm범위내인 연성 X선과 자외선중의 적어도 하나에서 서로 평행하게 떨어지고 인접하는 적어도 2개의 빔을 형성하는 스텝, 각각의 인접하는 반사면으로 부터의 반사후에 인접하는 빔의 위상이 반전되도록, 표면으로 부터 반사된 빔을 평행하고 위상 시프트에 충분한 단차로 반사면을 유지하면서, 반사면의 법선과 상기 빔의 입사방향이 이루는 예각θ로 반사 마스크의 인접하는 반사면상에 상기 빔을 각각 투영하는 스텝, 광학 시스템을 거쳐서 상기 반사된 빔을 통과시켜 광학적으로 축소해서 축소된 인접하는 빔을 발생하는 스템, 기판상으로 상기 축소된 인접하는 빔을 투영하여 상기 기판의 표면층을 노출 시키는 스텝, 노출된 표면층을 사용해서 반도체 직접회로를 형성하는스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  14. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 발생시키는 스텝은 싱크로트론 방사광원에 의해 빔을 발생하는 패턴 형성방법.
  15. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스탭은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 광여기화학 기상성장법(CVD)을 사용하는 패턴 형성방법.
  16. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 과여기에칭을 사용하는 패턴 형성방법.
  17. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 광여기분자 빔에피택시(MBE)를 사용하는 패턴 형성방법.
  18. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 광여기 표면 개질을 사용하는 패턴 형성방법.
  19. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 광축소하는 스텝은 반사면상의 대표적인 결함의 크기 d에 대해, dxr〈0.25x/NA(여기서,는 노출파장, r은 축소 배율, NA는 광학시스템에 개구수이다)의 관계를 유지하는 패턴 형성방법.
  20. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또 상기 마스크의 전체에 걸쳐서 단차가 있는 반사면을 형성하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  21. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또 인접하는 반사면 사이의 단차의 10%이하인 높이 변동을 반사면의 각각에 마련하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  22. 특허청구의 범위 21항에 있어서, 상기 마련하는 스텝은 반사면의 각각에 대해 4A이하의 높이 변동을 마련하는 패턴 형성방법.
  23. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또, 반사면을 다층 미러로서 마련하고, 상기 다층 미러의 다층 주기의 1/2에 상당하는 인접하는 반사면 사이의 단차를 마련하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  24. 특허청구의 범위 제23항에 있어서, 또, 반사율의 균일성을 마련하기 위해 인접하는 반사면에 대한 다층의 층수가 서로 같도록 다층 미러를 마련하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  25. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또, 인접하는 반사면 사이의 흡수영역에서 광을 흡수하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  26. 특허청구의 범위 제1항의 반사형 마스크를 구비하여 직접회로를 형성하는 장치에 있어서, 파장가 5nm~200nm 범위내인 자외선과 X선중의 하나와 균일한 파면으로서의 간섭성광의 노출빔을 투영하는 광원수단, 인접하는 반사된 빔 부분이 대응하는 파면을 갖고 서로에 대해 180°의 위상차를 가지며, 상기 빔의 입사각이 반사면의 법선에 대해 예각이 되도록, 단차가 있는 반사면의 상기 노출빔의 인접하는 부분을 동시에 반사하도록 탑재된 상기 반사형 마스크, 축소된 크기의 노출패턴을 형성하도록, 인접하는 반사된 빔부분을 광학적으로 축소하는 광학 시스템과, 상기 빔부분이 부분적으로 형성된 집적회로의 표면과 광반응하도록, 축소된 크기의 노출 패턴의 경로에 있어서 부분적으로 형성된 직접회로를 유지하는 수단을 포함하는 직접회로 형성장치.
  27. 특허청구의 범위 제26항에 있어서, 상기 반사면은 서로 평행하고 단차가 있으며, 상기 반사면은 서로 인접하는 반사면의 높이가 (2n-1)x/(4cosθ) (여기서, n=1, 2, 3...이고, 각 θ는 상기 반사면의 법선과 자외선과 X선의 입사 방향이 이루는 각이다)만큼 다르도록 반사패턴을 가진 직접회로 형성장치.
  28. 특허청구의 범위 제26항에 있어서, 상기 각각의 반사면은 다층 미러로 구성된 직접회로 형성장치.
  29. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 상기 반사면의 각각은 입사 방향으로 4A이하의 높이 변동을 가진 직접회로 형성장치.
  30. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 반사면의 인접하는 것 사이의 입사 방향으로의 단차는 상기 다층 미러의 다층막 주기의 1/2에 상당하고, 각각의 반사면에 대한 다층 미러의 층수는 반사율을 균일하게 하기 위해 서로 동일한 직접회로 형성장치.
  31. 특허청구의 범위 제26항에 있어서, 또, 상기 마스크의 인접하는 반사면 사이의 광선 흡수체를 포함하는 직접회로 형성장치.
  32. 적어도 LSI제조시에 직접회로부상에 광반응 표면 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 파장가 5nm~200nm범위내인 자외선과 연성 X선중의 적어도 하나에서 평행하게 떨어지고 인접하는 적어도 2개의 빔을 형성하는 스텝, 각각의 인접하는 반사면으로 부터의 반사후에 인접하는 빔의 위상이 반전되도록 표면으로 부터 반사된 빔을 위상 시프트에 충분한 단차로 반사면을 유지하면서, 반사면의 법선과 상기 반사면으로의 상기 빔의 입사방향이 이루는 예각 θ로 반사 마스크의 인접하는 반사면상에 상기 빔을 각각 투영하는 투영스텝, 광학시스템을 거쳐서 상기 반사된 빔을 통과시켜 광학적으로 축소해서 축소된 인접하는 빔을 발생하는 스텝, 기판의 표면층을 노출시키기 위해 상기 기판상으로 축소된 인접하는 빔을 투영하는 스텝과 노출된 층을 사용해서 반도체 직접회로를 형성하는 스텝을 포함하는 광반응 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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