KR920004907B1 - 필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체의 제조방법 - Google Patents
필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체의 제조방법 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 1
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1a 도 내지 제 1c 도는 종래 LOCOS법에 의한 반도체 제조 공정의 수직단면도.
제 2a 도 내지 제 2e 도는 본 발명을 실시하기 위한 반도체 제조공정의 수직단면도이다.
본 발명은 LOCOS법에 의한 제조된 반도체의 단차에 의한 토폴로지(topology)를 감소시키는 방법에 관한 것으로, 특히 게이트폴리위의 평탄도를 좋게한 필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체의 제조방법에 관한 것이다.
제 1a 도 내지 제 1c 도는 종래LOCOS(Local Oxidation of silicon)법에 의한 반도체의 제조공정도를 나타낸 것으로, 제 1a 도에 도시한 바와 같이 기판(11)위에 산화막(12)을 형성한 다음 활성영역이 형성되는 부분의 기판이 산화되는 것을 방지하기 위해 질화막(13)을 중착한후 필드분리영역이 될 부분의 질화막(13)을 에칭하고 LOCOS를 행하면 제 1b 도와 같이 산화층(14)이 상기 질화막(13)의 일부를 파고들어 볼록한 형태로 형성된다. 이와같이 산화층(14)을 형성한후 상기 질화막(13)을 에칭하고 이 위에 제 1c 도와 같이 폴리층(15), 절연층(16) 및 메탈층(17)을 침적한다.
이와 같은 방법으로 형성된 종래의 반도체는 산화층(14)의 두께가 클수록 버드빅(bird's beak)이 커지므로 활성영역(Active region;a)이 줄어 들며, 활성영역(a)위의 게이트폴리와 산화층(14)위의 폴리사이의 단차로 인하여 절연층(16) 및 메탈층(17) 등의 다층을 형성할때 요철이 심하여 상층(top layer)에서 단락이 일어나기 쉽다.
따라서, 본 발명은 위와 같은 문제점을 감안하여 발명된 것으로, 필드산화층의 볼록한 부분을 평탄화시켜 기판에서부터 상층(top layer)까지의 굴곡을 줄임으로써 스텝 커버리지를 개선하며, 절연층의 두께를 조절하여 버드빅 증가에 따른 활성영역의 감소를 방지하는 반도체 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제조방법과 효과에 대해 설명하고자 한다. 첨부된 도면 제 2a 도 내지 제 2e 도는 본 발명 필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체 제조방법의 공정도를 도시한 것으로, 먼저 제 2a 도와 같이 기판(1)상에 산화막(2)을 형성한 다음 활성영역이 형성되는 부분의 기판산화를 방지하기 위해 질화막(3)을 형성한후 포토레지스트를 도포하고 이를 마스크로 하여 상기 질화막(3)의 일부를 에칭하고 포토레지스트를 제거한후 필드 영역을 형성하기 위해 노출된 기판 부분에 이온주입을 행한다. 그 다음 제 2b 도와 같이 이온주입한 필드영역을 산화시켜 산화층(4)을 형성한후 제 2c 도와 같이 상기 질화막(3)과 산화층(4)의 볼록한 전면을 에칭한수 다시 산호막(5)을 침적하며, 제 2d 도와 같이 포토레지스트를 토포한후 에치백(etch back)으로 상기 산화막(5)을 기판(1)의 상부까지 에칭하여 소자분리에 필요한 분리영역(4')을 남김으로써 활성영역(a)및 필드분리영역(b)을 형성하게 된다. 그후 제 2e 도와 같이 폴리층(6)및 절연층(7), 메탈층(8)을 형성하여 제조공정을 완료하게 된다.
상기와 같은 방법으로 제조된 본 발명 반도체는 필드산화층의 토폴로지를 제거함으로써 다층을 적층할때 중간막질의 스탭커버리지가 개선되므로 상층의 단락을 줄일 수 있으며, 활성영역과 필드산화층 사이의 스트레스를 줄여 누설(leackage)을 최대한 억제할 수 있고, 분리영역의 두께조절이 가능하므로 활성영역을 확장시킬 수 있음과 동시에 활성영역의 절연효과 크다.
Claims (1)
- 기판(1)상에 산화막(2)을 형성한 다음 활성영역을 형성하기 위해 질화막(3)을 증착한후 포토레지스트를 도포하고 이를 마스크로 상기 질화막(3)의 일부를 에칭하여 필드영역을 형성하기 위해 이온을 주입하는 단계 ; 이온주입한 필드영역을 산화시켜 산화층(4)을 형성하는 단계 ; 상기 질화막과 산화층(4)의 볼록한 전면을 에칭한후 다시 산화막(5)을 침적하는 단계 ; 포토레지스트를 도포한후 에치백(etch back)법으로 상기 산화막(5)을 기판(1)의 상부까지 에칭하여 소자분리에 필요한 분리영역(4')을 형성하는 단계 ; 그위에 폴리층(6)및 절연층(7), 메탈층(8)을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880009246A KR920004907B1 (ko) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880009246A KR920004907B1 (ko) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900002402A KR900002402A (ko) | 1990-02-28 |
| KR920004907B1 true KR920004907B1 (ko) | 1992-06-22 |
Family
ID=19276348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880009246A KR920004907B1 (ko) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 필드분리형성에 따른 토폴로지가 감소된 반도체의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920004907B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7198707B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-04-03 | Korea Power Engineering Co. Inc. | Apparatus for cathodic protection in an environment in which thin film corrosive fluids are formed and method thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428349B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2004-04-28 | 현대자동차주식회사 | 범퍼 금형의 이젝팅 장치 |
-
1988
- 1988-07-22 KR KR1019880009246A patent/KR920004907B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7198707B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-04-03 | Korea Power Engineering Co. Inc. | Apparatus for cathodic protection in an environment in which thin film corrosive fluids are formed and method thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900002402A (ko) | 1990-02-28 |
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