CN104656376A - 远紫外线光刻工艺和掩模 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了远紫外线光刻(EUVL)的系统。该系统包括具有反射式相移光栅块(PhSGB)的掩模。该系统还包括照射装置以曝光掩模从而产生来自掩模的得到的反射光。得到的反射光主要包含衍射光。该系统还具有投影光学系统以收集并导向得到的反射光从而曝光目标。本发明还公开了远紫外线光刻工艺和掩模。
Description
相关申请的交叉参考
本申请要求2013年11月15日提交的美国第61/904,918号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及远紫外线光刻工艺和掩模。
背景技术
在过去的几十年间，半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。半导体材料和设计中的技术进步已经产生了越来越小和越来越复杂的电路。由于与加工和制造相关的技术也已经经历了技术进步，所以使得这些材料和设计进步成为可能。随着最小组件的尺寸减小，出现了许多挑战。例如，实施更高分辨率的光刻工艺的需求增长。一种光刻技术是远紫外线(EUV)光刻。其他技术包括X射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻和多电子束无掩模光刻。
EUV光刻是用于非常小的半导体技术节点(诸如14nm乃至更小)的有前途的图案化技术。EUV光刻在需要掩模压印晶圆方面非常类似于光学光刻，除了EUV光刻采用EUV区域(例如，约13.5nm)的光之外。在13.5nm的波长处，大多数材料是高度吸收的。因此，EUV光刻中通常使用反射光学，而不是折射光学。虽然现有的EUV光刻方法对于它们的预期目的通常已经能够满足，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。例如，获得高光学对比度出现了挑战。期望在这个领域具有改进。
发明内容
为了解决现有技术的相关技术问题，本发明的目的在于提供一种远紫外线(EUV)光刻系统，包括：
掩模，具有多个反射式相移光栅块(PhSGB)；
照射装置，用于使掩模曝光以产生从掩模所反射的生成的反射光，包括从所述反射式PhSGB所反射的反射光，其中，所述生成的反射光包括主衍射光；以及
光学器件，用于收集并朝向目标引导所述生成的反射光。
优选地,所述反射式PhSGB包括来自由钼(Mo)、铝(Al)和锕(Ac)所组成的组的材料。
优选地,具有所述反射式PhSGB的掩模包括：
低热膨胀材料(LTEM)层；
导电层，设置在所述LTEM层的相对表面上方；
反射式多层(ML)，设置在LTEM层的一个表面上方；
反射式PhSGB，形成在所述反射式ML中；以及
覆盖层，沉积在所述反射式ML上方。
优选地,每个反射式PhSGB都具有包括长竖直侧面、短竖直侧面、三阶梯式底部轮廓和平坦的顶部轮廓的形状。
优选地,所述三阶梯式底部轮廓中的每个阶梯都具有公共的第一宽度w1，所述第一宽度约为图案的间距宽度的四分之一。
优选地,所述三阶梯式底部轮廓中的每个阶梯都具有公共的第一高度h1，所述公共的第一高度引起在两个相邻的阶梯之间所反射的光的约90度相移。
优选地,所述多个反射式PhSGB被布置为使得：
第一反射式PhSGB的长竖直侧面被定位为与第二反射式PhSGB的长竖直侧面背对背；
所述第一反射式PhSGB的短竖直侧面与第三反射式PhSGB的短竖直侧面间隔所述第一宽度w1。
优选地,所述反射式PhSGB包括具有v型底部轮廓和平坦的顶部轮廓的形状。
优选地,所述v形底部轮廓中的每个都具有第二宽度w2和第二高度h2，所述第二宽度为所述图案的间距宽度w1的两倍，并且所述第二高度引起在相应的反射式PhSGB的底部和顶部之间所反射的光的360度相移。
优选地,所述掩模具有反射式PhSGB，包括：
低热膨胀材料(LTEM)层；
导电层，设置在所述LTEM层的相对表面上方；
反射式多层(ML)，设置在LTEM层的一个表面上方；
覆盖层，沉积在所述反射式ML上方；以及
反射式PhSGB，形成在所述覆盖层之上。
优选地,所述反射式PhSGB中的每个都具有包括长竖直侧面、短竖直侧面、具有三阶梯式顶部轮廓的顶面和与所述覆盖层的顶面对准的平坦的底面的形状。
优选地,所述三个阶梯中的每个都具有公共的第一宽度w1和公共的第一阶梯高度h1。
优选地,所述多个反射式PhSGB被布置为使得：
第一反射式PhSGB的长竖直侧面被定位为与第二反射式PhSGB的长竖直侧面背对背；
所述第一反射式PhSGB的短竖直侧面与第三反射式PhSGB的所述短竖直侧面间隔所述第一宽度w1。
优选地,所述反射式PhSGB中的每个都包括具有角形顶部轮廓和与所述覆盖层的顶面对准的平坦的底部轮廓的形状。
优选地,所述反射式PhSGB中的每个都具有公共的宽度w2和公共的高度h2。
优选地,所述生成的反射光包括几乎为零的非衍射光。
另一方面，本发明提供一种光刻掩模，包括：
低热膨胀材料(LTEM)层；
反射式多层(ML)，位于所述LTEM层的一个表面之上；
导电层，位于LTEM层的相对表面之上；
覆盖层，沉积在所述ML上方；以及
多个反射式相移光栅块(PhSGB)，每个均包括具有长竖直侧面、短竖直侧面、具有三阶梯式底部轮廓的底面和平坦的顶面的三阶梯式形状，其中，三个阶梯中的每个都具有公共的第一宽度w1，所述第一宽度为用于所述掩模的图案的间距宽度的大约四分之一，其中，所述三个阶梯中的每个都具有公共的第一高度h1，选择所述第一高度以在光刻系统的曝光期间引起两个相邻的阶梯之间所反射的光的90度相移。
优选地，所述反射式PhSGB包括来自由钼(Mo)、铝(Al)和锕(Ac)所组成的组的材料。
优选地，多个三阶梯式PhSGB以如下这种方式进行布置：
第一反射式PhSGB的长竖直侧面被定位为与第二反射式PhSGB的长竖直侧面背对背；
所述第一反射式PhSGB的短竖直侧面与第三反射式PhSGB的短竖直侧面间隔所述第一宽度w1。
又一方面，本发明还提供一种用以提供用于远紫外线光刻(EUVL)的图案的掩模，包括：
低热膨胀材料(LTEM)层；
反射式多层(ML)，位于所述LTEM层的一个表面之上；
导电层，位于LTEM层的相对表面之上；
覆盖层，沉积在所述ML上方；以及
多个反射式相移光栅块(PhSGB)，每个均包括具有宽度w2和高度h2的三角形轮廓，所述宽度为所述图案的最小间距宽度的约两倍，所述高度引起所述EUVL中所使用的光的360度相移。
附图说明
当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是用于实施本发明的一个或多个实施例的光刻系统的框图。
图2A和图2B是根据本发明的一个或多个实施例的在光刻曝光工艺期间的各个曝光强度轮廓的图解视图。
图3是处于根据本发明的方面构造的光刻工艺的各个阶段的掩模衬底的一个实施例的各个方面的图解截面图。
图4A至图4B是处于根据本发明的方面构造的光刻工艺的各个阶段的EUV掩模的一个实施例的各个方面的图解截面图。
图5A至图5B是处于根据本发明的方面构造的光刻工艺的各个阶段的EUV掩模的另一实施例的各个方面的图解截面图。
图6A至图6B是处于根据本发明的方面构造的光刻工艺的各个阶段的EUV掩模的又一实施例的各个方面的图解截面图。
图7是处于根据本发明的方面构造的光刻工艺的各个阶段的EUV掩模的又一实施例的各个方面的图解截面图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在进行限定。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被翻转，则位于其他元件或部件“下面”或“下方”的元件被定位为位于其他元件或部件“之上”。装置可以以其他方式进行定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
参照图1，公开了可以从本发明的一个或多个实施例中获利的EUV光刻系统10。EUV光刻系统10利用波长约为1-100nm的EUV辐射源20，包括波长约为13.5nm的EUV。
EUV光刻系统10还利用照射装置30。照射装置30可以折射光学器件，诸如单个透镜或具有多个透镜(波带板(zone plate))的透镜系统；和/或反射光学器件，诸如单个平面镜或者具有多个平面镜的平面镜系统，以将来自辐射源20的光引导至掩模40上。在EUV波长范围内，通常利用反射光学器件。然而，也可以通过波带板来实现折射光学器件。在本实施例中，照射装置30被设置为提供同轴照射，以照射掩模40。在同轴照射的过程中，所有的入射到掩模上的入射光线都具有与主光线相同的入射角(AOI)，例如，AOI＝6°。在多种情况下，存在一些入射光的角散射。例如，EUV光刻系统10可以利用圆盘照射(即，光瞳面上的照射形成为以瞳孔中心为中心的圆盘)。部分一致性σ也可以用于描述点光源，其生成用于照射掩模40的平面波。在本实施例中，充分利用σ小于0.3的点光源的近似同轴照射。
EUV光刻系统10还利用掩模40(本文中所使用的掩模、光掩模、和中间掩模的术语指的是相同项)。在本实施例中，掩模40是反射掩模。掩模40可以结合其他分辨率提高的技术，诸如光学邻近校正(OPC)。下文中将更详细地描述掩模40。
通常，由于存在这些掩模图案，诸如0阶衍射级射线、-1阶衍射级射线以及+1阶衍射级射线，从掩模所反射的入射光线衍射为各种衍射级。在本实施例中，由于掩模40的结构，0阶衍射级射线几乎被消除，稍后将对其进行详细描述。收集和引导-1阶衍射级射线和+1阶衍射级射线，以使目标曝光。由于-1阶衍射级射线以及+1阶衍射级射线具有良好的平衡，所以它们彼此干涉，并且生成高对比度虚像。作为实例，如图2A和2B所示，装配有掩模40，实现了衬底上的高对比度和均匀的光强度。图2A和图2B以图形形式示出了衬底上要被曝光的整个光刻胶层(水平尺寸)的曝光强度分布(竖直尺寸)。在图2B中，用于曝光强度的单位是在0至1范围内变化的相对单位。在这种情况下，“1”代表在到达光刻胶层之前，来自曝光系统的100％的曝光强度。
EUV光刻系统10也采用投影光学器件50。投影光学器件50可以具有折射光部件或反射光部件。投影光学器件50收集从掩模40反射的辐射(例如图案化的辐射)。由于存在这些掩模图案，因此在从掩模40反射之后，入射光射线衍射到各个衍射级内，诸如-1阶衍射级射线和+1阶衍射级射线。
目标60包括具有光敏感层(例如光刻胶或抗蚀剂)的半导体晶圆，该光敏感层对EUV辐射敏感。可以通过目标衬底台支撑目标60。目标衬底台提供目标衬底位置的控制，从而使掩模的图案以重复的样式扫描到目标衬底上(也可以通过其他的光刻方法)。
以下描述参考掩模40和掩模制造工艺。掩模制造工艺通常包括两个步骤：掩模衬底制造工艺和掩模图案化工艺。在掩模衬底制造工艺过程中，通过在合适的材料层上设置合适的层(例如多个反射层)来形成掩模衬底。在掩模图案化工艺过程中，图案化掩模衬底以使集成电路(IC)器件(或管芯)的层具有设计。然后，图案化的掩模用于将电路图案(例如，IC器件的层的设计)转印到半导体晶圆上。通过各个光刻工艺可以将图案转印到多个晶圆上和上方。可以使用多个掩模(例如，15至30一组的掩模)以构建完整的IC器件。
参考图3，EUV掩模衬底100包括由低热膨胀材料(LTEM)制造的材料层110。LTEM包括TiO2掺杂的SiO2和/或本领域已知的其他低热膨胀材料。因此LTEM层110有助于最小化由于掩模加热导致的图案变形。在本实施例中，LTEM层包括具有低缺陷等级的材料并且具有平滑的表面。此外，在LTEM层110下方可以设置有导电层105(如图中所示)以用于静电卡盘的目的。在实施例中，导电层105包括氮化铬(CrN)，也可以包括其他组分。
EUV掩模衬底100包括设置在LTEM层110上面的反射多层(ML)120。根据菲涅尔(Fresnel)方程，当光传播穿过具有不同折射因数的两种材料的界面时将发生光反射。当折射因数的差异增大时，反射光增大。为增大反射光，一种方法是通过设置交替材料的多层来增加界面的数量，并且通过选择多层内的每层的合适的厚度来使从不同界面处反射的光相长干扰。然而，用于多层的所采用材料的吸收限制了可以实现的最大反射率。反射ML 120包括多个膜对，诸如钼-硅(Mo/Si)膜对(例如，在每个膜对中，一层钼位于一层硅的上方或下方)。可选地，反射ML 120可以包括钼-铍(Mo/Be)膜对，或可以用于反射ML 120的可以利用的在EUV波长处具有较高反射率的任何材料。反射ML 120的每层的厚度取决于EUV波长和入射角。调整反射ML 120的厚度可以实现最大化在每个界面处反射的EUV光的相长干扰，并且最小化由反射ML 120引起的EUV光的吸收。可以选择反射ML 120从而使其提供对所选择的辐射类型/波长具有较高的反射率。典型的膜对数是20至80，然而也可以选择任意数量的膜对数。反射ML 120通常可以实现0.65或以上的反射率。在实施例中，反射ML 120包括四十对Mo/Si层。每个Mo/Si膜对的厚度为约7nm，膜对的总厚度为280nm。在这种情况下，可以实现约70％的反射率。
EUV掩模衬底100也可以包括设置在反射ML 120之上的覆盖层130以防止反射ML的氧化。在一个实施例中，覆盖层130包括钌(Ru)，诸如RuB、RuSi的Ru化合物，铬(Cr)，Cr氧化物和Cr氮化物。
可以通过各种方法形成一个或多个层105、120和130，这些方法包括诸如蒸发和DC磁控溅射的物理汽相沉积(PVD)工艺；诸如化学镀或电镀的电镀工艺；诸如常压化学汽相沉积(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子体增强的CVD(PECVD)或高密度等离子体CVD(HDP CVD)、电子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)和/或本领域已知的其他方法。
参考图4A至图4B，例如，使用EUV掩模衬底100形成EUV掩模200。EUV掩模200包括多个块，通常称为第一反射式相移光栅块(PhSGB)210。通过包括Mo、铝(Al)、锕(Ac)或其他合适材料的反射式PhSGB层211形成第一反射式PhSGB 210。反射式PhSGB层211可以包括多层。在一个实施例中，在ML 120中形成第一反射式PhSGB 210。第一反射式PhSGB 210具有第一竖直侧面212、第二竖直侧面214、具有三阶梯式底部轮廓的底部侧面和与覆盖层的顶表面对准的平坦的顶部侧面。第一竖直侧面212具有最长的长度并且第二竖直侧面214具有最短的长度。三阶梯具有相同的阶梯宽度，第一宽度w1，并且具有相同的阶梯高度，第一高度h1。第一宽度w1为电路图案的间距宽度的四分之一。选择第一高度h1以引起两个相邻的阶梯之间的光反射的90度的相移。
又例如，如图4A所示，反射式PhSGB 210A表示第一反射式PhSGB 210的第一方向，其具有位于长竖直侧面212的右侧的短竖直侧面214。如图4A所示，反射式PhSGB 210B表示第二方向，其具有位于长竖直侧面212的左侧的短竖直侧面214。在本实施例中，多个第一反射式PhSGB 210通过以下方式布置：PhSGB 210A的长竖直侧面212位于邻近PhSGB 210B的长竖直侧面212的位置，并且与PhSGB 210B的长竖直侧面212并排布置；同样地，PhSGB 210A的短竖直侧面214通过宽度w1与PhSGB 210B的短竖直侧面214间隔开。这种块的交替布置在整个EUV掩模200上重复。
可以通过任何合适的工艺形成第一反射式PhSGB 210。例如，首先对ML 120实施光刻图案化和蚀刻以在ML 120中形成具有三阶梯式底部轮廓的沟槽。可以多次实施图案化和蚀刻工艺以形成具有三阶梯式底部轮廓的沟槽。然后，沉积PhSGB层211以填充沟槽，从而形成第一反射式PhSGB210。
参考图5A至图5B，在另一个实施例中，不同于形成在ML 120中，第二反射式PhSGB 310形成在覆盖层130之上。通过PhSGB 211形成第二反射式PhSGB 310。第二反射式PhSGB 310具有第三竖直侧面312、第四竖直侧面314、具有三阶梯式顶部轮廓的顶部侧面和与覆盖层的顶表面对齐的平坦的底部侧面，第三竖直侧312具有最长的长度并且第四竖直侧314具有最短的长度。三阶梯具有相同的阶梯宽度(第一宽度w1)，并且具有相同的高度(第一高度h1)。
进一步参考，反射式PhSGB 310A表示第二反射式PhSGB 310的第三方向，其具有位于长竖直侧面312的右侧的短竖直侧面314，并且反射式PhSGB 310B表示第四方向，其具有位于长竖直侧面312的左侧的短竖直侧面314。在本实施例中，多个第二反射式PhSGB 310通过以下方式布置：PhSGB 310A的长竖直侧面312与PhSGB 310B的长竖直侧面312并排，或PhSGB 310A的短竖直侧面314与PhSGB 310B的短竖直侧面314间隔第一宽度w1。
可以通过任何合适的工艺形成第二反射式PhSGB 310。例如，首先将反射式PhSGB层211沉积在覆盖层130上方。然后实施光刻图案化和蚀刻以形成具有三阶梯式顶部轮廓的第二反射式PhSGB 310。可以多次实施图案化和蚀刻工艺以形成三阶梯式顶部轮廓。
参考图6A至图6B，在又一个实施例中，在ML 120中形成第三反射式PhSGB 410。第三反射式PhSGB 410包括反射式PhSGB层211。第三反射式PhSGB 410具有v型底部轮廓和与覆盖层130的顶面对齐的平坦顶部轮廓。第三反射式PhSGB 410的第二宽度w2是电路图案的间距尺寸的两倍。选择反射式PhSGB 410的第二高度h2以引起顶部和底部之间的光反射的360度的相移。可以通过任何合适的工艺形成第三反射式PhSGB 410。例如，首先对ML 120实施光刻图案化和蚀刻以在ML 120中形成v型沟槽。然后沉积反射式PhSGB层211以填充沟槽，从而形成第三反射式PhSGB410。又例如，在覆盖层130上方涂覆光刻胶层并以不同曝光能量实施电子束图案化工艺，从而在光刻胶层上形成v型图案。然后，通过蚀刻工艺穿过v型光刻胶图案蚀刻覆盖层130和ML 120以在ML 120中形成v型沟槽。将反射式PhSGB层211填充到v型沟槽中以形成反射式PhSGB 410。在本实施例中，多个第三反射式PhSGB 410并排布置。
参考图7，在又一个实施例中，不同于形成在ML 120中，第四反射式PhSGB 510形成在覆盖层130之上。通过反射式PhSGB层211形成第四反射式PhSGB 510。第四反射式PhSGB 510具有Λ型顶侧和与覆盖层130的顶表面对齐的平坦底面。第四反射式PhSGB 510具有第二宽度w2和第二高度h2。
第四反射式PhSGB 510可以通过任何合适的工艺形成。例如，首先在覆盖层上方沉积反射式PhSGB层211。然后在反射式PhSGB层211上方涂覆光刻胶层，并且以各种曝光能量实施电子束图案化工艺以在光刻胶层上形成∧形图案。接下来，蚀刻工艺用于通过∧形光刻胶图案蚀刻反射式PhSGB层211以形成具有∧形顶部轮廓的反射式PhSGB 510。在本实施例中，多个第三反射式PhSGB 410并排布置。
基于以上所述，本发明提供了EUV光刻系统和采用EUV掩模的工艺，EUV掩模具有反射式相移光栅块(PhSGB)的结构。PhSGB配置为使得从PhSGB的一端反射的反射光具有约180度的相移并且相对于从PhSGB的另一端反射的反射光具有基本上相同的强度。因此，由来自PhSGB的反射光构成的得到的反射光包含几乎零0阶衍射级，并且得到的反射光主要包含-1阶和+1阶衍射。EUV光刻系统和工艺展示了航拍图像对比度的增强以及工艺窗口和生产量的改进。
本发明针对光刻系统。在一个实施例中，远紫外线光刻(EUVL)系统包括具有多个反射式相移光栅块(PhSGB)的掩模、曝光掩模以产生从掩模(包括从反射式PhSGB)反射的得到的反射光的照射系统。得到的反射光主要包括衍射光。该系统还包括收集得到的反射光并且将得到的反射光导向目标的光学系统。
本发明也涉及掩模。在一个实施例中，用于远紫外线光刻(EUVL)的掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层、位于LTEM层的一个表面之上的反射多层(ML)、位于LTEM层的相对表面之上的导电层、沉积在ML上方的覆盖层以及形成在ML中的多个反射式相移光栅块(PhSGB)。反射式PhSGB包括两种形状中的一种：三阶梯式形状，三阶梯式形状包括长竖直侧面、短竖直侧面、具有三阶梯式底部轮廓的底侧面以及与ML的顶面对准的平坦顶侧面。三阶梯的每一个均具有相同的第一宽度w1和相同的第一高度h1，第一宽度w1为图案的间距宽度的约四分之一，第一高度h1引起两个邻近的阶梯之间反射的光的约90度的相移；以及v形形状，v形形状包括v形底部轮廓以及与ML的顶面对准的平坦顶部轮廓。v形反射式PhSGB具有第二宽度w2和第二高度h2，第二宽度w2为图案的间距宽度的约两倍，第二高度h2引起反射式PhSGB的底部和顶部之间反射的光的360度的相移。
在一个实施例中，用于远紫外线光刻(EUVL)的掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层、位于LTEM层的一个表面之上的反射多层(ML)、位于LTEM层的相对表面之上的导电层、沉积在ML上方的覆盖层以及形成在覆盖层之上的多个反射式相移光栅块(PhSGB)。反射式PhSGB包括两种形状中的一种：三阶梯式形状，三阶梯式形状包括长竖直侧面、短竖直侧面、具有三阶梯式底部轮廓的顶侧面以及与覆盖层的顶面对准的平坦底侧面。三阶梯的每一个均具有相同的第一宽度w1，第一宽度w1为图案的间距宽度的约四分之一，其中，三阶梯的每一个均具有相同的第一高度h1，第一高度h1引起两个邻近的阶梯之间反射的光的约90度的相移；以及∧形形状，∧形形状包括∧形顶部轮廓以及与覆盖层的顶面对准的平坦底部轮廓。∧形反射式PhSGB具有第二宽度w2和第二高度h2，第二宽度w2为图案的间距宽度的约两倍，第二高度h2引起反射式PhSGB的底部和顶部之间反射的光的360度的相移。
上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。
Claims (10)
1.一种远紫外线(EUV)光刻系统，包括：
掩模，具有多个反射式相移光栅块(PhSGB)；
照射装置，用于使掩模曝光以产生从掩模所反射的生成的反射光，包括从所述反射式PhSGB所反射的反射光，其中，所述生成的反射光包括主衍射光；以及
光学器件，用于收集并朝向目标引导所述生成的反射光。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述反射式PhSGB包括来自由钼(Mo)、铝(Al)和锕(Ac)所组成的组的材料。
3.根据权利要求1所述的系统，其中，具有所述反射式PhSGB的掩模包括：
低热膨胀材料(LTEM)层；
导电层，设置在所述LTEM层的相对表面上方；
反射式多层(ML)，设置在LTEM层的一个表面上方；
反射式PhSGB，形成在所述反射式ML中；以及
覆盖层，沉积在所述反射式ML上方。
4.根据权利要求3所述的系统，其中，每个反射式PhSGB都具有包括长竖直侧面、短竖直侧面、三阶梯式底部轮廓和平坦的顶部轮廓的形状。
5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述三阶梯式底部轮廓中的每个阶梯都具有公共的第一宽度w1，所述第一宽度约为图案的间距宽度的四分之一。
6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述三阶梯式底部轮廓中的每个阶梯都具有公共的第一高度h1，所述公共的第一高度引起在两个相邻的阶梯之间所反射的光的约90度相移。
7.根据权利要求4所述的系统，其中，所述多个反射式PhSGB被布置为使得：
第一反射式PhSGB的长竖直侧面被定位为与第二反射式PhSGB的长竖直侧面背对背；
所述第一反射式PhSGB的短竖直侧面与第三反射式PhSGB的短竖直侧面间隔所述第一宽度w1。
8.根据权利要求3所述的系统，其中，所述反射式PhSGB包括具有v型底部轮廓和平坦的顶部轮廓的形状。
9.一种光刻掩模，包括：
低热膨胀材料(LTEM)层；
反射式多层(ML)，位于所述LTEM层的一个表面之上；
导电层，位于LTEM层的相对表面之上；
覆盖层，沉积在所述ML上方；以及
多个反射式相移光栅块(PhSGB)，每个均包括具有长竖直侧面、短竖直侧面、具有三阶梯式底部轮廓的底面和平坦的顶面的三阶梯式形状，其中，三个阶梯中的每个都具有公共的第一宽度w1，所述第一宽度为用于所述掩模的图案的间距宽度的大约四分之一，其中，所述三个阶梯中的每个都具有公共的第一高度h1，选择所述第一高度以在光刻系统的曝光期间引起两个相邻的阶梯之间所反射的光的90度相移。
10.一种用以提供用于远紫外线光刻(EUVL)的图案的掩模，包括：
低热膨胀材料(LTEM)层；
反射式多层(ML)，位于所述LTEM层的一个表面之上；
导电层，位于LTEM层的相对表面之上；
覆盖层，沉积在所述ML上方；以及
多个反射式相移光栅块(PhSGB)，每个均包括具有宽度w2和高度h2的三角形轮廓，所述宽度为所述图案的最小间距宽度的约两倍，所述高度引起所述EUVL中所使用的光的360度相移。
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