KR920006799A - 반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법 - Google Patents

반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920006799A
KR920006799A KR1019910015547A KR910015547A KR920006799A KR 920006799 A KR920006799 A KR 920006799A KR 1019910015547 A KR1019910015547 A KR 1019910015547A KR 910015547 A KR910015547 A KR 910015547A KR 920006799 A KR920006799 A KR 920006799A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adjacent
reflective
reflecting
forming
pattern
Prior art date
Application number
KR1019910015547A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0184278B1 (ko
Inventor
히로시 후꾸다
Original Assignee
가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쯔또무, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쯔또무
Publication of KR920006799A publication Critical patent/KR920006799A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0184278B1 publication Critical patent/KR0184278B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/52Reflectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24Reflection masks; Preparation thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리를 설명하는 모식도, 제2도(a)~제2도(d)는 본 발명의 1실시예에 따라 반사형 마스크를 제조하는 공정을 도시하는 구조 단면도, 제3도는 본 발명에 따른 마스크를 사용하는 반사 축소 투영 노출 시스템의 개략도.

Claims (32)

  1. 패턴을 광학적으로 형성하기 위해 사용하는 반사형 마스크로서, 파장이인 X선과 자외선중 적어도 하나를 반사하는 여러개의 광학 반사면을 포함하며, 상기 반사면은 단차를 가지며, 상기 단차의 반사면에 의해 각각 반사된 광선 사이의 위상 관계가 변화되는 반사형 마스크.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반사면의 단차는 서로 평행하고 인접하는 광선을 각각 반사하고, 상기 반사면은 서로 인접하는 반사면의 높이가 (2n-1)xλ/(4cosθ) (여기서, n=1, 2, 3 ...이고, 각 θ는 상기 반사면의 법선과 자외선과 X선중의 적어도 하나의 입사 방향이 이루는 각이다)만큼 다르도록 반사패턴을 가진 반사형 마스크.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 각각의 반사면은 다층 미러로 이루어진 반사형 마스크.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 각각의 반사면은 다층 미러로 이루어진 반사형 마스크
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반사면은 서로 평행하고, 평탄하며 인접하는 반사형 마스크.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 서로 인접하는 상기 반사면은 단차를 마련하고 인접하는 반사면에 의해 각각 반사된 자외선 또는 X선중의 하나의 위상을 반전시키도록 충분히 떨어져 있는 반사형 마스크.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 반사면의 각각은 단차 방햐으로 4Å이하의 높이 변동을 가진 반사형 마스크.
  8. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 반사면의 인접하는 것 사이의 단차는 다층 미러의 다층주기의 1/2에 상당하는 반사형 마스크.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 반사면의 각각의 다층 미러의 층수는 반사율을 균일하게 하기 위해 서로 동일한 반사형 마스크.
  10. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또, 인접하는 반사면 사이의 광선 흡수체를 포함하는 반사형 마스크.
  11. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 반사면은 서로 평행하고, 평탄하며, 인접하고, 상기 서로 인접하는 반사면은 단차를 마련하고, 인접하는 반사면에 의해 각각 반사된 자외선과 X선중의 적어도 하나의 위상을 반전시키도록 충분히 떨어져 있고, 상기 반사면의 각각은 4A이하의 높이 변동을 갖고, 상기 반사면의 인접하는 것 사이의 단차는 다층 미러의 다층주기의 1/2에 상당하며, 반사미러의 각각의 다층 미러의 층수는 반사율을 균일하게 하기 위해 서로 동일한 반사형 마스크.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 또 인접하는 반사면 사이의 광선 흡수체를 포함하는 반사형 마스크.
  13. 특허청구의 범위 제1항의 반사형 마스크 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 파장이 5nm~200nm범위내인 연성 X선과 자외선중의 적어도 하나에서 서로 평행하게 떨어지고 인접하는 적어도 2개의 빔을 형성하는 스텝, 각각의 인접하는 반사면으로 부터의 반사후에 인접하는 빔의 위상이 반전되도록, 표면으로 부터 반사된 빔을 평행하고 위상 시프트에 충분한 단차로 반사면을 유지하면서, 반사면의 법선과 상기 빔의 입사방향이 이루는 예각θ로 반사 마스크의 인접하는 반사면상에 상기 빔을 각각 투영하는 스텝, 광학 시스템을 거쳐서 상기 반사된 빔을 통과시켜 광학적으로 축소해서 축소된 인접하는 빔을 발생하는 스템, 기판상으로 상기 축소된 인접하는 빔을 투영하여 상기 기판의 표면층을 노출 시키는 스텝, 노출된 표면층을 사용해서 반도체 직접회로를 형성하는스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  14. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 발생시키는 스텝은 싱크로트론 방사광원에 의해 빔을 발생하는 패턴 형성방법.
  15. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스탭은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 광여기화학 기상성장법(CVD)을 사용하는 패턴 형성방법.
  16. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 과여기에칭을 사용하는 패턴 형성방법.
  17. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 광여기분자 빔에피택시(MBE)를 사용하는 패턴 형성방법.
  18. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 상기 노출시키는 스텝을 사용한 광여기 표면 개질을 사용하는 패턴 형성방법.
  19. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 광축소하는 스텝은 반사면상의 대표적인 결함의 크기 d에 대해, dxr〈0.25x/NA(여기서,는 노출파장, r은 축소 배율, NA는 광학시스템에 개구수이다)의 관계를 유지하는 패턴 형성방법.
  20. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또 상기 마스크의 전체에 걸쳐서 단차가 있는 반사면을 형성하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  21. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또 인접하는 반사면 사이의 단차의 10%이하인 높이 변동을 반사면의 각각에 마련하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  22. 특허청구의 범위 21항에 있어서, 상기 마련하는 스텝은 반사면의 각각에 대해 4A이하의 높이 변동을 마련하는 패턴 형성방법.
  23. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또, 반사면을 다층 미러로서 마련하고, 상기 다층 미러의 다층 주기의 1/2에 상당하는 인접하는 반사면 사이의 단차를 마련하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  24. 특허청구의 범위 제23항에 있어서, 또, 반사율의 균일성을 마련하기 위해 인접하는 반사면에 대한 다층의 층수가 서로 같도록 다층 미러를 마련하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  25. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 또, 인접하는 반사면 사이의 흡수영역에서 광을 흡수하는 스텝을 포함하는 패턴 형성방법.
  26. 특허청구의 범위 제1항의 반사형 마스크를 구비하여 직접회로를 형성하는 장치에 있어서, 파장가 5nm~200nm 범위내인 자외선과 X선중의 하나와 균일한 파면으로서의 간섭성광의 노출빔을 투영하는 광원수단, 인접하는 반사된 빔 부분이 대응하는 파면을 갖고 서로에 대해 180°의 위상차를 가지며, 상기 빔의 입사각이 반사면의 법선에 대해 예각이 되도록, 단차가 있는 반사면의 상기 노출빔의 인접하는 부분을 동시에 반사하도록 탑재된 상기 반사형 마스크, 축소된 크기의 노출패턴을 형성하도록, 인접하는 반사된 빔부분을 광학적으로 축소하는 광학 시스템과, 상기 빔부분이 부분적으로 형성된 집적회로의 표면과 광반응하도록, 축소된 크기의 노출 패턴의 경로에 있어서 부분적으로 형성된 직접회로를 유지하는 수단을 포함하는 직접회로 형성장치.
  27. 특허청구의 범위 제26항에 있어서, 상기 반사면은 서로 평행하고 단차가 있으며, 상기 반사면은 서로 인접하는 반사면의 높이가 (2n-1)x/(4cosθ) (여기서, n=1, 2, 3...이고, 각 θ는 상기 반사면의 법선과 자외선과 X선의 입사 방향이 이루는 각이다)만큼 다르도록 반사패턴을 가진 직접회로 형성장치.
  28. 특허청구의 범위 제26항에 있어서, 상기 각각의 반사면은 다층 미러로 구성된 직접회로 형성장치.
  29. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 상기 반사면의 각각은 입사 방향으로 4A이하의 높이 변동을 가진 직접회로 형성장치.
  30. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 반사면의 인접하는 것 사이의 입사 방향으로의 단차는 상기 다층 미러의 다층막 주기의 1/2에 상당하고, 각각의 반사면에 대한 다층 미러의 층수는 반사율을 균일하게 하기 위해 서로 동일한 직접회로 형성장치.
  31. 특허청구의 범위 제26항에 있어서, 또, 상기 마스크의 인접하는 반사면 사이의 광선 흡수체를 포함하는 직접회로 형성장치.
  32. 적어도 LSI제조시에 직접회로부상에 광반응 표면 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 파장가 5nm~200nm범위내인 자외선과 연성 X선중의 적어도 하나에서 평행하게 떨어지고 인접하는 적어도 2개의 빔을 형성하는 스텝, 각각의 인접하는 반사면으로 부터의 반사후에 인접하는 빔의 위상이 반전되도록 표면으로 부터 반사된 빔을 위상 시프트에 충분한 단차로 반사면을 유지하면서, 반사면의 법선과 상기 반사면으로의 상기 빔의 입사방향이 이루는 예각 θ로 반사 마스크의 인접하는 반사면상에 상기 빔을 각각 투영하는 투영스텝, 광학시스템을 거쳐서 상기 반사된 빔을 통과시켜 광학적으로 축소해서 축소된 인접하는 빔을 발생하는 스텝, 기판의 표면층을 노출시키기 위해 상기 기판상으로 축소된 인접하는 빔을 투영하는 스텝과 노출된 층을 사용해서 반도체 직접회로를 형성하는 스텝을 포함하는 광반응 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910015547A 1990-09-10 1991-09-06 반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법 KR0184278B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90-236959 1990-09-10
JP23695990A JP3153230B2 (ja) 1990-09-10 1990-09-10 パタン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920006799A true KR920006799A (ko) 1992-04-28
KR0184278B1 KR0184278B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=17008302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910015547A KR0184278B1 (ko) 1990-09-10 1991-09-06 반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5328784A (ko)
JP (1) JP3153230B2 (ko)
KR (1) KR0184278B1 (ko)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2889047B2 (ja) * 1992-05-28 1999-05-10 三菱電機株式会社 反射型フォトマスクの製造方法,反射型フォトマスク及びそれを用いた半導体基板の露光方法
JP3219502B2 (ja) * 1992-12-01 2001-10-15 キヤノン株式会社 反射型マスクとその製造方法、並びに露光装置と半導体デバイス製造方法
US5514499A (en) * 1993-05-25 1996-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase shifting mask comprising a multilayer structure and method of forming a pattern using the same
JP3078163B2 (ja) * 1993-10-15 2000-08-21 キヤノン株式会社 リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置
JP3499592B2 (ja) * 1994-01-31 2004-02-23 株式会社ルネサステクノロジ 投影露光装置及びパターン転写方法
JP3315254B2 (ja) * 1994-07-11 2002-08-19 三菱電機株式会社 減衰型位相シフトマスクを用いた露光方法
US5510230A (en) * 1994-10-20 1996-04-23 At&T Corp. Device fabrication using DUV/EUV pattern delineation
KR0147665B1 (ko) * 1995-09-13 1998-10-01 김광호 변형조명방법, 이에 사용되는 반사경 및 그 제조방법
US5827622A (en) * 1995-11-02 1998-10-27 International Business Machines Corporation Reflective lithographic mask
US6317479B1 (en) * 1996-05-17 2001-11-13 Canon Kabushiki Kaisha X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same
JPH10256394A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体構造体およびデバイス
US5948571A (en) * 1997-03-12 1999-09-07 International Business Machines Corporation Asymmetrical resist sidewall
US5962174A (en) * 1998-02-13 1999-10-05 Micron Technology, Inc. Multilayer reflective mask
WO2000003341A1 (en) * 1998-07-10 2000-01-20 Ball Semiconductor, Inc. A method and system for generating a flat mask onto a three-dimensional surface
JP4497569B2 (ja) * 1998-12-17 2010-07-07 キヤノン株式会社 投影光学系のコマ収差の評価方法
JP3770542B2 (ja) 1999-07-22 2006-04-26 コーニング インコーポレイテッド 遠紫外軟x線投影リソグラフィー法およびマスク装置
FR2797060B1 (fr) * 1999-07-29 2001-09-14 Commissariat Energie Atomique Structure pour masque de lithographie en reflexion et procede pour sa realisation
US6776006B2 (en) 2000-10-13 2004-08-17 Corning Incorporated Method to avoid striae in EUV lithography mirrors
US7887146B1 (en) 2001-08-18 2011-02-15 Gsl Solutions, Inc. Suspended storage system for pharmacy
US20090230189A1 (en) * 2000-11-16 2009-09-17 Shelton Louie Scanning Wand For Pharmacy Tracking and Verification
US8224664B1 (en) 2000-11-16 2012-07-17 Gsl Solutions, Inc. Portable prescription order distribution cart and tracking system
US8479988B2 (en) 2000-11-16 2013-07-09 Gsl Solutions, Inc. System for pharmacy tracking and customer id verification
US7672859B1 (en) * 2000-11-16 2010-03-02 Gsl Solutions, Inc. Prescription order position tracking system and method
US7747477B1 (en) * 2000-11-16 2010-06-29 Gsl Solutions, Inc. Pharmacy supply tracking and storage system
US6673524B2 (en) * 2000-11-17 2004-01-06 Kouros Ghandehari Attenuating extreme ultraviolet (EUV) phase-shifting mask fabrication method
US6635391B2 (en) * 2000-12-28 2003-10-21 The Regents Of The University Of California Method for fabricating reticles for EUV lithography without the use of a patterned absorber
US6534224B2 (en) 2001-01-30 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Phase shift mask and system and method for making the same
US6879374B2 (en) * 2001-06-20 2005-04-12 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, device manufactured thereby and a mask for use in the method
US6830851B2 (en) * 2001-06-30 2004-12-14 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
US6641959B2 (en) * 2001-08-09 2003-11-04 Intel Corporation Absorberless phase-shifting mask for EUV
US6607862B2 (en) 2001-08-24 2003-08-19 Intel Corporation Damascene extreme ultraviolet lithography alternative phase shift photomask and method of making
US6675369B1 (en) 2001-12-11 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method of enhancing clear field phase shift masks by adding parallel line to phase 0 region
US6749970B2 (en) 2001-12-11 2004-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions
US6797438B1 (en) 2001-12-11 2004-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and enhancing clear field phase shift masks with border around edges of phase regions
US6749971B2 (en) 2001-12-11 2004-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of enhancing clear field phase shift masks with chrome border around phase 180 regions
JP2003186194A (ja) * 2001-12-20 2003-07-03 Sony Corp レジスト材料及び露光方法
KR100569527B1 (ko) * 2002-04-18 2006-04-07 주식회사 대우일렉트로닉스 멀티 코팅 미러를 이용한 홀로그래픽 디지털 저장 시스템
TWI243288B (en) * 2002-11-26 2005-11-11 Asml Netherlands Bv Method of fabricating an optical element, lithographic apparatus and semiconductor device manufacturing method
DE102007028172B3 (de) * 2007-06-20 2008-12-11 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV-Maske und Verfahren zur Reparatur einer EUV-Maske
US20090097004A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Qimonda Ag Lithography Apparatus, Masks for Non-Telecentric Exposure and Methods of Manufacturing Integrated Circuits
JP5167050B2 (ja) 2008-09-30 2013-03-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法およびマスクの製造方法
KR20100091061A (ko) * 2009-02-09 2010-08-18 삼성전자주식회사 패턴의 이동을 모니터링하는 반사형 포토마스크
JP5345106B2 (ja) * 2010-06-02 2013-11-20 株式会社東芝 露光装置検査用マスク及び露光装置検査方法
US12046342B2 (en) 2011-02-14 2024-07-23 Gsl Solutions, Inc. Pharmacy stock supply tracking system
US11244747B2 (en) 2014-10-16 2022-02-08 Gsl Solutions, Inc. Pharmacy security system
JP5684168B2 (ja) * 2012-02-15 2015-03-11 株式会社東芝 フレア計測方法、反射型マスクおよび露光装置
US8877409B2 (en) * 2012-04-20 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective mask and method of making same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2710967B2 (ja) * 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法
JPH03266842A (ja) * 1990-03-16 1991-11-27 Fujitsu Ltd 反射型ホトリソグラフィ方法、反射型ホトリソグラフィ装置および反射型ホトマスク

Also Published As

Publication number Publication date
US5328784A (en) 1994-07-12
KR0184278B1 (ko) 1999-04-01
JPH04118914A (ja) 1992-04-20
JP3153230B2 (ja) 2001-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920006799A (ko) 반사형 마스크 및 마스크 제조방법과 그것을 사용한 패턴 형성방법
JP3047541B2 (ja) 反射型マスクおよび欠陥修正方法
US20030147139A1 (en) Multi-layered film reflector manufacturing method
JP3389380B2 (ja) Duv/euvパターン描画を用いたデバイス作製
KR100718743B1 (ko) 광학요소, 이 광학요소를 포함하는 리소그래피 장치 및디바이스 제조방법
JPH05134385A (ja) 反射マスク
JP3766041B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、この方法によって製造されるデバイス、反射器製造方法、この方法によって製造される反射器、位相シフト・マスク
US4231657A (en) Light-reflection type pattern forming system
US7170588B2 (en) Reduction Smith-Talbot interferometer prism for micropatterning
JP2004221599A (ja) 電磁放射拡散体および電磁放射拡散体を製作するための方法およびリソグラフィーシステム
JP4194746B2 (ja) 非吸収性レチクル及びその製造方法
JPH07307268A (ja) 照明光学装置
JP2003195475A (ja) ホログラムマスク作製用の露光方法及び装置、並びにホログラムマスクを用いた記録方法
US4614433A (en) Mask-to-wafer alignment utilizing zone plates
CN104656376A (zh) 远紫外线光刻工艺和掩模
US20010028983A1 (en) Photomask used in manufacture of semiconductor device, photomask blank, and method of applying light exposure to semiconductor wafer by using said photomask
JPH09127319A (ja) 反射鏡、その製造方法及びこれを用いる投影露光装置
US5227268A (en) X-ray mask and its fabricating method-comprising a first and second alignment pattern
JPH0588355A (ja) 反射型マスク及びそれを用いた露光装置
JPH07244199A (ja) 投影露光方法及びその装置
JPS6344726A (ja) エキシマレ−ザを用いたステツパの照明光学装置
US4666292A (en) Projection optical apparatus and a photographic mask therefor
KR100212905B1 (ko) 내부전반사 홀로그램에 의한 고화질 영상 마스크
JP3345512B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3336514B2 (ja) X線反射型マスク及びx線投影露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041129

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee